具有涂层表面的增材制品及相关方法与流程

1.本公开大体上涉及具有涂层表面的增材制品及相关方法。


背景技术：

2.机械加工工艺不允许制造整体构造的装置或装置组件。例如，具有复杂形状的装置组件只能通过组装多个组件来制造。多个组件的组装通常导致形成于两个或更多个组件的界面处的接缝或焊接。


技术实现要素：

3.在第一方面中，公开一种用于形成制品的方法，其包含：通过增材制造形成三维(3d)制品以获得增材制造3d制品，其中所述增材制造3d制品具有不能通过机械加工构造的整体结构；及使所述增材制造3d制品暴露于一或多种前驱气体以在所述增材制造3d制品的表面上形成涂层，其中所述涂层通过基于非等离子体的沉积工艺形成。
4.根据第一方面所述的第二方面，其中所述增材制造3d制品具有5:1到1000:1的纵横比，其中所述纵横比是宽度、深度、高度或直径中的两者的比率。
5.根据前述方面中任一方面所述的第三方面，其中所述形成包含从3d打印机施配3d可打印材料以形成所述增材制造3d制品。
6.根据前述方面中任一方面所述的第四方面，其中所述3d可打印材料包含以下中的至少一者：金属粉末、金属合金粉末、陶瓷粉末、热塑性聚合物或其任何组合。
7.根据前述方面中任一方面所述的第五方面，其中所述增材制造3d制品是整体构造制品。
8.根据前述方面中任一方面所述的第六方面，其中所述增材制造3d制品包含以下中的至少一者：气室、沟槽、界定孔的结构、界定通道的结构、界定空腔的结构或其任何组合。
9.根据前述方面中任一方面所述的第七方面，其中所述增材制造3d制品不包含接缝。
10.根据前述方面中任一方面所述的第八方面，其中所述增材制造3d制品不包含铜焊接头。
11.根据前述方面中任一方面所述的第九方面，其中所述增材制造3d制品不包含焊接接头。
12.根据前述方面中任一方面所述的第十方面，其中所述涂层通过热原子层沉积(ald)工艺、化学气相沉积(cvd)工艺或溶液沉积工艺形成。
13.根据前述方面中任一方面所述的第十一方面，其中所述涂层包含以下中的至少一者：氧化铝、氧化钇、氧化钛、氧化锆、氧化钽或其任何组合。
14.根据前述方面中任一方面所述的第十二方面，其中所述方法进一步包含氟化所述涂层以形成包含yof、yf3或其任何组合中的至少一者的涂层。
15.根据前述方面中任一方面所述的第十三方面，其中所述涂层包含：化学式mo的氧
化物，其中m是ca、mg或be；化学式m'o2的氧化物，其中m'是化学计量上可接受的金属；化学式re2o3的氧化物，其中re是稀土元素；或化学式ta
x
oy的氧化物，其中x大于0且y大于0。
16.根据前述方面中任一方面所述的第十四方面，其中本文中描述的技术涉及一种方法，其中所述涂层包含：氮氧化铝；氧化钇-氧化铝；氧化硅；氮氧化硅；过渡金属氧化物；过渡金属氮氧化物；稀土金属氧化物；稀土金属氮氧化物；或其任何组合。
17.在第十五方面中，本文中公开一种半导体制造工具的组件，其包括根据本文中公开的方法形成的制品。
18.在第十六方面中，本文中公开一种制品，其包含：增材制造三维(3d)主体，其中所述增材制造3d主体具有不能通过机械加工构造的整体结构；及涂层，其位于所述增材制造3d主体的表面上，其中所述涂层是非等离子体涂层。
19.根据第十六方面所述的第十七方面，其中所述增材制造3d主体具有2:1到1000:1的纵横比，其中所述纵横比是宽度、深度、高度或直径中的两者的比率。
20.根据第十六或第十七方面所述的第十八方面，其中所述非等离子体涂层是热原子层沉积(ald)涂层。
21.根据第十六到第十八方面中任一方面所述的第十九方面，其中所述增材制造3d主体是整体构造主体。
