一种晶片研磨装置的制作方法

本实用新型涉及晶片加工的技术领域，特别是涉及一种晶片研磨装置。

背景技术：

随着工艺和技术的发展，晶片的用途越来越广泛，有些公司会提出一些超薄晶片的需求，厚度要求在80－150um左右，这就要求研磨工序所使用夹具厚度也相对较低，在常规加工中，夹具厚度低于200um的情况下，夹具在研磨过程中容易发生断齿和破损，造成该夹具内甚至整盘晶片发生碎片，极大的影响了晶片的成品率，研磨成品率仅50％左右。如果选用厚度较厚夹具，就会造成研磨前后晶片厚度变大，同时也需要增加后续抛光的加工掉量，这样会极大的降低超薄晶片加工效率，同时增加了原料和物料成本，造成超薄晶片生产成本变高。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的技术问题，本实用新型的目的是：提供一种晶片研磨装置，本实用新型可以提高晶片研磨质量和成品率。

为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶片研磨装置，包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。

进一步的是：所述基座呈圆盘状，所述夹具上设有通孔，所述通孔沿着所述第一磨盘至所述第二磨盘的方向贯穿所述夹具，所述通孔的直径与所述基座的直径相等，所述基座安装在所述通孔内。

进一步的是：所述夹具的厚度与所述基座的厚度相等。

进一步的是：所述第一装夹凹槽的深度为100um－180um。进一步的是：所述第二装夹凹槽的深度为100um－180um。

进一步的是：所述第一装夹凹槽的底部到所述第二装夹凹槽底部之间的距离为100um－300um。

进一步的是：所述基座为聚氨酯制造的一体件。

进一步的是：所述第一端面和所述第一装夹凹槽的内壁的连接处设有第一倒圆角，所述第一端面和所述基座的圆周侧面的连接处设有第二倒圆角。

进一步的是：所述第二端面和所述第二装夹凹槽的内壁的连接处设有第三倒圆角，所述第二端面和所述基座的圆周侧面的连接处设有第四倒圆角。

本实用新型与现有技术相比，其有益效果在于：晶片研磨装置可以用于超薄晶片研磨工序加工，晶片研磨装置对夹具的厚度要求低，避免了加工超薄晶片时候对夹具造成破损，晶片研磨装置的基座可以同时夹持两个晶片，提高了超薄晶片研磨工序的成品率，成品率由50％提高到90％左右。

附图说明

图1是晶片研磨装置的结构示意图。

图2是基座的结构示意图。

图3是夹具的结构示意图。

图中，1为第一磨盘，2为第二磨盘，3为夹具，4为基座，5为晶片，31为通孔，41为第一端面，42为第二端面，43为第一装夹凹槽，44为第二装夹凹槽，45为第一倒圆角，46为第二倒圆角，47为第三倒圆角，48为第四倒圆角。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“连通”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

为叙述方便，除另有说明外，下文所说的上下方向与图1本身的上下方向一致。

如图1至图3所示，本实施例提供一种晶片研磨装置，包括第一磨盘1、第二磨盘2、夹持在第一磨盘1和第二磨盘2之间的夹具3、安装在夹具3上的基座4；基座4具有相互背离设置的第一端面41和第二端面42，第一端面41上设有用于晶片5卡入的第一装夹凹槽43，第二端面42上设有用于晶片5卡入的第二装夹凹槽44，第一端面41上的晶片5与第一磨盘1接触，第二端面42上的晶片5与第二磨盘2接触。第一磨盘1位于第二磨盘2的上方，夹具3和基座4均位于第一磨盘1和第二磨盘2之间。一个基座4可以安装两个不同的晶片5，两个晶片5分别通过第一磨盘1和第二磨盘2进行加工。加工过程晶片5为单面掉量，也就是每片晶片5与第一磨盘1或第二磨盘2接触的面掉量，晶片5与基座4接触的面不掉量，所以为了保证晶片5的两面掉量的均匀性，每各晶片5需要进行两次研磨，每个晶片5的其中一个面研磨完成之后，要对晶片5进行翻转然后重新装在第一装夹凹槽43或第二装夹凹槽44内来对另一个面进行研磨。

