1.一种薄膜制备设备，其特征在于，包括至少一个镀膜室，所述镀膜室包括：
n个间隔排列的阴极靶，n个溅射电源，每个所述溅射电源与一个所述阴极靶对应设置；
与所述阴极靶相对设置的基座，所述基座用于承载待制备薄膜的基片，并带动所述基片沿所述阴极靶的排列方向移动，以通过n个所述阴极靶在所述基片表面形成n层薄膜；
分区装置，设置在所述阴极靶处或设置在所述基片处，用于将每个所述阴极靶的镀膜区等分成n个沉积区，其中，所述n个沉积区的排列方向与所述阴极靶的排列方向垂直，并且，不同的所述沉积区的薄膜沉积速率不同，以使每层薄膜都包括n个膜厚不同的区域；
控制装置，与所述n个溅射电源相连，用于根据所述待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据、n个所述阴极靶的n个沉积区的薄膜沉积速率数据，计算出n个所述阴极靶在m个时间段的溅射功率，并根据计算结果控制对应的所述溅射电源具有相应的溅射功率，以使所述待制备薄膜的n行m列个单元中不同的单元具有不同的膜厚；
其中，n、m均为大于或等于1的整数。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述控制装置还用于建立第一矩阵t、第二矩阵d和第三矩阵p，所述第一矩阵t包括所述待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据，所述第二矩阵d包括n个所述阴极靶的n个沉积区的薄膜沉积速率数据，所述第三矩阵包括n个所述阴极靶在m个时间段的溅射功率，并根据公式t＝d*p计算出第三矩阵p。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分区装置包括n个遮挡板，所述n个遮挡板设置在所述阴极靶处，且所述n个遮挡板将所述镀膜区等分成n个沉积区。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分区装置包括掩膜板，所述掩膜板具有n个镂空区域，所述n个镂空区域将所述镀膜区等分成n个沉积区。
5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述薄膜制备设备还包括设置在所述至少一个镀膜室进口处的进片室和设置在所述至少一个镀膜室出口处的出片室，以通过所述进片室将所述基片传输至所述镀膜室，通过所述出片室将所述镀膜室内的基片传出。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述薄膜制备设备还包括依次设置在所述进片室和所述至少一个镀膜室之间的第一缓冲室和第一过渡室，以及，依次设置在所述至少一个镀膜室和所述出片室之间的第二过渡室和第二缓冲室。
7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述溅射电源包括中频电源、直流电源、直流脉冲电源或者射频电源的一种或几种的组合。
8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，n个所述阴极靶沿直线间隔排列，所述基座的形状为条状，且所述条状的基座与所述n个阴极靶平行排列；
或者，n个所述阴极靶沿圆形线间隔排列，所述基座的形状为环形，且所述环形的基座与所述n个阴极靶平行排列。
9.一种薄膜制备方法，其特征在于，应用于权利要求1～8任一项所述的薄膜制备设备，所述方法包括：
根据所述待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据、n个所述阴极靶的n个沉积区的沉积速率数据，计算出n个所述阴极靶在m个时间段的溅射功率；
根据计算结果控制对应的所述溅射电源具有相应的溅射功率，以使所述待制备薄膜的n行m列个单元中不同的单元具有不同的膜厚；
其中，n、m均为大于或等于1的整数。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据所述待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据、n个所述阴极靶的n个沉积区的沉积速率数据，计算出n个所述阴极靶在m个时间段的溅射功率包括：
建立第一矩阵t、第二矩阵d和第三矩阵p，所述第一矩阵t包括所述待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据，所述第二矩阵d包括n个所述阴极靶的n个沉积区的沉积速率数据，所述第三矩阵包括n个所述阴极靶在m个时间段的溅射功率；
根据公式t＝d*p计算出第三矩阵p。