22.根据第十六到第十九方面中任一方面所述的第二十方面，其中所述增材制造3d制品包含以下中的至少一者：气室、沟槽、界定孔的结构、界定通道的结构、界定空腔的结构或其任何组合。
23.在第二十一方面中，公开一种医疗装置，其包括：增材制造三维(3d)主体，其具有整体结构；及非等离子体涂层，其位于所述增材制造3d主体的表面的至少一部分上。
24.根据第二十一方面所述的第二十二方面，其中所述医疗装置经配置用于植入到哺乳动物中。
25.根据第二十一方面所述的第二十三方面，其中所述医疗装置经配置用于临时插入到哺乳动物中。
26.根据第二十一方面所述的第二十四方面，其中所述医疗装置经配置用于在哺乳动物上外用。
27.根据第二十一到第二十四方面中任一方面所述的第二十五方面，其中所述增材制造3d主体是生物相容的。
28.根据第二十一到第二十五方面中任一方面所述的第二十六方面，其中所述增材制造3d主体是所述医疗装置的主体。
29.根据第二十一到第二十五方面中任一方面所述的第二十七方面，其中所述增材制造3d主体是所述医疗装置的组件。
30.根据第二十一到第二十七方面中任一方面所述的第二十八方面，其中所述增材制造3d主体是以下中的至少一者：球囊、移植物、支架、导管、分流器、栓塞剂、起搏器、除颤器、人工植入物、假体、刺激器、传感器、电线、引线、阀、插塞、泵、过滤器、机械连接器、管、板、手术工具、外壳、其任何组件或其任何组合。
31.根据第二十一到第二十八方面中任一方面所述的第二十九方面，其中所述增材制造3d主体是以下中的至少一者：血管成形术球囊、瓣膜成形术球囊、部署球囊、起搏器引线、
人工心脏瓣膜、血管滤器、血管插塞、人造心脏瓣膜、人工心脏、导管尖端、缝合线、手术钉、螺钉、钉子、托架、销钉、杆、夹具、导线、药泵、合成血管移植物、血管移植物、非血管移植物、支架移植物、血管支架、冠状动脉支架、外周支架、腔内铺路支架、动静脉分流器、动脉瘤填充物、植入式起搏器、植入式心脏除颤器、心脏复律除颤器、脊髓刺激器、脑刺激器、骶神经刺激器、骨假体、关节假体、塑料管、金属管、牙套、助听器、绷带、其任何组件或其任何组合。
32.根据第二十一到第二十九方面中任一方面所述的第三十方面，其中所述增材制造3d主体包括具有2:1到1000:1的纵横比的结构，其中所述纵横比是宽度、深度、高度或直径中的两者的比率。
33.根据第二十一到第三十方面中任一方面所述的第三十一方面，其中所述增材制造3d主体是整体构造制品。
34.根据第二十一到第三十一方面中任一方面所述的第三十二方面，其中所述增材制造3d主体不包括接缝。
35.根据第二十一到第三十二方面中任一方面所述的第三十三方面，其中所述增材制造3d主体不包括铜焊接头。
36.根据第二十一到第三十三方面中任一方面所述的第三十四方面，其中所述增材制造3d主体不包括焊接接头。
37.根据第二十一到第三十四方面中任一方面所述的第三十五方面，其中所述非等离子体涂层是热原子层沉积(ald)涂层、化学气相沉积(cvd)涂层或溶液沉积涂层。
38.根据第二十一到第三十五方面中任一方面所述的第三十六方面，其中所述非等离子体涂层包括以下中的至少一者：氧化铝、氧化钇、氧化钛、氧化锆、氧化钽或其任何组合。
39.根据第二十一到第三十六方面中任一方面所述的第三十七方面，其中所述非等离子体涂层包括yof、yf3或其任何组合中的至少一者。
40.根据第二十一到第三十七方面中任一方面所述的第三十八方面，其中所述非等离子体涂层包括以下中的至少一者：化学式mo的氧化物，其中m是ca、mg或be；化学式m'o2的氧化物，其中m'是金属；化学式re2o3的氧化物，其中re是稀土元素；化学式ta
