技术特征：
1.一种晶圆恒温研磨系统，其特征在于，包括晶圆研磨装置、温度监控单元和温度控制单元；所述温度监控单元用于实时测量晶圆研磨装置的温度，当所述晶圆研磨装置的温度超过预设温度后，向所述温度控制单元发送降温指令；所述温度控制单元接收到所述降温指令后，启动降温装置使所述晶圆研磨装置降温。2.如权利要求1所述的晶圆恒温研磨系统，其特征在于，所述晶圆研磨装置包括：研磨平台，所述研磨平台包括研磨盘和设置在研磨盘上的研磨垫；所述温度监控单元用于实时测量研磨垫的温度；晶圆承载头，用于承载晶圆。3.如权利要求2所述的晶圆恒温研磨系统，其特征在于，所述温度控制单元包括热管，设置在所述晶圆研磨装置的研磨盘中。4.如权利要求3所述的晶圆恒温研磨系统，其特征在于，所述研磨盘的直径为30英尺，所述热管的数量和尺寸分别为：1根第一热管长度30英尺，设置在研磨盘中心位置；2根第二热管长度25.4英尺，分布在第一热管两边；所述第二热管的端部与所述研磨盘边缘对齐；2根第三热管长度10.77英尺，分布在第二热管两边，所述第三热管的端部与所述研磨盘边缘对齐。5.如权利要求1所述的晶圆恒温研磨系统，其特征在于，当研磨去除的材质为非金属是，预设温度为30摄氏度。6.如权利要求1所述的晶圆恒温研磨系统，其特征在于，当研磨去除的材质为金属时，预设温度为40
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50摄氏度。7.如权利要求2所述的晶圆恒温研磨系统，其特征在于，所述晶圆研磨装置包括：研磨液喷射装置，用于喷出研磨液；刷洗装置，用于刷洗所述研磨平台。8.一种使用如权利要求1
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7中之一所述的晶圆恒温研磨系统的晶圆恒温控制方法，其特征在于，包括：步骤s1，温度测量；温度监控单元实时测量晶圆研磨装置的温度，当所述晶圆研磨装置的温度超过预设温度后，向温度控制单元发送降温指令；步骤s2，发送降温指令；温度控制单元接收到所述降温指令后，启动降温装置使所述晶圆研磨装置降温。9.一种计算机可读存储介质，其用于存储指令，其特征在于，所述指令在被执行时实现如权利要求8所述的晶圆恒温控制方法。
技术总结
本发明公开了一种晶圆恒温研磨系统，包括晶圆研磨装置、温度监控单元和温度控制单元；所述温度监控单元用于实时测量晶圆研磨装置的温度，当所述晶圆研磨装置的温度超过预设温度后，向所述温度控制单元发送降温指令；所述温度控制单元接收到所述降温指令后，启动降温装置使所述晶圆研磨装置降温。本发明提供一种控制简单，成本较低的晶圆恒温研磨系统，实现研磨温度稳定，从而提高研磨速度和研磨平整度。度。度。
技术研发人员：于明非 龚昌鸿 陈建勋
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2021/12/3