1.一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、制备氧化铜粉：将电解铜粉在高温下进行氧化，然后进行高能球磨处理，得到氧化铜粉；所述氧化铜粉为表面包覆氧化铜膜的铜粉；
步骤二、制备复合粉末：将步骤一中得到的氧化铜粉、鳞片石墨与钼粉按照44.5：(2.25～18)：(5.1～51)的质量比进行球磨混合，得到复合粉末；
步骤三、制备石墨负载铜纳米颗粒复合粉末：将步骤二中得到的复合粉末放置于管式炉中，在还原气氛条件下进行还原处理，得到石墨负载铜纳米颗粒复合粉末；
步骤四、制备石墨-铜钼基复合材料：将步骤三中得到的石墨负载铜纳米颗粒复合粉末进行真空热压烧结，得到石墨-铜钼基复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述氧化的温度为250℃～400℃，所述高能球磨处理采用的球料比为(5～20)：1，球磨速度为400rpm～500rpm。
3.根据权利要求1所述的一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述球磨混合的转速为150rpm～250rpm，球磨时间为2h～4h。
4.根据权利要求1所述的一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤三中所述还原处理的温度为350℃～450℃，时间为2h～4h。
5.根据权利要求1所述的一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述真空热压烧结的温度为700℃～1050℃，真空度低于10-3pa，保温时间为5min～30min，压力为30mpa～160mpa。