x
oy的氧化物，其中x大于0且y大于0；或其任何组合。
41.根据第二十一到第三十八方面中任一方面所述的第三十九方面，其中所述非等离子体涂层包括以下中的至少一者：氮氧化铝；氧化钇-氧化铝；氧化硅；氮氧化硅；过渡金属氧化物；过渡金属氮氧化物；稀土金属氧化物；稀土金属氮氧化物；或其任何组合。
42.根据第二十一到第三十九方面中任一方面所述的第四十方面，其中所述整体结构不能通过机械加工构造。
附图说明
43.参考图式，其形成本公开的部分且说明其中可实践本文中描述的材料及方法的实施例。
44.图1是根据本公开的一些实施例的用于形成制品的方法的流程图。
45.图2是根据本公开的一些实施例的制品的横截面的示意图。
46.图3是根据本公开的一些实施例的制品的横截面的示意图。
具体实施方式
47.本公开的实施例尤其涉及通过增材制造形成的制品、通过增材制造形成制品的方法、涉及通过增材制造形成的制品的应用及相关实施例。本公开的一些实施例涉及具有一或多个涂层表面的增材制品。在一些实施例中，通过增材制造形成的制品可具有整体结构、一或多个高纵横比特征或其任何组合中的至少一者。在一些实施例中，在通过增材制造来制造制品之后，制品可经受例如原子层沉积(ald)工艺或热ald工艺的沉积工艺，其中增材制品的一或多个表面涂覆有一或多个层。在一些实施例中，沉积工艺足以涂覆增材制品的所有暴露表面。在一些实施例中，增材制品的涂层表面提供耐腐蚀层、抗蚀刻层或其任何组合中的至少一者。
48.图1是根据本公开的一些实施例的用于形成制品的方法的流程图。如图1中展示，用于形成制品的方法100可包括以下步骤中的一或多者：步骤102，其通过增材制造形成三维(3d)制品；及步骤104，其使3d制品暴露于一或多种前驱气体以形成涂层。
49.在步骤102，在一些实施例中，方法100可包括通过增材制造形成3d制品。在一些实施例中，增材制造可包括3d打印。在一些实施例中，3d制品通过从3d打印机施配3d可打印材料以形成3d制品来形成。在一些实施例中，3d打印可包括通过逐渐构建物体来由3d模型产生固体。在一些实施例中，例如，3d打印可包括将3d可打印材料施加于层中，层经选择性接合或熔融在一起以产生具有整体结构、整体构造、不能通过机械加工构造的结构或其任何组合中的至少一者的3d制品。3d打印可通过以下中的至少一者来执行：选择性激光熔化(slm)、选择性激光烧结(sls)、熔融沉积成型(fdm)、电子束熔化(ebm)、直接金属激光烧结(dmls)或其任何组合。
50.在一些实施例中，3d制品可由前驱材料形成。在一些实施例中，前驱材料可包括3d可打印材料、由3d可打印材料组成或基本上由3d可打印材料组成。在一些实施例中，前驱材料包括原材料，例如粒状原材料。例如，在一些实施例中，前驱材料可包括以下中的至少一者：金属粉末、金属合金粉末、陶瓷粉末、聚合物(例如光敏聚合物树脂、热塑性聚合物或其任何组合)或其任何组合。在一些实施例中，前驱材料可包括能够通过热(例如扫描激光或扫描电子束)熔融的材料。在一些实施例中，前驱材料可包括金属组分、由金属组分组成或基本上由金属组分组成。在一些实施例中，金属组分可包括以下中的至少一者、由以下中的至少一者组成或基本上由以下中的至少一者组成：一或多种金属、一或多种金属化合物、一或多种金属氧化物、一或多种金属合金或其任何组合。