具体的，在一个实施例中，基座4呈圆盘状，夹具3的上设有通孔31，通孔31沿着第一磨盘1至第二磨盘2的方向贯穿夹具3，通孔31的直径与基座4的直径相等，基座4安装在通孔31内。

具体的，在一个实施例中，基座4的厚度h1大于夹具31－3mm。使得晶片5能够高于夹具3。

具体的，在一个实施例中，夹具3的通孔31直径比基座4的直径d1大0.3mm－0.8mm。使得夹具3能够夹住基座4。

具体的，在一个实施例中，夹具3的厚度与基座4的厚度相等。防止第一磨盘1和第二磨盘2会研磨到夹具3合格基座4。

具体的，在一个实施例中，基座4为环氧树脂制造的一体件，加工硬度较低的晶片5时，夹具3材料一般为环氧树脂，夹具3厚度要低于晶片5加工要求厚度上限最少20um。

具体的，在一个实施例中，夹具3为一个圆盘，圆盘的圆周侧面设有轮齿，通孔31位于夹具3的端面上并沿着夹具3的轴线方向贯穿夹具3。夹具3上的通孔31有多个，基座4有若多个，多个基座4和多个通孔31一一对应。多个通孔31均位于夹具3的端面的边缘，多个通孔31沿着夹具3的圆心圆周均匀分布。

具体的，在一个实施例中，第一装夹凹槽43为圆形槽，第一装夹凹槽43的深度为100um－180um。实际加工时可根据晶片5厚度选择基座4，选择原则是第一装夹凹槽43的深度大于晶片5研磨工序要求厚度15um－－30um左右。

具体的，在一个实施例中，第二装夹凹槽44为圆形槽，第二装夹凹槽44的深度为100um－180um。实际加工时可根据晶片5厚度选择基座4，选择原则是第二装夹凹槽44的深度大于晶片5研磨工序要求厚度15um－－30um左右。

具体的，在一个实施例中，第一装夹凹槽43的底部到第二装夹凹槽44底部之间的距离h2为100um－300um。

具体的，在一个实施例中，第一装夹凹槽43的直径和第二装夹凹槽44的直径均比晶片5直径大0.3mm—0.8mm。

具体的，在一个实施例中，基座4为聚氨酯制造的一体件。

具体的，在一个实施例中，第一端面41和第一装夹凹槽43的内壁的连接处设有第一倒圆角45，第一端面41和基座4的圆周侧面的连接处设有第二倒圆角46。第一倒圆角45和第二倒圆角46防止研磨的时候第一磨盘1对基座4造成磨损。

具体的，在一个实施例中，第二端面42和第二装夹凹槽44的内壁的连接处设有第三倒圆角47，第二端面42和基座4的圆周侧面的连接处设有第四倒圆角48。第三倒圆角47和第四倒圆角48防止研磨的时候第二磨盘2对基座4造成磨损。

本实用新型的工作过程：首先晶片研磨前先磨边，防止研磨过程晶片碎片，基座使用之前使用纯水浸泡一小时。将两个磨边后的待磨晶片分别放在基座的第一装夹凹槽和第二装夹凹槽内，然后将装有晶片的基座安装在位移第一磨盘和第二磨盘之间的夹具的通孔内，最后启动装置，使得第一磨盘对第一装夹凹槽内的晶片的上端面进行研磨，使得第二磨盘对第二装夹凹槽内的晶片的下端面进行研磨。晶片的其中一面研磨完成后翻转晶片，然后使用第一磨盘和第二磨盘对晶片的另一面进行研磨。每个晶片的两面均进行研磨后再更换其他待研磨的晶片。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。