一种有机薄膜晶体管加工用化学气相沉淀设备

1.本发明涉及气相沉淀设备技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管加工用化学气相沉淀设备。


背景技术：

2.有机电子器件一般为薄膜形式的器件,因此有机场效应晶体管也被称为有机薄膜晶体管，就结构而言,根据栅电极的位置,常见的有机薄膜晶体管可分为顶栅结构和底栅结构两类。常见的有机薄膜晶体管大多采用金属有机化合物化学气相沉淀工艺加工，金属有机化合物化学气相沉淀是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。金属有机化合物化学气相沉淀是一个将特定的原材料通过一系列严格控制，传输到加热生长区，在此生长区，原材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。一般mocvd设备包括加热系统、冷却系统、气体运输系统、尾气处理系统以及控制系统。
3.采用藕合喷淋头的mocvd系统的上盖采用小孔输运气态原材料到反应室中进行反应，由于喷淋头的孔径非常小，且距离反应室内反应平台的距离非常近，气态原材料物质难免会发生大量预反应，这个反应物会迅速覆盖在喷淋头的小孔表面，尽管每生长一炉，都有人工刷洗清洁喷淋头表面，但孔隙内仍会残留部分物质，使用时间一长，小孔孔径还是会越来越小，这就会导致工艺参数漂移很多，无法稳定金属有机化合物化学气相沉淀的工业生产。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于：为了解决上述问题，而提出的一种有机薄膜晶体管加工用化学气相沉淀设备。
5.为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
6.一种有机薄膜晶体管加工用化学气相沉淀设备，包括反应腔和上盖，所述反应腔的侧面设置有连通管，并且反应腔的内部设置有加热盘，所述上盖的顶部设置有第一驱动件，所述第一驱动件的输出端延伸至上盖的底部，并且输出端上设置有喷头，所述喷头底部设置有多个气孔，所述连通管的外部设置有第二驱动件，所述第二驱动件的输出端设置有清洁部，所述清洁部设置在连通管的内部，所述清洁部包括接料槽、刷头组件和导向机构；所述刷头组件包括滑轨、滑座、第三驱动件和升降板，所述滑座上设置有滑杆，所述升降板与滑杆滑动连接，所述第三驱动件设置在升降板上，并且其输出端设置有清洁毛辊，所述升降板上设置有滑套，所述滑套内设置有导向杆；所述导向机构包括第四驱动件和摆动组件，所述摆动组件设置有多个，并且分别设置在接料槽相对的两侧侧壁上，相邻两个所述摆动组件之间设置有连接轴和传动杆，所述摆动组件包括蜗轮、蜗杆、和摆臂，所述摆臂上设置有导向通槽，所述接料槽像个相对的侧壁上均设置有导向凹槽和电磁铁，所述导向杆的端部穿过导向通槽与导向凹槽滑动配合。
7.优选地，所述喷头为圆盘形结构，所述气孔设置有多个，并且沿喷头的径向方向等
间距设置，所述接料槽位于喷头的下方。
8.优选地，所述第二驱动件的输出端与接料槽的端部固定连接，所述滑轨沿接料槽的长度方向设置，所述滑杆设置有两个，两个所述滑杆对称设置在滑座的顶部，所述滑杆贯穿升降板，所述滑套设置在升降板的中间部分，并且滑套与导向杆滑动连接，所述导向杆的端部设置有磁铁。
9.优选地，所述接料槽内两个侧壁上的多个所述摆动组件沿接料槽的长度方向间隔设置，所述蜗轮与接料槽转动连接，所述连接轴与蜗杆同轴设置，并且二者的端部固定连接，所述接料槽两个相对的侧壁上均设置有驱动轴，两个所述驱动轴之间设置有传动皮带，一个所述驱动轴的两端分别与第四驱动件以及蜗杆固定连接。
10.优选地，所述导向凹槽为“匚”形结构，并且导向凹槽的开口朝上。
11.优选地，所述接料槽同一侧壁上的摆动组件与电磁铁对应设置。
12.综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
13.1、本技术通过在喷头下方设置刷头组件，在设备停机期间，由刷头组件上的清洁毛辊在气孔内旋转，将附着在气孔内壁上的残留物质刮去，同时通过导向机构带动刷头组件沿着喷头的径向方向移动，使刷头组件可以依次对不同的气孔进行清洁，相较于常规的人工操作，本设备可以实现自动化的喷头清洁，不仅可以避免频繁打开设备的上盖，减少杂质进入反应腔，还能提高清洁效率，大幅降低工人的劳动量，在减少残留物的同时使设备的工艺参数保持稳定，提高产品的品质。
14.2、本技术通过设置连通管，在连通管上设置第二驱动件，第二驱动件可以转动清洁部，此设计便于收纳清洁部。
附图说明
15.图1示出了根据本发明实施例提供的设备整体结构示意图；
16.图2示出了根据本发明实施例提供的上盖和喷头结构示意图；