在一些实施例中，前驱材料可包括以下中的至少一者、由以下中的至少一者组成或基本上由以下中的至少一者组成或可选自由以下中的至少一者组成的群组：al、mg、ni、ti、v、fe、cr、zn、mo、li、cu、mn、in、sn、p、sb、as、bi、pb、te、se、w、ge、cd、co、ag、pt、hg、ir、os、s、k、ga、na、nb、ta、si、la2o3、nio、fe2o3、al2o3、bao、mgo、cao、hfo2、zro2、sno2、in2o3、k2o、ceo2、ce2o3、sc2o3、y2o3、ga2o3、na2o、b2o3、sro、beo、氧化钛、氧化钽、氧化铌、碳化硅、不锈钢、稀土氧化物、其组分或其任何组合。在一些实施例中，前驱材料可包括一或多种溶剂。
51.在一些实施例中，3d制品可包括增材制造3d制品。在一些实施例中，3d制品可包括增材制造3d主体。在一些实施例中，3d制品可具有整体结构。在一些实施例中，整体结构可为不能通过机械加工构造的结构。在一些实施例中，术语“机械加工”可指代通过(例如但不限于)铣削、钻削、切割、雕刻、刨削或成型等来使材料成形的过程。在一些实施例中，整体结
构可为整体构造结构。在一些实施例中，3d制品可为整体构造。在一些实施例中，术语“整体构造”可指代不包括在制造后接合在一起的两个或更多个结构的结构。例如，在一些实施例中，3d制品可不包括经单独制造且随后接合在一起的任何结构。在一些实施例中，整体构造的整体结构可为不包括接缝的结构。在一些实施例中，整体构造的整体结构可为不包括铜焊接头的结构。在一些实施例中，整体构造的整体结构可为不包括焊接接头的结构。
52.在一些实施例中，3d制品可具有至少一个特征。在一些实施例中，至少一个特征可包括以下、由以下组成或基本上由以下组成或可选自由以下组成的群组：气室、沟槽、界定孔的结构、界定开口的结构、界定通道的结构、界定空腔的结构(例如界定空腔的部分封闭区域)、平坦表面、非平坦表面或其任何组合。在一些实施例中，至少一个特征可具有纵横比。例如，在一些实施例中，特征的纵横比可指代深度与宽度的比率。在一些实施例中，特征的纵横比可指代宽度与深度的比率。在一些实施例中，特征的纵横比可指代长度、宽度或高度中的两者的比率。在一些实施例中，特征的纵横比可指代深度与直径的比率。在一些实施例中，特征的纵横比可指代直径与深度的比率。在一些实施例中，特征的纵横比可指代以下中的至少两者的比率：宽度、深度、高度、直径及周长。
53.在一些实施例中，至少一个特征可具有2:1到1000:1或其间的任何范围或子范围的纵横比。例如，至少一个特征可具有以下纵横比：至少2:1、至少3:1、至少4:1、至少5:1、至少6:1、至少7:1、至少8:1、至少9:1、至少10:1、至少15:1、至少20:1、至少25:1、至少30:1、至少35:1、至少40:1、至少45:1、至少50:1、至少55:1、至少60:1、至少65:1、至少70:1、至少75:1、至少80:1、至少85:1、至少90:1、至少95:1、至少100:1、至少200:1、至少300:1、至少400:1、至少500:1、至少600:1、至少700:1、至少800:1、至少900:1到1000:1及/或其间的任何范围或子范围。
54.在一些实施例中，3d制品可为半导体制造工具的组件，例如(例如但不限于)以下中的至少一者：处理室、侧壁、流头(例如喷头)、护罩、托盘、支撑件、喷嘴、阀、导管、用于处置或固持物体的平台、晶片处理夹具、陶瓷晶片载体、晶片固持器、基座、心轴、卡盘、环、挡板、紧固件(例如(螺纹)螺钉、(螺纹)螺母、螺栓、夹子、铆钉等)、膜、过滤器、三维网络、导管(例如气体管线)、歧管(例如气体歧管)或其任何组合。
