基板处理系统的制作方法

本公开内容的实施方式一般涉及一种系统，并且更具体而言，涉及一种基板处理系统。

背景技术：

1、传统的群集工具被构造为用以在基板处理期间执行一种或多种工艺。例如，一种群集工具可以包括用于在基板上执行物理气相沉积(pvd)工艺的物理气相沉积(pvd)腔室、用于在基板上执行原子层沉积(ald)工艺的原子层沉积(ald)腔室、用于在基板上执行化学气相沉积(cvd)工艺的化学气相沉积(cvd)腔室、和/或一个或多个其他处理腔室。

2、群集工具的各种腔室包括基板处理系统。这些基板处理系统被构造为用以在基板处理(诸如材料沉积、高温退火、及类似工艺)期间使用静电吸盘(electrostatic chuck)来支撑基板。这些工艺可以将静电吸盘及基板的温度提高到高水平。因此，期望在前述的工艺之后冷却基板及静电吸盘。

3、本领域中的一个缺点是，冷却系统不能总是与在处理腔室中的不同高度处设置的静电吸盘一起使用。此外，本领域中使用的冷却系统未被设计为一起使用，从而限制了由单一冷却系统使用的冷却速率。

4、由此，需要一种被构造为用以与可拆卸的静电吸盘一起使用的冷却系统。

技术实现思路

1、本公开内容的实施方式一般涉及基板处理系统。本文公开的基板处理系统包括被构造为用以冷却可拆卸的静电吸盘的冷却系统。

2、在一个实施方式中，提供了一种基板处理系统。这种基板处理系统包括板支撑元件、基座轴件(pedestal shaft)、主体及冷却系统。基座轴件耦接到板支撑元件。主体设置在板支撑元件之上。冷却系统被构造为用以降低或控制主体的温度。冷却系统包括冷却板。冷却板设置在板支撑元件与主体之间。

3、在另一实施方式中，提供了一种基板处理系统，这种基板处理系统包括板支撑元件、基座轴件、主体及冷却系统。基座轴件耦接到板支撑元件。主体设置在板支撑元件之上。主体具有面向板支撑元件的背侧。冷却系统被构造为用以降低或控制主体的温度。冷却系统包括气体冷却系统。气体冷却系统被构造为用以使气体在主体的背侧上流动。

4、在又一实施方式中，提供了一种基板处理系统。这种基板处理系统包括板支撑元件、基座轴件、主体及冷却系统。基座轴件耦接到板支撑元件。主体设置在板支撑元件之上。冷却系统被构造为用以降低或控制主体的温度。冷却系统包括喷头、盖、和一个或多个密封构件。喷头包括加压气体入口。一个或多个密封构件被构造为用以在喷头与盖之间形成密封，使得在喷头与主体之间形成高压区域。

技术特征：

1.一种基板处理系统，包含：

2.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包含：

3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述一个或多个主电气触点被构造为是从一个或多个副电气触点可拆卸的。

4.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述冷却系统进一步包含：

5.如权利要求4所述的基板处理系统，其中所述流体包含水。

6.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述冷却系统进一步包含：

7.如权利要求6所述的基板处理系统，其中所述气体包含氩气(ar)及氦气(he)。

8.一种基板处理系统，包含：

9.如权利要求8所述的基板处理系统，进一步包含耦接到所述主体的一个或多个主电气触点。

10.如权利要求9所述的基板处理系统，其中所述一个或多个主电气触点是从一个或多个副电气触点可拆卸的。

11.如权利要求9所述的基板处理系统，其中所述气体冷却系统包含：

12.如权利要求11所述的基板处理系统，其中在所述多个喷嘴的至少一个所述喷嘴与所述主体的所述背侧之间的角度小于约75°。

13.如权利要求9所述的基板处理系统，其中所述气体冷却系统包含：

14.如权利要求13所述的基板处理系统，其中所述气体包含氩气(ar)及氦气(he)。

15.一种基板处理系统，包含：

16.如权利要求15所述的基板处理系统，其中所述一个或多个密封构件包含压缩密封件、双球密封件、o形环、或它们的组合。

17.如权利要求15所述的基板处理系统，其中所述一个或多个密封构件包含粘合弹性体。

18.如权利要求15所述的基板处理系统，进一步包含：

19.如权利要求18所述的基板处理系统，其中所述加压气体包含氦气(he)或氩气(ar)。

20.如权利要求15所述的基板处理系统，进一步包含被构造为用以降低或控制所述主体的所述温度的副冷却系统，所述冷却系统包含：

技术总结
本文公开的实施方式一般涉及一种系统，并且更具体而言，涉及一种基板处理系统。该基板处理系统包括一个或多个冷却系统。所述冷却系统被构造为用以降低和/或控制基板处理系统的主体的温度。所述冷却系统包括用于使用气体和/或液体冷却系统冷却基板处理系统中设置的主体的特征。本文公开的冷却系统能够用在主体设置在任何高度的时候。

技术研发人员：纳加布沙纳·南军达帕,克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚,斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉,托马斯·布里泽哲科,巴斯卡尔·普拉萨德
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12