17.图3示出了根据本发明实施例提供的结料槽内部结构示意图；
18.图4示出了根据本发明实施例提供的摆动组件和连接轴结构示意图；
19.图5示出了根据本发明实施例提供的刷头组件结构示意图。
20.图例说明：
21.1、反应腔；2、上盖；3、连通管；4、加热盘；5、喷头；6、气孔；7、第一驱动件；8、第二驱动件；9、接料槽；10、第三驱动件；11、清洁毛辊；12、滑轨；13、滑座；14、滑杆；15、升降板；16、滑套；17、导向杆；18、第四驱动件；19、驱动轴；20、连接轴；21、蜗轮；22、蜗杆；23、摆臂；24、导向通槽；25、传动杆；26、导向凹槽；27、电磁铁。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
23.请参阅图1-5，本发明提供一种技术方案：
24.一种有机薄膜晶体管加工用化学气相沉淀设备，包括反应腔1和上盖2，反应腔1的侧面设置有连通管3，并且反应腔1的内部设置有加热盘4，上盖2的顶部设置有第一驱动件7，第一驱动件7的输出端延伸至上盖2的底部，并且输出端上设置有喷头5，喷头5底部设置有多个气孔6，连通管3的外部设置有第二驱动件8，第二驱动件8的输出端设置有清洁部，清洁部设置在连通管3的内部，清洁部包括接料槽9、刷头组件和导向机构；刷头组件包括滑轨12、滑座13、第三驱动件10和升降板15，滑座13上设置有滑杆14，升降板15与滑杆14滑动连接，第三驱动件10设置在升降板15上，并且其输出端设置有清洁毛辊11，升降板15上设置有滑套16，滑套16内设置有导向杆17；导向机构包括第四驱动件18和摆动组件，摆动组件设置有多个，并且分别设置在接料槽9相对的两侧侧壁上，相邻两个摆动组件之间设置有连接轴20和传动杆25，摆动组件包括蜗轮21、蜗杆22、和摆臂23，摆臂23上设置有导向通槽24，接料槽9像个相对的侧壁上均设置有导向凹槽26和电磁铁27，导向杆17的端部穿过导向通槽24与导向凹槽26滑动配合。
25.具体的，如图1、图2、图3、图4和图5所示，喷头5为圆盘形结构，气孔6设置有多个，并且沿喷头5的径向方向等间距设置，接料槽9位于喷头5的下方。接料槽9可以接住清洁时气孔6内落下的残留物，方便收集。第二驱动件8的输出端与接料槽9的端部固定连接，滑轨12沿接料槽9的长度方向设置，滑杆14设置有两个，两个滑杆14对称设置在滑座13的顶部，滑杆14贯穿升降板15，滑套16设置在升降板15的中间部分，并且滑套16与导向杆17滑动连接，导向杆17的端部设置有磁铁。接料槽9内两个侧壁上的多个摆动组件沿接料槽9的长度方向间隔设置，蜗轮21与接料槽9转动连接，连接轴20与蜗杆22同轴设置，并且二者的端部固定连接，接料槽9两个相对的侧壁上均设置有驱动轴19，两个驱动轴19之间设置有传动皮带，一个驱动轴19的两端分别与第四驱动件18以及蜗杆22固定连接。导向凹槽26为“匚”形结构，并且导向凹槽26的开口朝上。接料槽9同一侧壁上的摆动组件与电磁铁27对应设置。第四驱动件18和传动皮带可以使两个驱动轴19同步旋转，故接料槽9相对侧壁上的蜗杆22均可以在连接轴20的带动下旋转，蜗轮21进一步转动带动摆臂23摆动，通过第四驱动件18输出端的往复旋转可以使摆臂23往复摆动，摆臂23从一侧摆动至另一侧的过程中，导向杆17的端部沿着导向凹槽26移动，使清洁毛辊11的运动过程为下降、平移、上升，清洁毛辊11下降可以脱离气孔6，平移使清洁毛辊11往下一个气孔6移动，上升使清洁毛辊11进入下一个气孔6。从而实现对多个气孔6的依次清洁。接料槽9两个侧壁上的电磁铁27依次通电，使导向杆17的端部可以交替进入接料槽9两个侧壁上的导向凹槽26内，进一步通过摆臂23的摆动，使清洁毛辊11可以沿着接料槽9的长度方便移动。
26.综上所述，本实施例所提供的一种有机薄膜晶体管加工用化学气相沉淀设备，在对气孔6进行清洁时，第二驱动件8带动接料槽9转动，使接料槽9沿喷头5的径向方向分布，第四驱动件18带动驱动轴19旋转，蜗杆22随之同步旋转，进一步使蜗轮21转动，摆臂23开始摆动，导向杆17受到导向通槽24和导向凹槽26的限制，其端部在导向凹槽26内部移动，当导向杆17移动至导向凹槽26的端部后，清洁毛辊11伸入气孔6的内部，第三驱动件10启动，带动清洁毛辊11旋转，对气孔6内壁上的残留物进行清洁，随后接料槽9相对侧壁上的电磁铁27通电，在磁场作用下使导向杆17沿着滑套16移动，导向杆17的另一端进入另一侧壁上的导向凹槽26内，第四驱动件18反转，即可带动滑座13沿着滑轨12移动，同时通过清洁毛辊11对多个气孔6依次进行清洁。
27.实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。