具有多重雾度的纹理玻璃基制品及其生产方法与流程

本说明书总体上涉及纹理玻璃基制品。更具体而言，纹理玻璃基制品具有多重雾度。

背景技术：

1、诸如智能电话、平板计算机及穿戴式装置(诸如例如手表及健身追踪器)的携带型电子装置继续变得更小且更复杂。因此，传统上在这种携带型电子装置的至少一个外表面上使用的材料也继续变得更复杂。例如，随着携带型电子装置变得愈来愈小及愈来愈薄以满足消费者的需求，这些携带型电子装置中使用的显示器盖及外壳提供多种功能且覆盖多个组件，诸如显示器、照相机及传感器，它们各自可能需要不同的表面性质才能获得最佳功能性。

2、因此，需要不同区域具有不同表面性质的材料及用于制造这种材料的方法。

技术实现思路

1、根据方面(1)，提供一种方法。方法包括：对玻璃基基板的表面进行纹理化，以产生具有第一厚度t1、第一表面粗糙度ra1及第一雾度h1的纹理玻璃基基板；以及抛光纹理玻璃基基板的表面的区域以产生玻璃基制品，该玻璃基制品具有表面，该表面包括具有第二厚度t2、第二表面粗糙度ra2及第二雾度h2的抛光区域，其中ra1＞ra2，h1＞h2，t1＞t2，且玻璃基制品包括具有t1、ra1及h1的区域。

2、根据方面(2)，提供方面(1)的方法，其中纹理化自玻璃基基板的表面移除大于或等于5μm且小于或等于50μm。

3、根据方面(3)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中纹理化包括用蚀刻剂蚀刻玻璃基基板的表面。

4、根据方面(4)，提供方面(3)的方法，其中蚀刻剂包括碱金属氢氧化物。

5、根据方面(5)，提供方面(3)的方法，其中蚀刻剂包括氢氟酸。

6、根据方面(6)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中纹理化包括机械打磨玻璃基基板的表面。

7、根据方面(7)，提供方面(6)的方法，其中机械打磨采用包括颗粒的浆料，该颗粒具有大于或等于5μm且小于或等于22μm的粒度，其中颗粒包括al2o3和ceo2中的至少一者。

8、根据方面(8)，提供方面(6)的方法，其中机械打磨采用包括金刚石颗粒的垫，金刚石颗粒具有大于或等于9μm且小于或等于20μm的粒度。

9、根据方面(9)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中抛光采用氧化铈浸渍的抛光工具。

10、根据方面(10)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中抛光包括控制由抛光工具施加至玻璃基基板的压力。

11、根据方面(11)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中t1-t2≤2μm。

12、根据方面(12)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中ra1大于或等于300nm。

13、根据方面(13)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中h1大于或等于30％且小于或等于100％。

14、根据方面(14)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中ra2大于或等于0.2nm且小于或等于10nm。

15、根据方面(15)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中h2小于或等于0.2％。

16、根据方面(16)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，进一步包括：抛光纹理玻璃基基板的表面的额外区域以产生包括额外区域的玻璃基制品，该额外区域具有第三厚度t3、第三表面粗糙度ra3及第三雾度h3，其中ra1＞ra3＞ra2，h1＞h3＞h2，且t1＞t3＞t2。

17、根据方面(17)，提供方面(16)的方法，其中ra3大于或等于10nm且小于或等于300nm。

18、根据方面(18)，提供方面(16)至前一方面中任一项的方法，其中h3大于或等于3％且小于或等于30％。

19、根据方面(19)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，进一步包括使玻璃基制品与熔融盐浴接触以产生经离子交换的玻璃基制品，其中经离子交换的玻璃基制品包括大于或等于200mpa的压缩应力及大于或等于10μm的压缩深度。

20、根据方面(20)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中自具有厚度t1的区域至具有厚度t2的区域的过渡包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。

21、根据方面(21)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中该方法不利用掩模。

22、根据方面(22)，提供一种玻璃基制品。该玻璃基制品包括：第一表面区域，其具有第一厚度t1、第一表面粗糙度ra1及第一雾度h1；以及第二表面区域，其具有第二厚度t2、第二表面粗糙度ra2及第二雾度h2，其中ra1＞ra2，h1＞h2，且t1＞t2。

23、根据方面(23)，提供方面(22)的玻璃基制品，其中0.5μm≤t1-t2≤5mm。

24、根据方面(24)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中t1-t2≤2μm。

25、根据方面(25)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中ra1大于或等于300nm。

26、根据方面(26)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中h1大于或等于30％且小于或等于100％。

27、根据方面(27)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中ra2大于或等于0.2nm且小于或等于10nm。

28、根据方面(28)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中h2小于或等于0.2％。

29、根据方面(29)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中自第一表面区域至第二表面区域的过渡包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。

