一种用于控制硅片研磨装置的变形的系统的制作方法

1.本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于控制硅片研磨装置的变形的系统。


背景技术：

2.研磨工艺是指通过使用研磨轮对硅片的表面进行研磨并产生具有高度平整表面的硅片。在研磨期间，研磨轮由保持装置保持，并且还需要对研磨轮和硅片提供研磨水，以减少对硅片的不必要损伤。然而，随着设备连续加工及研磨水的持续供应，研磨室温度会不断发生变化，导致金属磨床发生一定的形变，由于研磨轮通过保持装置固定在磨床上，磨床发生形变会导致研磨轮的研磨位置随之发生变化，最终导致加工硅片精度恶化。
3.参照图1，图1示出了现有技术的硅片研磨装置pd，其中，常温下的硅片研磨装置由实线描绘，因受高温影响而发生膨胀变形或因受到低温影响而发生收缩变形的硅片研磨装置由虚线描绘，从图1中可以看出，硅片研磨装置的变形将导致硅片s相对于研磨轮p的位置发生变化，也就是说将导致研磨位置发生变化，这将影响对硅片的研磨精度。因此，在研磨过程中，实时对金属磨床的形变进行管控，确保将研磨轮持续稳定地保持在最佳研磨位置，对提升研磨精度非常重要。
4.综上所述，如何通过监测和控制磨床在研磨过程中的变形来提高对硅片的研磨精度是本领域亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.为解决上述技术问题，本实用新型实施例期望提供一种用于控制硅片研磨装置的变形的系统。
6.本实用新型的技术方案是这样实现的：
7.本实用新型实施例提供了一种用于控制硅片研磨装置的变形的系统，所述系统包括：
8.独立于硅片研磨装置设置的光源；
9.反射镜，所述反射镜设置在所述硅片研磨装置上，使得当所述硅片研磨装置产生变形时所述光源发射的照射至所述反射镜的入射光束的入射角发生变化；
10.独立于所述硅片研磨装置设置的光屏，所述入射光束被所述反射镜反射后形成的出射光束在所述光屏上形成光斑；
11.控制器，所述控制器对所述硅片研磨装置的变形进行控制使得所述光斑在所述光屏上的设定范围内。
12.在根据本实用新型实施例提供的用于控制硅片研磨装置的变形的系统中，独立于硅片研磨装置的光源向设置在硅片研磨装置上的反射镜发射光束，如果硅片研磨装置存在变形，则被反射镜反射在光屏上的光斑的位置将发生变化，当光斑超出光屏上的设定范围，控制器对硅片研磨装置的变形进行控制，直至硅片研磨装置恢复形状使得光斑位置重新落
在设定范围内。通过控制器对硅片研磨装置变形的控制，对硅片的研磨将在预设位置上进行，从而避免了因硅片研磨装置变形导致对硅片研磨的位置的不期望变化，进而确保了对硅片的研磨精度。
附图说明
13.图1为现有技术的硅片研磨装置的示意图，其中示出了硅片研磨装置因受温度影响发生的变形；
14.图2为根据本实用新型实施例的用于控制硅片研磨装置的变形的系统的示意图；
15.图3为根据本实用新型的另一实施例的用于控制硅片研磨装置的变形的系统的示意图。
具体实施方式
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
17.参见图2，本实用新型实施例提供了一种用于控制硅片研磨装置pd的变形的系统1，所述系统1包括：
18.独立于硅片研磨装置pd设置的光源10；
19.反射镜20，所述反射镜20设置在所述硅片研磨装置pd上，使得当所述硅片研磨装置pd产生变形时所述光源10发射的照射至所述反射镜的入射光束il的入射角α发生变化；
20.独立于所述硅片研磨装置pd设置的光屏30，所述入射光束il被所述反射镜20反射后形成的出射光束ol在所述光屏30上形成光斑；
21.控制器40，所述控制器40对所述硅片研磨装置pd的变形进行控制使得所述光斑在所述光屏30上的设定范围内。
22.根据本实用新型实施例提供的用于控制硅片研磨装置的变形的系统中，独立于硅片研磨装置pd的光源10向设置在硅片研磨装置pd上的反射镜20发射光束，如果硅片研磨装置pd存在变形，那么被反射镜20反射在光屏30上的光斑位置将发生变化，当光斑超出光屏30上的设定范围，控制器40对硅片研磨装置pd的变形进行控制，直至硅片研磨装置pd恢复形状使得光斑位置重新落在设定范围内。通过控制器对硅片研磨装置pd变形的控制，对硅片的研磨将在预设位置上进行，避免了因硅片研磨装置变形导致对硅片研磨的位置的不期望变化，从而确保了对硅片的研磨精度。
23.为了实现对硅片研磨装置的变形的精确控制，优选地，所述控制器设置成能够根据所述光斑在所述光屏的位置上的变化计算出所述硅片研磨装置的变形量，并且根据所述变形量执行对所述硅片研磨装置的变形的控制。
24.根据本实用新型的优选实施例，参见图2，所述硅片研磨装置pd包括在研磨过程中向所述硅片提供研磨水的供给源ws，所述控制器40设置成能够控制所述供给源ws以将所述研磨水用作冷水向所述硅片研磨装置pd提供，从而控制所述硅片研磨装置因pd受热产生的
变形。
25.如在“背景技术”部分所提及的，硅片研磨装置的变形是温度变化所导致的，当受热时，硅片研磨装置可能因受热膨胀而发生变形，在硅片研磨装置自身具备研磨水供给源的情况下，控制器可以控制供给源，以将研磨水用作冷水来直接对硅片研磨装置进行降温，从而以经济的手段实现对研磨装置的变形的控制。
26.根据本实用新型的另一优选实施例，控制器自身包括对硅片研磨装置进行温度控制的装置，具体而言，参见图1，所述控制器40包括用于对所述硅片研磨装置pd进行加热或冷却以对所述硅片研磨装置pd的变形进行控制的调温装置401。
27.关于调温装置401的温度控制手段，优选地，参见图2，所述调温装置401包括用于向所述硅片研磨装置pd供给冷水或热水的管路402。
28.控制器40可以根据硅片研磨装置pd的变形情况通过管路402向所述硅片研磨装置pd供给冷水或热水，由此降低或升高硅片研磨装置pd的温度，从而控制硅片研磨装置pd的变形。
29.根据本实用新型的优选实施例，所述光源10是激光发射器，并且所述光屏30为激光接收器。
30.为了简化结构、减少部件的数量从而降低成本，优选地，所述硅片研磨装置pd的一部分被加工成镜面以形成所述反射镜20，也就是说，不需要单独设置反射镜20，而是利用硅片研磨装置pd的一部分直接作为反射镜20。
31.根据本实用新型的优选实施例，参见图1和图3，所述硅片研磨装置pd包括：
32.底座de；
33.用于支撑研磨盘pl的支撑杆hr，所述支撑杆hr在第一端部处ed1连接至所述底座de的连接平面cs，所述研磨盘pl支撑在所述支撑杆hr的第二端部ed 2处，
34.其中，所述变形为所述连接平面cs产生鼓起或凹陷使得所述支撑杆hr产生绕所述第一端部ed1的偏转，
35.其中，所述反射镜20设置在所述支撑杆hr上。
36.根据本实用新型优选实施例，如图3所示，所述反射镜20设置在与所述第二端部ed2相邻的位置处。
37.根据本实用新型优选实施例，如图3所示，所述研磨盘pl、与所述研磨盘pl相关联的所述支撑杆hr、与所述支撑杆hr相关联的所述反射镜20的数量为两个。
38.以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。