本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种腐蚀锗片的方法。
背景技术：
置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这一显现是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。根据霍尔效应，人们用半导体材料如锗片、硅片等制成霍尔元件，霍尔元件具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。利用霍尔元件可以测量磁场，可以研究半导体中载流子的类别和特性等，也可以利用它制作传感器，用于磁读出头、隔离器，转速仪等。
对于锗片制备的霍尔元件，在进行霍尔检测之前，需要对锗片进行腐蚀光亮，现有的碱腐蚀速率慢，受温度影响较大，反应随时间先增后减，得到的锗片粗糙度大、光洁度小，表面易发白；如吕菲(中国电子科技集团公司第四十六研究所，2007)公布了两种碱性腐蚀，氢氧化钾和过氧化氢，氢氧化铵和过氧化氢腐蚀液。而现有的酸腐蚀的腐蚀速度过快，较激烈，不易控制，去除量不稳定，表面易发黑。
技术实现要素：
基于此，本发明的目的在于提供一种腐蚀锗片的方法，本发明中的方法为一种速率可控的酸腐蚀方法，且腐蚀后的锗片光洁度高，粗糙度小。
本发明提供一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：
a)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；
所述腐蚀液为体积比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；
b)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；
c)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。
优选的，所述腐蚀液中硝酸和氢氟酸的质量比为(3～4)：1。
优选的，所述步骤b)中，在冒出红烟1～2min后加入纯水(混合液：纯水＝20：1)。
优选的，所述步骤c)中，加入的纯水与所述腐蚀液的体积比为1：(3-5)。
优选的，所述锗片在腐蚀之前使用沾有酒精的无尘布擦拭干净。
本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：a)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；所述腐蚀液为体积比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；b)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；c)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。本发明的关键点在于，在腐蚀液开始冒红烟的时候缓慢加入纯水，使反应前期锗片可快速反应，并防止反应后期温度过高、反应过于激烈而导致的锗片表面发黑。本发明中的方法在保证腐蚀效率(腐蚀时间2～3min)的同时，解决了现有酸腐蚀中反应速率难以控制，锗片表面易发黑的技术问题。
具体实施方式
本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：
a)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；
所述腐蚀液为体积比(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；
b)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；
c)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。
锗片的前处理
用沾有酒精的无尘布将锗片擦拭干净。
测量
用千分尺测量锗片的厚度，并将厚度差在±0.025mm内的锗片放入同一卡槽内。
优选的，所述卡槽可放置15～20片锗片。
配制腐蚀液
腐蚀液为酸性腐蚀液，使用硝酸和氢氟酸配制得到，所述硝酸和氢氟酸的体积比优选为(2～5)：1，更优选为(3～4)：1，最优选为3：1。
腐蚀
将配制好的腐蚀液适量倒入反应槽中，将放有锗片的卡槽放入反应槽中，开始腐蚀，待反应槽开始冒红烟，缓慢往里面加纯水，待红烟变黄烟，停止加水，然后再反应1～2min。
使用本发明中的腐蚀液对锗片进行腐蚀，待冒红烟之后，说明反应温度开始快速升高，反应开始变得激烈，此时需要缓慢加入纯水，可以稀释腐蚀液且降低反应温度，从而可以达到控制反应速率的目的。
在本发明中，所述纯水与所述腐蚀液的体积之比优选为1：(15～25)，更优选为1：20；所述纯水的温度优选为15～20℃，更优选为16～18℃。
清洗
腐蚀完毕之后，先往反应槽加入纯水稀释腐蚀液防止拿出后被氧化，再取出卡槽，清洗锗片并吹干。
在本发明中，所述纯水与所述腐蚀液的体积之比优选为1：(3-5)，更优选为1：4。
制片
吹干后的锗片制取霍尔检测样片。
在本发明中，由锗片制取霍尔检测样片的方法为本领域的常规方法，本发明在此不再赘述。
本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：a)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；所述腐蚀液为质量比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；b)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；c)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。
与现有技术相比，本发明中的方法具有以下优点：
1、腐蚀制片光洁度高且粗糙度小，腐蚀时间较短(2～3min)，操作简单；
2、在腐蚀过程中加纯水，使反应前期锗片可快速反应，且防止反应后期温度过高反应过于激烈而导致锗片表面发黑；
3、在反应完成时加入纯水稀释腐蚀液，防止取出卡槽时锗片表面腐蚀液浓度过高与空气接触被氧化发白；
4、使用卡槽可批量腐蚀(一次15-20片)，较单片腐耗时少、耗酸少、简便经济。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种腐蚀锗片的方法进行详细描述，但不能将其理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
用沾有酒精的无尘布将锗片擦拭干净；
用千分尺测量锗片的厚度，并将厚度差在±0.025mm内的锗片放入同一卡槽内；
配制腐蚀液：硝酸：氢氟酸＝3：1；
将配制好的400ml腐蚀液适量倒入反应槽中，将放有锗片的卡槽放入反应槽中，待反应槽开始冒红烟，缓慢往里面加20ml纯水，待红烟变黄烟即可，然后再反应一分钟。
反应完成后，先往反应槽加入100ml纯水稀释腐蚀液防止拿出后被氧化，再取出卡槽进行清洗，吹干；
制取霍尔检测样片。
锗片银色光亮，粗糙度为0.015μm。
对比例1
按照实施例1中的方法腐蚀锗片，不同的是，在腐蚀液冒红烟之后缓慢加入10ml的纯水。
制取的霍尔检测样片表面发黑。
对比例2
按照实施例1中的方法腐蚀锗片，不同的是，在腐蚀液冒红烟之后缓慢加入30ml的纯水，此时，反应过于缓慢难以进行。
对比例3
按照实施例1中的方法腐蚀锗片，不同的是，在在反应完成之后加入90ml的纯水，此时，锗片从反应液中拿出后会迅速被氧化使表面发白。
对比例4
按照实施例1中的方法腐蚀锗片，不同的是，腐蚀液为双氧水和氢氟酸以体积比为3:1的比例的混酸。
制取的霍尔检测样片腐蚀效果不明显。
对比例5
按照实施例1中的方法腐蚀锗片，不同的是，腐蚀液为双氧水和盐酸以体积比为3:1的比例的混酸。
制取的霍尔检测样片腐蚀效果不明显。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。