一种环件中的凸起构件及包括其的钽环的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种环件中的凸起构件及包括其的钽环。


背景技术：

2.目前，在半导体表面镀膜时常采用溅射的方法，溅射是一种物理气相淀积(pvd)的镀膜方式，其是用带电粒子轰击靶材，使靶材发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，靶材原子从表面逸出并淀积在衬底上的过程。利用溅射工艺可在衬底表面形成金属、合金或电介质薄膜。
3.当前在半导体生产过程中通常会用到环件如钽环，cn201842886u公开了一种钽溅射环，应用于8英寸硅片的生产过程，该钽溅射环上具有花纹，所述花纹的大小大于80tpi，且深度大于100μm。其提供的钽溅射环，通过调整钽溅射环上的花纹大小，并加深花纹深度，解决了现有技术中因钽溅射环的花纹过于细小，且深度浅而导致的对大角度的靶材原子吸附能力差从而导致使用寿命短的问题，该钽溅射环的花纹能够吸附的更多的靶材原子，进而增加了钽溅射环的使用次数，延长了使用寿命。
4.cn110670031a公开了一种钽环及制备方法、包含钽环的溅射装置及其应用，所述钽环包括环件以及设置在环件表面的花纹，所述花纹呈锥形凹坑状；锥形凹坑状花纹具有较大的比表面积，当在用于溅射过程中，能够附着较大量的溅射源，并且具有较好的附着力，此外花纹呈现锥形凹坑状，锥形凹坑的顶部朝向环件内部，相邻两个锥形凹坑的底部相连，呈现平面状的结构，而非带有尖端的结构，因此能够避免在通电过程中出现的尖端放电的现象，从而提高钽环的使用寿命。钽环的制备方法简单，仅需滚花处理即可，无需进行表面锐化处理，即能保证得到的钽环对溅射源具有较好的吸附能力以及吸附量的前提下，不会出现尖端放电的情况。
5.然而钽环在实际使用过程中，安装后环件中的凸起构件有松动现象产生，影响溅射工况，容错率低。