55.在步骤104，在一些实施例中，方法100可包括使3d制品暴露于一或多种前驱气体以形成涂层。在一些实施例中，方法100可包括使增材制造3d制品暴露于一或多种前驱气体以在增材制造3d制品的表面上形成涂层。在一些实施例中，涂层可通过沉积工艺形成。在一些实施例中，沉积工艺可包括非等离子体沉积工艺。在一些实施例中，沉积工艺可包括无等离子体沉积工艺。在一些实施例中，沉积工艺可包括原子层沉积工艺。在一些实施例中，原子层沉积工艺可包括热原子层沉积工艺。因此，在一些实施例中，涂层可包括原子层沉积涂层或ald涂层。在一些实施例中，涂层可包括非等离子体涂层(例如不是通过等离子体沉积工艺形成的涂层)。在一些实施例中，涂层可包括热原子层沉积涂层或热ald涂层。在一些其它实施例中，沉积工艺可包括化学气相沉积(cvd)、溶液沉积(例如溶胶-凝胶沉积、浸涂等)、基于电解的涂覆方法或其任何组合中的至少一者。
56.在一些实施例中，暴露可包括用于原子层沉积的工艺序列。在一些实施例中，工艺序列可为其中一或多种前驱物用于循环原子层沉积(ald)工艺中以形成ald涂层或热ald涂层的工艺序列。在一些实施例中，暴露可包括以下工艺序列：使3d制品与反应室中的至少一
第一前驱物接触；清洗反应室；使3d制品与反应室中的至少一第二前驱物接触；及清洗反应室以完成循环。在一些实施例中，暴露可包括1到5000次循环。在一些实施例中，暴露可包括100到5000次循环。在一些实施例中，暴露可包括50到1500次循环。在一些实施例中，暴露可包括足够次数循环以实现期望厚度、期望性质或其它特性。
57.在一些实施例中，一或多种前驱气体可基于待形成的特定ald涂层来选择。在一些实施例中，包括三甲基铝及臭氧的一或多种前驱物可为用于沉积al2o3的有用前驱组合物。在一些实施例中，包括三甲基铝及水的一或多种前驱物可为用于沉积al2o3的有用前驱组合物。在一些实施例中，包括金属m或ln的环戊二烯基化合物的一或多种前驱物可为用于在利用臭氧(o3)或水汽(h2o)的循环ald工艺中沉积mo或ln2o3的有用前驱组合物。在一些实施例中，包括m或ln的β-二酮的一或多种前驱物可为用于在其中β-二酮金属前驱物的反应脉冲与o3脉冲交替的循环ald工艺中沉积mo或ln2o3的有用前驱组合物。
58.例如，在一些实施例中，原子层沉积可包括其中在循环ald工艺中利用三甲基铝及臭氧形成ald涂层的工艺序列。在一些实施例中，原子层沉积可包括其中在循环ald工艺中利用三甲基铝及水形成ald涂层的工艺序列。在一些实施例中，原子层沉积可包括其中在循环ald工艺中利用环戊二烯基m化合物及臭氧形成ald涂层的工艺序列。在一些实施例中，原子层沉积可包括其中在循环ald工艺中利用环戊二烯基m化合物及水形成ald涂层的工艺序列。在一些实施例中，原子层沉积可包括其中在循环ald工艺中利用mβ-二酮化合物及臭氧形成ald涂层的工艺序列。在一些实施例中，可使用其它金属氧化物前驱化合物。
59.在一些实施例中，包括三甲基铝及臭氧的一或多种前驱物可为用于沉积al2o3的有用前驱组合物。在一些实施例中，包括三甲基铝及水的一或多种前驱物可为用于沉积al2o3的有用前驱组合物。在一些实施例中，包括金属m或ln的环戊二烯基化合物的一或多种前驱物可为用于在利用臭氧(o3)或水汽(h2o)的循环ald工艺中沉积mo或ln2o3的有用前驱组合物。在一些实施例中，包括m或ln的β-二酮的一或多种前驱物可为用于在其中β-二酮金属前驱物的反应脉冲与o3脉冲交替的循环ald工艺中沉积mo或ln2o3的有用前驱组合物。
60.在一些实施例中，一或多个前驱配体可用于沉积涂层。在一些实施例中，一或多个前驱配体可包括以下中的至少一者：氢、c1到c
10