30、根据方面(30)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，进一步包括：第三表面区域，其具有第三厚度t3、第三表面粗糙度ra3及第三雾度h3，其中ra1＞ra3＞ra2，h1＞h3＞h2,，且t1＞t3＞t2。

31、根据方面(31)，提供方面(30)的玻璃基制品，其中ra3大于或等于10nm且小于或等于300nm。

32、根据方面(32)，提供方面(30)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中h3大于或等于3％且小于或等于30％。

33、根据方面(33)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中第二表面区域具有大于或等于1mm且小于或等于20mm的直径。

34、根据方面(34)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中玻璃基制品包括过渡区域，该过渡区域的特征在于具有厚度t1的区域至具有厚度t2的第二表面区域之间的过渡。

35、根据方面(35)，提供方面(34)的玻璃基制品，其中过渡区域具有大于或等于0.1mm且小于或等于8mm的宽度。

36、根据方面(36)，提供方面(34)的玻璃基制品，其中过渡区域包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。

37、根据方面(37)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中第二表面区域包括平坦区域，该平坦区域具有大于或等于0.1mm且小于或等于19.8mm的直径。

38、根据方面(38)，提供方面(37)的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0.2nm且小于或等于600nm的峰谷值。

39、根据方面(39)，提供方面(37)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0.2nm且小于或等于20nm的第二表面粗糙度ra2。

40、根据方面(40)，提供方面(37)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0.0001％且小于或等于0.2％的第二雾度h2。

41、根据方面(41)，提供方面(37)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0％且小于或等于0.1％的调变传递函数退化(modulation transferfunction degradation)。

42、根据方面(42)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，进一步包括大于或等于200mpa的压缩应力及大于或等于10μm的压缩深度。

43、根据方面(43)，提供一种消费电子产品。该消费电子产品包括：外壳，其具有前表面、后表面及侧表面；电学部件，其至少部分地设置在外壳内，电学部件至少包含控制器、内存及显示器，显示器设置在外壳的前表面处或附近；以及覆盖基板，其安置在显示器上方，其中外壳及覆盖基板中的至少一者的至少一部分包括方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品。

44、根据方面(44)，提供一种方法。该方法包括：用旋转抛光工具抛光玻璃基基板的表面的区域以产生具有包括抛光区域的表面的玻璃基制品，其中：将由旋转抛光工具施加至玻璃基基板的压力控制在大于或等于1psi且小于或等于15psi的范围内，旋转抛光工具包括嵌入在黏结剂中的磨料组分，玻璃基基板具有第一厚度t1，玻璃基制品的抛光区域具有第二厚度t2，玻璃基制品包括具有厚度t1的区域，且t1＞t2。

45、根据方面(45)，提供方面(44)的方法，其中玻璃基基板具有纹理表面，该纹理表面具有第一表面粗糙度ra1及第一雾度h1；抛光区具有第二表面粗糙度ra2及第二雾度h2；ra1＞ra2；且h1＞h2。

46、根据方面(46)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具以大于或等于500rpm且小于或等于60,000rpm的旋转速度操作。

47、根据方面(47)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具以大于或等于500rpm且小于或等于35,000rpm的旋转速度操作。

48、根据方面(48)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具以大于或等于500rpm且小于或等于20,000rpm的旋转速度操作。

49、根据方面(49)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具以大于或等于500rpm且小于或等于4,000rpm的旋转速度操作。

50、根据方面(50)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具的旋转轴与玻璃基基板的表面正交。

51、根据方面(51)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具具有小于或等于抛光区域的直径的一半的直径。

52、根据方面(52)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具具有大于或等于0.1mm且小于或等于8mm的直径。

53、根据方面(53)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具包括抛光表面上的凹口(notch)。

54、根据方面(54)，提供方面(53)的方法，其中凹口具有等于旋转抛光工具的直径的长度。

55、根据方面(55)，提供方面(53)至前一方面中任一项的方法，其中凹口具有大于或等于0.1mm且小于或等于4mm的宽度。

56、根据方面(56)，提供方面(53)至前一方面中任一项的方法，其中凹口具有大于或等于0.001mm且小于或等于5mm的深度。

57、根据方面(57)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具包括磨料组分和黏结剂，其中磨料组分嵌入黏结剂中。

58、根据方面(58)，提供方面(57)的方法，其中磨料组分包括二氧化硅、氧化铈、氧化锰、氧化铝、氧化锌、氧化镁、氧化铁、碳化硅、金刚石、氧化锆或氮化硅。

59、根据方面(59)，提供方面(57)至前一方面中任一项的方法，其中磨料组分包括ceo2。

60、根据方面(60)，提供方面(57)至前一方面中任一项的方法，其中磨料组分具有大于或等于1μm且小于或等于3μm的d50粒度。

61、根据方面(61)，提供方面(57)至前一方面中任一项的方法，其中黏结剂包括聚合物。

62、根据方面(62)，提供方面(57)至前一方面中任一项的方法，其中黏结剂包括聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯或多酚。