技术实现要素：

6.鉴于现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种环件中的凸起构件及包括其的钽环，通过对凸起构件中部分结构的改动，使得安装后的钽环中凸起构件无松动现象，对溅射过程无影响，使用容错率高。
7.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
8.第一方面，本实用新型提供了一种环件中的凸起构件，所述环件中的凸起构件的顶部设有凹槽；
9.所述凹槽的中心线处设有凸台；
10.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
11.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
12.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值≥3mm。
13.本实用新型中，通过对凸起构件高度的重新设计，将现有技术中的凸起构件中凹槽的外壁或凹槽中凸台的高度的重新调整并且将凸起构件的整体高度缩减0.5mm，使得安装后的钽环中凸起构件无松动现象，对溅射过程无影响，使用容错率高。
14.作为本实用新型优选的技术方案，所述凹槽的垂直深度≥8mm，例如可以是8mm、9mm、10mm、11mm或12mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
15.作为本实用新型优选的技术方案，所述凹槽的内径≥18mm，例如可以是18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
16.作为本实用新型优选的技术方案，所述凸台的直径≥9mm，例如可以是9mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm、16mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
17.作为本实用新型优选的技术方案，所述螺纹孔的有效深度为12
‑
13mm，例如可以是12mm、12.1mm、12.2mm、12.3mm、12.4mm、12.5mm、12.6mm、12.7mm、12.8mm、12.9mm或13mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
18.作为本实用新型优选的技术方案，所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
19.作为本实用新型优选的技术方案，所述通孔的直径为1.5
‑
2mm，例如可以是1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
20.本实用新型中，所述通孔作为螺纹孔的排气孔。
21.作为本实用新型优选的技术方案，所述凸起构件的最大垂直高度≥20mm，例如可以是20mm、22mm、24mm、26mm、28mm、30mm、32mm或34mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
22.第二方面，本方实用新型提供了一种钽环，所述钽环包括如第一方面所述的凸起构件。
23.与现有技术方案相比，本实用新型具有以下有益效果：
24.本实用新型中，通过对凸起构件高度的重新设计，将现有技术中的凸起构件中凹槽的外壁或凹槽中凸台的高度的重新设计并且将凸起构件的整体高度缩减0.5mm，使得安装后的钽环中凸起构件无松动现象，对溅射过程无影响，使用容错率高。
附图说明
25.图1为现有技术中的凸起构件示意图；
26.图2是本实用新型实施例1提供的一种环件中的凸起构件。
27.图中：1
‑
凹槽，2
‑
螺纹孔，3
‑
凸台。
28.下面对本实用新型进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本实用新型的简易例子，并不代表或限制本实用新型的权利保护范围，本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
29.为更好地说明本实用新型，便于理解本实用新型的技术方案，本实用新型的典型但非限制性的实施例如下：
30.实施例1
31.本实施例提供一种环件中的凸起构件，如图2所示，以解决现有技术(图1)中凸起构件在使用过程中松动及容错率低的问题，所述凸起构件的顶部设有凹槽1；所述凹槽1的垂直深度为8mm；
32.所述凹槽1的内径为18mm。
33.所述凹槽1的中心线处设有凸台3；
34.所述凸台3的中心线处设置有螺纹孔2；
35.所述凸台3的高度大于所述凹槽1的深度；
36.所述凸台3的高度与所述凹槽1的深度的差值为3mm；
37.所述凸台3的直径为9mm。
38.所述螺纹孔2的有效深度为12mm；
39.所述螺纹孔2底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
40.所述通孔的直径为1.5mm。
41.所述凸起构件的最大垂直高度为20mm。
42.实施例2
43.本实施例提供一种环件中的凸起构件，所述凸起构件的顶部设有凹槽；
44.所述凹槽的垂直深度为10mm；
45.所述凹槽的内径为20mm。
46.所述凹槽的中心线处设有凸台；
47.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
48.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
49.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值为3mm；
50.所述凸台的直径为10mm。
51.所述螺纹孔的有效深度为13mm；
52.所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
53.所述通孔的直径为2mm。
54.所述凸起构件的最大垂直高度为21mm。
55.实施例3
56.本实施例提供一种环件中的凸起构件，所述凸起构件的顶部设有凹槽；
57.所述凹槽的垂直深度为8mm；
58.所述凹槽的内径为28mm。
59.所述凹槽的中心线处设有凸台；
60.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
61.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
62.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值为4mm；
63.所述凸台的直径为15mm。
64.所述螺纹孔的有效深度为12.5mm；
65.所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
66.所述通孔的直径为1.7mm。
67.所述凸起构件的最大垂直高度为25mm。
68.实施例4
69.本实施例提供一种环件中的凸起构件，所述凸起构件的顶部设有凹槽；
70.所述凹槽的垂直深度为9mm；
71.所述凹槽的内径为18.7mm。
72.所述凹槽的中心线处设有凸台；
73.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
74.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
75.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值为3mm；
76.所述凸台的直径为9.4mm。
77.所述螺纹孔的有效深度为12.2mm；
78.所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
79.所述通孔的直径为1.6mm。
80.所述凸起构件的最大垂直高度为22mm。
81.实施例5
82.本实施例提供一种环件中的凸起构件，所述凸起构件的顶部设有凹槽；
83.所述凹槽的垂直深度为8.5mm；
84.所述凹槽的内径为20mm。
85.所述凹槽的中心线处设有凸台；
86.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
87.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
88.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值为5mm；
89.所述凸台的直径为9.6mm。
90.所述螺纹孔的有效深度为12.3mm；
91.所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
92.所述通孔的直径为2mm。
93.所述凸起构件的最大垂直高度为20mm。
94.实施例6
95.本实施例提供一种环件中的凸起构件，所述凸起构件的顶部设有凹槽；
96.所述凹槽的垂直深度为9mm；
97.所述凹槽的内径为20mm。
98.所述凹槽的中心线处设有凸台；
99.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
100.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
101.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值为3mm；
102.所述凸台的直径为9mm。
103.所述螺纹孔的有效深度为12mm；
104.所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
105.所述通孔的直径为1.5mm。
106.所述凸起构件的最大垂直高度为20mm。
107.实施例7
108.本实施例提供一种环件中的凸起构件，所述凸起构件的顶部设有凹槽；
109.所述凹槽的垂直深度为8mm；
110.所述凹槽的内径为18.3mm。
111.所述凹槽的中心线处设有凸台；
112.所述凸台的中心线处设置有螺纹孔；
113.所述凸台的高度大于所述凹槽的深度；
114.所述凸台的高度与所述凹槽的深度的差值为3.7mm。
115.所述凸台的直径为9mm。
116.所述螺纹孔的有效深度为13mm。
117.所述螺纹孔底部和所述凸起的侧面之间设有通孔。
118.所述通孔的直径为2mm。
119.所述凸起构件的最大垂直高度为28mm。
120.本实用新型中，通过对凸起构件高度的重新设计，将现有技术中的凸起构件中凹槽的外壁或凹槽中凸台的高度的重新设计并且将凸起构件的整体高度缩减0.5mm，使得安装后的钽环中凸起构件无松动现象，对溅射过程无影响，使用容错率高。
121.申请人声明，本实用新型通过上述实施例来说明本实用新型的详细结构特征，但本实用新型并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本实用新型必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本实用新型的任何改进，对本实用新型所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
122.以上详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。
123.另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。
124.此外，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。