烷基(其可为直链或支链、环状或非环状、饱和或不饱和的)、芳基、杂环、烷氧基、环烷基、甲硅烷基、甲硅烷基烷基、甲硅烷基酰胺、三甲基甲硅烷基甲硅烷基取代的烷基、三烷基甲硅烷基取代的炔烃、三烷基甲硅烷基氨基取代的炔烃、二烷基酰胺、乙烯、乙炔、炔烃、取代烯烃、取代炔烃、二烯、环戊二烯基丙二烯、胺、烷基胺、二齿胺、氨、rnh2(其中r是有机基，例如烃基、取代基)、脒基、胍基、二氮杂二烯环戊二烯基、肟、羟基胺、乙酸盐、β-二酮、β-酮亚胺、腈、硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、卤素、羟基、取代羟基、其任何衍生物或其任何组合。
61.在一些实施例中，形成可在20℃到400℃或其间的任何范围或子范围的温度执行。例如，在一些实施例中，形成可在以下温度执行：25℃到400℃、50℃到400℃、75℃到400℃、100℃到400℃、125℃到400℃、150℃到400℃、175℃到400℃、200℃到400℃、225℃到400℃、250℃到400℃、275℃到400℃、300℃到400℃、325℃到400℃、350℃到400℃、375℃到400℃、20℃到375℃、20℃到350℃、20℃到325℃、20℃到300℃、20℃到275℃、20℃到250℃、20℃到225℃、20℃到200℃、20℃到175℃、20℃到150℃、20℃到125℃、20℃到100℃、20℃到75℃、20℃到50℃、125℃到375℃、150℃到350℃、175℃到350℃、175℃到325℃、200℃
到350℃、200℃到325℃、225℃到350℃、225℃到325℃、250℃到350℃、250℃到325℃、275℃到350℃、275℃到325℃、300℃到350℃、300℃到325℃及/或其间的任何范围或子范围。
62.在一些实施例中，沉积工艺是形成保形涂层的工艺。在一些实施例中，保形涂层可包括具有均匀或基本均匀厚度的涂层。
63.在一些实施例中，涂层可具有1nm到50μm或其间的任何范围或子范围的厚度。例如，在一些实施例中，涂层可具有小于5μm、小于1μm或小于250nm的厚度。在一些实施例中，涂层可具有以下厚度：100nm到250nm、1nm到4μm、1nm到3μm、1nm到2μm、1nm到1μm、1nm到900nm、1nm到850nm、1nm到800nm、1nm到750nm、1nm到700nm、1nm到650nm、1nm到600nm、1nm到550nm、1nm到450nm、1nm到400nm、1nm到350nm、1nm到300nm、1nm到250nm、1nm到200nm、1nm到150nm、1nm到100nm、1nm到50nm、50nm到5μm、100nm到5μm、200nm到5μm、300nm到5μm、400nm到5μm、500nm到5μm、600nm到5μm、700nm到5μm、800nm到5μm、900nm到5μm、1μm到5μm、2μm到5μm、3μm到5μm、4μm到5μm、1nm到750nm、1nm到500nm、2nm到500nm、1nm到250nm、20nm到125nm、20nm到250nm、20nm到500nm、50nm到500nm、50nm到400nm、50nm到300nm、50nm到200nm、15nm到200nm、20nm到50nm、10nm到40nm、30nm到50nm、1nm到5μm、1μm到5μm、1μm到4μm、1μm到3μm、1μm到2μm、5nm到5μm、1nm到1μm及/或其间的任何范围或子范围。
