一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构的制作方法

1.本实用新型涉及半导体边缘抛光设备技术领域，具体涉及一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构。


背景技术：

2.硅片边缘抛光的目的是为了去除在硅片边缘残留的腐蚀坑。当硅片边缘变得光滑，硅片边缘的应力也会变得均匀。应力的均匀分布，使硅片更坚固。抛光后的边缘能将颗粒灰尘的吸附降到最低。用化学机械抛光法将硅片边缘的腐蚀坑去除，后面跟着洗净超音波槽让片子上的脏污得以去除。
3.机器运转过程中的各个方面都会有清洁下来的污垢，积水不能及时排走。机器在日常使用过程中发现，定时喷洗清洁过后，积水里污垢过多很难排走，常见生出绿色的菌块，这些积水污垢不及时处理对产品质量，机器稳定度和使用寿命都会影响。


技术实现要素：

4.本实用新型主要解决现有技术中存在稳定性差和使用寿命短的不足，提供了一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其具有结构简单、稳定性好和使用寿命长的特点。解决了积水污垢不及时处理的问题。
5.本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
6.一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，包括研磨排污底板，所述的研磨排污底板下部设有若干研磨排污孔，所述的研磨排污底板侧边设有与研磨排污底板呈一体化焊接的中转排污底板，所述的中转排污底板外侧边、研磨排污底板外侧边均设有侧封板，所述的中转排污底板下部设有若干中转排污孔。
7.作为优选，所述的中转排污底板与研磨排污底板间设有隔板。
8.作为优选，所述的侧封板、隔板均呈三角形结构。
9.作为优选，所述的中转排污底板与研磨排污底板呈“l”状结构。
10.作为优选，所述的研磨排污底板、中转排污底板呈内高外低状结构。
11.作为优选，所述的研磨排污底板、中转排污底板的倾斜角为30度～60度。
12.本实用新型能够达到如下效果：
13.本实用新型提供了一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，与现有技术相比较，具有结构简单、稳定性好和使用寿命长的特点。解决了积水污垢不及时处理的问题。
附图说明
14.图1是本实用新型的结构示意图。
15.图中：侧封板1，研磨排污底板2，隔板3，中转排污底板4，中转排污孔5，研磨排污孔6。
具体实施方式
16.下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
17.实施例：如图1所示，一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，包括研磨排污底板2，研磨排污底板2下部设有1个研磨排污孔6，研磨排污底板2侧边设有与研磨排污底板2呈一体化焊接的中转排污底板4，中转排污底板4与研磨排污底板2呈“l”状结构。研磨排污底板2、中转排污底板4呈内高外低状结构。研磨排污底板2、中转排污底板4的倾斜角为45度。中转排污底板4与研磨排污底板2间设有隔板3。中转排污底板4外侧边、研磨排污底板2外侧边均设有侧封板1，侧封板1、隔板3均呈三角形结构。中转排污底板4下部设有2个中转排污孔5。
18.综上所述，该用于半导体边缘抛光机器排污的结构，具有结构简单、稳定性好和使用寿命长的特点。解决了积水污垢不及时处理的问题。
19.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范实施例的细节，而且在不背离实用新型的基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
20.总之，以上所述仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围之中。


技术特征：
1.一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其特征在于：包括研磨排污底板（2），所述的研磨排污底板（2）下部设有若干研磨排污孔（6），所述的研磨排污底板（2）侧边设有与研磨排污底板（2）呈一体化焊接的中转排污底板（4），所述的中转排污底板（4）外侧边、研磨排污底板（2）外侧边均设有侧封板（1），所述的中转排污底板（4）下部设有若干中转排污孔（5）。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其特征在于：所述的中转排污底板（4）与研磨排污底板（2）间设有隔板（3）。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其特征在于：所述的侧封板（1）、隔板（3）均呈三角形结构。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其特征在于：所述的中转排污底板（4）与研磨排污底板（2）呈“l”状结构。5.根据权利要求1所述的一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其特征在于：所述的研磨排污底板（2）、中转排污底板（4）呈内高外低状结构。6.根据权利要求5所述的一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，其特征在于：所述的研磨排污底板（2）、中转排污底板（4）的倾斜角为30度～60度。

技术总结
本实用新型涉及一种用于半导体边缘抛光机器排污的结构，所属半导体边缘抛光设备技术领域，包括研磨排污底板，所述的研磨排污底板下部设有若干研磨排污孔，所述的研磨排污底板侧边设有与研磨排污底板呈一体化焊接的中转排污底板，所述的中转排污底板外侧边、研磨排污底板外侧边均设有侧封板，所述的中转排污底板下部设有若干中转排污孔。具有结构简单、稳定性好和使用寿命长的特点。解决了积水污垢不及时处理的问题。及时处理的问题。及时处理的问题。


技术研发人员：李炎
受保护的技术使用者：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/9/28