一种胶带表面的镀膜方法与流程

本发明涉及镀膜，尤其涉及一种胶带表面的镀膜方法。

背景技术：

1、在半导体制造领域中，防静电胶带是一种非常重要的辅助材料。由于在加工过程中半导体表面常常带有电荷，这种电荷的释放往往会击穿电子元器件，传统的方法通常是在防静电胶带的内部加入静电保护导线，或者铺上导电层，然而，这种方法的导电作用有限，同时，由于胶带本身越来越薄，其内部空间往往不够再加入更多的导线，或者铺设导电层，因此，迫切需要有一种新的办法可以解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种胶带表面的镀膜方法，通过在胶带基体的表面镀膜形成防静电胶带，其具有优良的导电性能优良，并且无需对胶带的内部进行改造。

2、为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种胶带表面的镀膜方法，包括：

3、将待镀膜的胶带基体放置在真空室内，并向真空室内通入预设的碳氢气体，使真空度达到3.5*10-4pa；

4、向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层。

5、进一步地，所述碳氢气体至少为ch4、c2h2、c6h6、c4h10中的任意一种。

6、进一步地，所述dlc层的沉积时间为35min～40min，所述dlc层的厚度为1nm～50nm。

7、进一步地，在所述向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层之前，所述方法还包括：

8、通过电压为1500v～2000v、电流为0.2a的电源开启等离子枪；

9、使用所述等离子枪轰击si靶，在所述胶带基体的表面沉积si层；

10、则，所述向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层，具体为：

11、向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述si层的表面沉积dlc层。

12、进一步地，所述si层的沉积时间为15min～20min，所述si层的厚度为1nm～30nm。

13、进一步地，在所述向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层之后，所述方法还包括：

14、利用预设的金属材料在所述dlc层的表面沉积金属层。

15、进一步地，所述金属材料至少为al、ni、cu中的任意一种。

16、进一步地，所述金属层的厚度为1nm～20nm。

17、与现有技术相比，本发明实施例提供了一种胶带表面的镀膜方法，将待镀膜的胶带基体放置在真空室内，并向真空室内通入预设的碳氢气体，使真空度达到3.5*10-4pa；向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层；通过在胶带基体的表面镀膜形成防静电胶带，其具有优良的导电性能优良，并且无需对胶带的内部进行改造。

技术特征：

1.一种胶带表面的镀膜方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，所述碳氢气体至少为ch4、c2h2、c6h6、c4h10中的任意一种。

3.如权利要求1所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，所述dlc层的沉积时间为35min～40min，所述dlc层的厚度为1nm～50nm。

4.如权利要求1所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，在所述向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层之前，所述方法还包括：

5.如权利要求4所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，所述si层的沉积时间为15min～20min，所述si层的厚度为1nm～30nm。

6.如权利要求1～5任一项所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，在所述向所述胶带基体的表面施加频率为100khz、大小为-90v～-100v的电压，在所述胶带基体的表面沉积dlc层之后，所述方法还包括：

7.如权利要求6所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，所述金属材料至少为al、ni、cu中的任意一种。

8.如权利要求6所述的胶带表面的镀膜方法，其特征在于，所述金属层的厚度为1nm～20nm。

技术总结
本发明公开了一种胶带表面的镀膜方法，包括：将待镀膜的胶带基体放置在真空室内，并向真空室内通入预设的碳氢气体，使真空度达到3.5*10<supgt;‑4</supgt;Pa；向所述胶带基体的表面施加频率为100kHz、大小为‑90V～‑100V的电压，在所述胶带基体的表面沉积DLC层。采用本发明的技术方案能够通过在胶带基体的表面镀膜形成防静电胶带，其具有优良的导电性能优良，并且无需对胶带的内部进行改造。

技术研发人员：李荣军
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12