一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具的制作方法

一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具
技术领域
1.本实用新型涉及一种洗净浸泡治具，具体涉及一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具。


背景技术：

2.对ald(原子层沉积技术)氮化钛装置喷头部件进行洗净作业时，很多工艺上都用到了打磨这一步骤，但是普通的旋转打磨平台无法良好的放置固定部件，而且无法同时兼顾到各个光滑面的打磨处理，且打磨的过程很容易造成水花和污染物飞溅，给打磨工作带来很大的困扰。


技术实现要素：

3.针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，治具的底面设计了漏水孔，可以避免造成像普通打磨那样的产生水花飞溅的现象。治具的两个台阶面是部件两个方向打磨的置物平面，实现了治具功能的完整性。
4.本实用新型的技术方案是：一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，所述半导体设备ald氮化钛装置喷头呈盆状，盆状喷头包括中间的铝材圆柱，底部的铝材底和顶部的铝材边沿，所述铝材底上开设有多个出水孔；
5.所述旋转打磨治具呈杯状，杯状治具包括治具底面和治具圆周面；
6.所述治具底面上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔以及用于排除积水的漏水孔；且所述治具底面为第一台阶面，当盆状喷头的铝材底朝下铝材边沿朝上放置时，铝材底底面与第一台阶面贴合放置；
7.所述治具圆周面中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面，所述第二台阶面的外径等于铝材边沿的外径，第二台阶面的内径大于铝材圆柱的外径；当盆状喷头的铝材底朝上铝材边沿朝下放置时，铝材边沿表面与第二台阶面贴合放置；
8.所述第二台阶面上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有多个定位凸起，所述盆状喷头的铝材边沿外表面与多个定位凸起一一对应的设置有多个定位凹槽。治具上设有圆周定位凸起与定位凹槽配合，可以保证将盆状喷头产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。
9.进一步的，所述治具圆周面上对称的开设有2个取放开口槽。方便作业人员取放喷头产品。
10.进一步的，所述沉头孔有4个，均匀的设置于治具底面上。
11.进一步的，所述4个沉头孔位于与治具底面外圆周同心的第一圆上。
12.进一步的，所述第一圆的半径为治具底面外圆周半径的三分之一。
13.进一步的，所述漏水孔有8个，均匀的设置于治具底面上。
14.进一步的，所述8个沉头孔位于与治具底面外圆周同心的第二圆上。
15.进一步的，所述第二圆的半径为治具底面外圆周半径的三分之二。
16.进一步的，所述定位凸起有4个，均匀的设置于第二台阶面上方的圆周面内表面上。保证受力均匀。
17.本实用新型的有益效果是：1、治具的底面设计了漏水孔，可以避免造成像普通打磨那样的产生水花飞溅的现象。2、治具上设有圆周定位凸起，可以保证将产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。3、治具的两个台阶面是部件两个方向打磨的置物平面，实现了治具功能的完整性。4、治具侧边的两个取放开口槽是为了方便作业人员取放产品。
附图说明
18.图1为半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具的结构示意图；
19.图2为半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具的俯视图；
20.图3为半导体设备ald氮化钛装置喷头的结构示意图。
21.图中：1为治具圆周面，2为取放开口槽，3为定位凸起，4为漏水孔，5为治具底面，6 为第二台阶面，7为沉头孔，11为铝材圆柱，12为铝材底，13为铝材边沿，14为出水孔， 15为定位凹槽。
具体实施方式
22.下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
23.一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，如图3所示，所述半导体设备ald氮化钛装置喷头呈盆状，盆状喷头包括中间的铝材圆柱11，底部的铝材底12和顶部的铝材边沿13，所述铝材底12上开设有多个出水孔14。
24.如图1、2所示，所述旋转打磨治具呈杯状，杯状治具包括治具底面5和治具圆周面1。
25.所述治具底面5上开设有用于安装在旋转台上的4个沉头孔7以及用于排除积水的8个漏水孔4。4个沉头孔位于与治具底面5外圆周同心的第一圆上，所述第一圆的半径为治具底面5外圆周半径的三分之一。8个沉头孔位于与治具底面5外圆周同心的第二圆上。所述第二圆的半径为治具底面5外圆周半径的三分之二。
26.所述治具底面5为第一台阶面，当盆状喷头的铝材底12朝下铝材边沿13朝上放置时，铝材底12底面与第一台阶面贴合放置。
27.所述治具圆周面1中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面6，所述第二台阶面6的外径等于铝材边沿13的外径，第二台阶面6的内径大于铝材圆柱11的外径。当盆状喷头的铝材底12朝上铝材边沿13朝下放置时，铝材边沿13表面与第二台阶面6贴合放置。