64.在一些实施例中，涂层可包括至少一种第二金属组分。在一些实施例中，至少一种第二金属组分可包括以下中的至少一者、由以下中的至少一者组成或基本上由以下中的至少一者组成：元素金属、金属合金、金属化合物(例如金属氧化物化合物)或其任何组合。在一些实施例中，至少一种第二金属组分可包括以下中的至少一者、由以下中的至少一者组成或基本上由以下中的至少一者组成：镁、铝、钒、铁、镍、铬、锌、钼、钛、锂、铜、锰或其任何组合。在一些实施例中，至少一种第二金属组分可选自由以下中的至少一者组成的群组：镁、铝、钒、铁、镍、铬、锌、钼、钛、锂、铜、锰、硅、铜、锰、氧化镁或其任何组合。在一些实施例中，至少一种第二金属组分可包括相同于包含于衬底的第一金属组分中的金属的至少一种金属。在一些实施例中，例如，在一些实施例中，第一金属组分及第二组分包括铝或其它金属中的任何一或多者。
65.在一些实施例中，涂层可包含以下中的至少一者、由以下中的至少一者组成或基本上由以下中的至少一者组成或可选自由以下中的至少一者组成的群组：氧化钛、氧化钇、氧化铝、氧化锆、氧化钽或其任何组合。在一些实施例中，涂层可包括以下中的一或多者、由以下中的一或多者组成或基本上由以下中的一或多者组成或可选自由以下中的一或多者组成的群组：al2o3；化学式mo的氧化物，其中m是ca、mg或be；化学式m'o2的氧化物，其中m'是化学计量上可接受的金属；及化学式re2o3的氧化物，其中re是稀土元素，例如镧系元素；及化学式ta
x
oy的氧化物，其中x大于0且y大于0。在一些实施例中，镧系元素可包括以下、由以下组成或基本上由以下组成：la、sc或y。
66.在一些实施例中，涂层可包括以下中的至少一者、由以下中的至少一者组成或基本由以下中的至少一者组成或可选自由以下中的至少一者组成的群组：氧化铝、氮氧化铝、氧化钇、氧化钇-氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、过渡金属氧化物、过渡金属氮氧化物、稀土金属氧化物、稀土金属氮氧化物或其任何组合。在一些实施例中，方法进一步包括氟化涂层以形成包括yof、yf3或其任何组合中的至少一者的涂层。
67.在一些实施例中，涂层是保形层。在一些实施例中，涂层是具有大体均匀厚度或均
匀厚度的层。在一些实施例中，涂层可为耐腐蚀层或可形成耐腐蚀衬底表面。在一些实施例中，涂层可为抗蚀刻层或可形成抗蚀刻衬底表面。在一些实施例中，涂层可钝化衬底的表面。在一些实施例中，涂层可为保护层。在一些实施例中，钝化层可赋予至少一个改进表面性质。
68.一些实施例涉及根据本文中公开的方法中的任何者形成的制品。例如，在一些实施例中，制品可包括增材制造三维(3d)主体及增材制造3d主体的表面上的涂层。应了解，制品可包括本文中公开的特征中的任何者。
69.图2是根据本公开的一些实施例的制品的横截面的示意图。如图2中展示，制品200可包括增材制造3d主体202及涂层204。在一些实施例中，涂层204可包括ald涂层。在一些实施例中，涂层204可包括热ald涂层。在一些实施例中，涂层204可形成于增材制造3d主体202的表面上。
70.制品200可具有生物相容特性。即，例如，在一些实施例中，制品200是生物相容的。如本文中使用，术语“生物相容”可指代能够在与生物流体、活体组织或其任何组合接触时正常工作或存在且不对活体产生负面影响的材料。在一些实施例中，术语“生物相容”指代能够在与生物流体、活体组织或其任何组合接触时正常工作或存在且对活体具有净有益效应的材料。在一些实施例中是生物相容的，制品200可用作医疗装置或医疗装置的部分等。