63、根据方面(63)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中将由旋转抛光工具施加至玻璃基基板的压力控制在大于或等于1psi且小于或等于4psi的范围内。

64、根据方面(64)，提供方面(44)至方面(62)中任一项的方法，其中将由旋转抛光工具施加至玻璃基基板的压力控制在大于或等于2psi且小于或等于5psi的范围内。

65、根据方面(65)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具以大于或等于500mm/min且小于或等于2000mm/min的进给速率移动。

66、根据方面(66)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中0.5μm≤t1-t2≤5mm。

67、根据方面(67)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中0.5μm≤t1-t2≤50μm。

68、根据方面(68)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中1μm≤t1-t2≤50μm。

69、根据方面(69)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中5μm≤t1-t2≤50μm。

70、根据方面(70)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中抛光区域具有大于或等于1mm且小于或等于20mm的直径。

71、根据方面(71)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中玻璃基制品包括过渡区域，该过渡区域的特征在于具有厚度t1的区域至具有厚度t2的抛光区域之间的过渡。

72、根据方面(72)，提供方面(71)的方法，其中过渡区域具有大于或等于0.1mm且小于或等于8mm的宽度。

73、根据方面(73)，提供方面(71)至前一方面中任一项的方法，其中过渡区域包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。

74、根据方面(74)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中抛光区域包括平坦区域，该平坦区域具有大于或等于0.1mm且小于或等于19.8mm的直径。

75、根据方面(75)，提供方面(74)的方法，其中平坦区域具有大于或等于0.2nm且小于或等于600nm的峰谷值。

76、根据方面(76)，提供方面(74)至前一方面中任一项的方法，其中平坦区域具有大于或等于0.2nm且小于或等于20nm的第二表面粗糙度ra2。

77、根据方面(77)，提供方面(74)至前一方面中任一项的方法，其中平坦区域具有大于或等于0.0001％且小于或等于0.2％的第二雾度h2。

78、根据方面(78)，提供方面(74)至前一方面中任一项的方法，其中平坦区域具有大于或等于0％且小于或等于0.1％的调变传递函数退化。

79、根据方面(79)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中抛光利用水或水基冷却剂。

80、根据方面(80)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，进一步包括在抛光之前用碳化硅碟(disk)修整旋转抛光工具。

81、根据方面(81)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中抛光包括以螺旋图案在玻璃基基板的表面上移动旋转抛光工具。

82、根据方面(82)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中抛光包括以余摆线图案在玻璃基基板的表面上移动旋转抛光工具。

83、根据方面(83)，提供方面(44)至方面(80)中任一项的方法，其中在抛光期间以z字形图案移动旋转抛光工具。

84、根据方面(84)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，其中旋转抛光工具以具有步距大小(step over size)的图案移动，该步距大小大于或等于旋转抛光工具的直径的2％且小于或等于旋转抛光工具的直径的6％。

85、根据方面(85)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，进一步包括在抛光之前对玻璃基基板的表面进行纹理化，其中纹理化产生第一表面粗糙度ra1及第一雾度h1。

86、根据方面(86)，提供方面(85)的方法，其中ra1大于或等于300nm。

87、根据方面(87)，提供方面(85)至前一方面中任一项的方法，其中h1大于或等于30％且小于或等于100％。

88、根据方面(88)，提供方面(85)至前一方面中任一项的方法，其中纹理化自玻璃基基板的表面移除大于或等于5μm且小于或等于50μm。

89、根据方面(89)，提供方面(85)至前一方面中任一项的方法，其中纹理化包括用蚀刻剂蚀刻玻璃基基板的表面。

90、根据方面(90)，提供方面(44)至前一方面中任一项的方法，进一步包括使玻璃基制品与熔融盐浴接触以产生经离子交换的玻璃基制品，其中经离子交换的玻璃基制品包括大于或等于200mpa的压缩应力及大于或等于10μm的压缩深度。

91、额外的特征及优点将在以下详细描述中阐述，且本领域技术人员将自该描述容易了解或藉由实践本文中所描述的实施方式(包含以下详细描述、权利要求书以及附图)而认识到这些额外的特征及优点。

92、应当理解，前述一般性描述及以下详细描述两者描述各种实施方式，且旨在提供用于理解所请求保护的主题的本质及特性的概述或框架。包含附图以提供对各种实施方式的进一步理解且被并入且构成本说明书的一部分。附图说明本文中所描述的各种实施方式，且与描述一起用以解释所请求保护的主题的原理及操作。