28.所述第二台阶面6上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有4个定位凸起3，所述盆状喷头的铝材边沿13外表面与4个定位凸起3一一对应的设置有4个定位凹槽15。治具上设有圆周定位凸起与定位凹槽配合，可以保证将盆状喷头产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。
29.优选的，所述治具圆周面1上对称的开设有2个取放开口槽2。方便作业人员取放喷头产品。
30.工作原理：将待浸泡铝部件半导体设备ald氮化钛装置喷头放入旋转打磨治具内，
将部件四周的定位凹槽与治具上的定位凸起相对应插入，保证部件的放置到位、平稳，将双手从取放槽口拿出然后开始进行打磨作业，此光滑面打磨结束后将部件翻转重新放入治具中开始下一个面的打磨。
31.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，所述半导体设备ald氮化钛装置喷头呈盆状，盆状喷头包括中间的铝材圆柱(11)，底部的铝材底(12)和顶部的铝材边沿(13)，所述铝材底(12)上开设有多个出水孔(14)；其特征在于：所述旋转打磨治具呈杯状，杯状治具包括治具底面(5)和治具圆周面(1)；所述治具底面(5)上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔(7)以及用于排除积水的漏水孔(4)；且所述治具底面(5)为第一台阶面，当盆状喷头的铝材底(12)朝下铝材边沿(13)朝上放置时，铝材底(12)底面与第一台阶面贴合放置；所述治具圆周面(1)中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面(6)，所述第二台阶面(6)的外径等于铝材边沿(13)的外径，第二台阶面(6)的内径大于铝材圆柱(11)的外径；当盆状喷头的铝材底(12)朝上铝材边沿(13)朝下放置时，铝材边沿(13)表面与第二台阶面(6)贴合放置；所述第二台阶面(6)上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有多个定位凸起(3)，所述盆状喷头的铝材边沿(13)外表面与多个定位凸起(3)一一对应的设置有多个定位凹槽(15)。2.根据权利要求1所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述治具圆周面(1)上对称的开设有2个取放开口槽(2)。3.根据权利要求1所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述沉头孔(7)有4个，均匀的设置于治具底面(5)上。4.根据权利要求3所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述4个沉头孔位于与治具底面(5)外圆周同心的第一圆上。5.根据权利要求4所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述第一圆的半径为治具底面(5)外圆周半径的三分之一。6.根据权利要求1所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述漏水孔(4)有8个，均匀的设置于治具底面(5)上。7.根据权利要求6所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述8个沉头孔位于与治具底面(5)外圆周同心的第二圆上。8.根据权利要求7所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述第二圆的半径为治具底面(5)外圆周半径的三分之二。9.根据权利要求1所述的一种半导体设备ald氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述定位凸起(3)有4个，均匀的设置于第二台阶面(6)上方的圆周面内表面上。

技术总结
本实用新型公开了一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，所述旋转打磨治具呈杯状，杯状治具包括治具底面和治具圆周面；所述治具底面上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔以及用于排除积水的漏水孔；且所述治具底面为第一台阶面；所述治具圆周面中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面，所述第二台阶面的外径等于铝材边沿的外径，第二台阶面的内径大于铝材圆柱的外径；所述第二台阶面上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有多个定位凸起，所述盆状喷头的铝材边沿外表面与多个定位凸起一一对应的设置有多个定位凹槽；治具上设有圆周定位凸起与定位凹槽配合，可以保证将盆状喷头产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。滑的现象。滑的现象。


技术研发人员：王云鹏 贺贤汉 周毅 蒋立峰
受保护的技术使用者：上海富乐德智能科技发展有限公司
技术研发日：2020.12.03
技术公布日：2021/9/24