本发明涉及太阳能电池制造,尤其涉及一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法。
背景技术:
1、规化石能源枯竭、以及生态环境的恶化,能源危机已经成为当前国际社会经济发展的主要矛盾。为解决这一大危机,世界各国都在努力探索新能源。在新能源中,特别引人注目的是不断倾注于地球的永久性能源—太阳能。随着最近几年太阳能的发展,竞争也日趋激烈。高效率、低成本成为太阳能企业的生存之本。
2、当前太阳能电池制造过程中,使用石墨舟进行相关工艺只能实现单面镀膜工艺,当新工艺要求实现双面镀膜时,传统方式需要进行两次工艺,一方面工艺总时长为两次单面镀膜时间的累积,一方面增加了外部自动化制程片翻片的工序,该工序不仅耗时,同时增加制程时间,产能低。
技术实现思路
1、基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法。
2、本发明提出的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,包括如下步骤:
3、s1将硅片粗抛、制绒,制绒后绒面尺寸≤5μm;
4、s2清洗后烘干或甩干,接着进行硼扩发射极的制备,并进行刻蚀;
5、s3沉积氧化硅、本征多晶硅(或沉积氧化硅、掺杂多晶硅);
6、s4对硅片进行高温处理,并进行磷掺杂(或对硅片进行高温处理);
7、s5然后对处理后的硅片进行绕镀清洗;
8、s6将石墨舟舟片上设置底座卡点,底座卡点的高度为1-8毫米,将硅片放置在石墨舟舟片上的底座卡点上;
9、s7通过沉积ald氧化铝等其他相关钝化介质层的方式在所述的硅片表面形成薄膜;
10、s8通过pecvd镀膜方式对硅片进行双面沉积sinx等其他相关钝化介质层;
11、s9采用丝网印刷制备电极;
12、s10然后进行光注入或电注入,进行测试分选。
13、优选的,所述硅片为单多晶硅片。
14、优选的,所述步骤s2方阻为90-200ohm/sqr。
15、优选的,所述光注入由紫外光、可见光或红外光源提供,辐照光强>1sun,光辐照的时间<300s,所述电注入由恒流源提供,工艺时间<100min。
16、优选的,所述步骤s2刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀。
17、优选的,所述步骤s7的辅助气体和环境为:温度150-350摄氏度,三甲基铝和反应气体1000-10000sccm,原子沉积层数20-100层。
18、优选的,所述步骤s8的辅助气体和环境为:温度400-650摄氏度,硅烷和氨气反应气体1000-10000sccm,沉积工艺时间600-1800s,射频功率15-45kw,沉积时间根据膜厚要求变化。
19、本发明中,所述一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,采用双面沉积ald氧化铝,较传统方式转化效率明显提升,pecvd镀膜方式双面沉积sinx较传统方式产能大幅提升。
1.一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,所述硅片为单多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,所述步骤s2方阻为90-200ohm/sqr。
4.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,所述光注入由紫外光、可见光或红外光源提供,辐照光强>1sun,光辐照的时间<300s,所述电注入由恒流源提供,工艺时间<100min。
5.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,所述步骤s2刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,所述步骤s7的辅助气体和环境为:温度150-350摄氏度,三甲基铝和反应气体1000-10000sccm,原子沉积层数20-100层。
7.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法,其特征在于,所述步骤s8的辅助气体和环境为:温度400-650摄氏度,硅烷和氨气反应气体1000-10000sccm,沉积工艺时间600-1800s,射频功率15-45kw,沉积时间根据膜厚要求变化。