71.因此，在一些实施例中，制品200是医疗装置。医疗装置可包括增材制造三维(3d)主体及增材制造3d主体的表面的至少一部分上的非等离子体涂层。本公开的增材制造3d主体及非等离子体涂层中的任何者可在本文中使用。例如，在一些实施例中，增材制造3d主体具有整体结构。在一些实施例中，整体结构不能通过机械加工来构造。
72.在一些实施例中，医疗装置经配置用于植入到哺乳动物中。在一些实施例中，医疗装置经配置用于临时插入到哺乳动物中。在一些实施例中，医疗装置经配置用于在哺乳动物上外用。在一些实施例中，增材制造3d主体是生物相容的。在一些实施例中，增材制造3d主体是医疗装置的主体。在一些实施例中，增材制造3d主体是医疗装置的组件。
73.在一些实施例中，增材制造3d主体是以下中的至少一者：球囊、移植物、支架、导管、分流器、栓塞剂、起搏器、除颤器、人工植入物、假体、刺激器、传感器、电线、引线、阀、插塞、泵、过滤器、机械连接器、管、板、手术工具、外壳、其任何组件或其任何组合。在一些实施例中，增材制造3d主体是以下中的至少一者：血管成形术球囊、瓣膜成形术球囊、部署球囊、起搏器引线、人工心脏瓣膜、血管滤器、血管插塞、人造心脏瓣膜、人工心脏、导管尖端、缝合线、手术钉、螺钉、钉子、托架、销针、杆、夹具、导线、药泵、合成血管移植物、血管移植物、非血管移植物、支架移植物、血管支架、冠状动脉支架、外周支架、腔内铺路支架、动静脉分流器、动脉瘤填充物、植入式起搏器、植入式心脏除颤器、心脏复律除颤器、脊髓刺激器、脑刺激器、骶神经刺激器、骨假体、关节假体、塑料管、金属管、牙套、助听器、绷带、其任何组件或其任何组合。
74.在一些实施例中，增材制造3d主体包括具有2:1到1000:1的纵横比的结构组件，其中纵横比是宽度、深度、高度或直径中的两者的比率。
75.在一些实施例中，增材制造3d主体是整体构造制品。在一些实施例中，增材制造3d主体不包括接缝。在一些实施例中，增材制造3d主体不包括铜焊接头。在一些实施例中，增材制造3d主体不包括焊接接头。
76.在一些实施例中，非等离子体涂层是热原子层沉积(ald)涂层、化学气相沉积(cvd)涂层或溶液沉积涂层。
77.在一些实施例中，非等离子体涂层包括以下中的至少一者：氧化铝、氧化钇、氧化钛、氧化锆、氧化钽或其任何组合。
78.在一些实施例中，非等离子体涂层包括yof、yf3或其任何组合中的至少一者。
79.在一些实施例中，非等离子体涂层包括以下中的至少一者：化学式mo的氧化物，其中m是ca、mg或be；化学式m'o2的氧化物，其中m'是金属；化学式re2o3的氧化物，其中re是稀土元素；或化学式ta
x
oy的氧化物，其中x大于0且y大于0；或其任何组合。
80.在一些实施例中，非等离子体涂层包括以下中的至少一者：氮氧化铝；氧化钇-氧化铝；氧化硅；氮氧化硅；过渡金属氧化物；过渡金属氮氧化物；稀土金属氧化物；稀土金属氮氧化物；或其任何组合。
81.图3是根据本公开的一些实施例的制品的示意图。在一些实施例中，制品300可为用于半导体或微电子制造设备、系统、组件、零件、器材或工艺中的组件(例如结构、材料、设备、器材等)。在一些实施例中，制品300是用于将处理气体提供到处理室内部的半导体晶片上的喷头。如图3中展示，制品300可包括形成空腔304的增材制造3d支撑结构302。在一些实施例中，开口306形成于空腔304中。在一些实施例中，一或多种处理气体可通过开口306流入到空腔304中。在一些实施例中，增材制造3d支撑结构302进一步包括一或多种处理气体流过的多个孔308。如图3中展示，喷头组件可包括涂层310，例如ald涂层或热ald涂层。在一些实施例中，涂层310形成于喷头组件的所有暴露表面上。