本发明涉及太阳能电池片镀膜，尤其涉及一种双面镀膜方法及管式pecvd设备。
背景技术：
1、在光伏组件制备过程中，为了提高电池片的光电转换效率，往往在电池片的表面镀设有减反膜。
2、当前，通常采用基于pecvd(plasma enhanced chemical vapour deposition，等离子体增强化学气相沉积)技术的板式pecvd设备或者管式pecvd设备对硅片的表面进行镀膜。使用管式pecvd设备进行镀膜时，将硅片卡放固定在石墨舟载具内，将石墨舟载具送入管式pecvd设备的反应室内进行镀膜。
3、当需要对硅片的两个表面镀设形成不同结构的减反膜时，需要将装有硅片的石墨舟载具分别送入至两台管式pecvd设备中进行镀膜。这种镀膜方法中，一方面，需要在两台设备之间传送石墨舟载具以及硅片，耗费时间且容易造成硅片损坏；另一方面，两台管式pecvd设备分别用于单一表面的镀膜，使得镀膜工艺的设备投入成本较大。
4、因此，现有双面镀膜方法浪费时间效率低下，硅片易损且设备成本偏高，不利于电池片产能的提升。
技术实现思路
1、本发明实施例提供一种双面镀膜方法及管式pecvd设备，以解决现有双面镀膜方法浪费时间效率低下，硅片易损且设备成本偏高的问题。
2、为了解决上述问题，本发明是这样实现的：
3、第一方面，本发明实施例提供一种双面镀膜方法，应用于管式pecvd设备中对电池片进行双面镀膜，所述方法包括：从上下料工位将装有所述电池片的石墨舟载具送入所述管式pecvd设备的反应室中；其中，所述反应室中设置有一个镀膜源；检测所述电池片的第一待镀表面为所述电池片的正面或背面，并根据检测结果控制调整镀膜条件为第一镀膜条件，并在所述电池片的所述第一待镀表面上沉积形成第一膜层；从所述石墨舟载具上取出所述电池片，并对所述电池片的正背面进行翻转后，将所述电池片插入所述石墨舟载具中；控制调整镀膜条件为第二镀膜条件，并在所述电池片的第二待镀表面上沉积形成第二膜层；其中，所述第一待镀表面和所述第二待镀表面分别为所述电池片的正面和背面，所述第一镀膜条件和所述第二镀膜条件不相同；将装有所述电池片的石墨舟载具从所述反应室内输出至所述上下料工位。
4、可选地，所述控制调整镀膜条件为第二镀膜条件，包括：检测所述电池片的第二待镀表面为所述电池片的正面或背面，并根据检测结果控制调整镀膜条件为第二镀膜条件。
5、可选地，所述镀膜条件包括硅烷流量和氨气流量中的至少一个。
6、可选地，所述镀膜条件还包括反应时间、反应温度、反应压力和镀膜源功率中的至少一个。
7、可选地，所述第一镀膜条件包括：所述氨气流量与所述硅烷流量的比例介于1:3.5至1:10之间。
8、可选地，所述第一膜层包括至少两层沉积层；形成每层所述沉积层的硅烷流量与氨气流量的比例介于1:3.5至1:10之间，且所述至少两层沉积层的硅烷流量与氨气流量的比例不完全相同。
9、可选地，所述第二镀膜条件包括：所述氨气流量与所述硅烷流量的比例介于1:5至1:12之间。
10、可选地，所述第二膜层包括至少两层沉积层；形成每层所述沉积层的硅烷流量与氨气流量的比例介于1:5至1:12之间，且所述至少两层沉积层的硅烷流量与氨气流量的比例不完全相同。
11、可选地，所述第一膜层的总厚度为70纳米至80纳米，折射率介于2.2至2.07之间。
12、可选地，所述第二膜层的总厚度为80纳米至100纳米，折射率介于2.28至2.0之间。
13、可选地，所述第一待镀表面为背面，所述第二待镀表面为正面。
14、可选地，所述镀膜源包括溅射镀膜源或者离子镀膜源。
15、第二方面，本发明实施例还提供一种管式pecvd设备，所述管式pecvd设备包括：反应室，所述反应室内设置有一个镀膜源；传送装置，所述传送装置用于从上下料工位将装有电池片的石墨舟载具送入所述反应室中，以及用于将装有所述电池片的石墨舟载具从所述反应室内输出至所述上下料工位；翻转装置，所述翻转装置设置于所述反应室外，所述翻转装置用于从所述石墨舟载具上取出所述电池片，并对所述电池片的正背面进行翻转后，将所述电池片插入所述石墨舟载具中；处理器，所述处理器与所述镀膜源电连接，所述处理器用于检测所述电池片的第一待镀表面为所述电池片的正面或背面，并根据检测结果控制调整镀膜条件为第一镀膜条件，并在所述电池片的所述第一待镀表面上沉积形成第一膜层；以及用于控制调整镀膜条件为第二镀膜条件，并在所述电池片的第二待镀表面上沉积形成第二膜层；其中，所述第一待镀表面和所述第二待镀表面分别为所述电池片的正面和背面，所述第一镀膜条件和所述第二镀膜条件不相同。
16、在本发明实施例中，使用石墨舟载具将电池片从上下料工位送入到管式pecvd设备的反应室中，该管式pecvd设备的反应室中安装有一个用于镀膜的镀膜源。当对石墨舟载具送入的电池片的第一待镀表面进行检测之后，可根据第一待镀表面为正面或背面的检测结果控制调整镀膜条件为第一镀膜条件，基于该第一镀膜条件可在第一待镀表面上沉积形成第一膜层。在第二待镀表面进行镀膜时，还可以控制调整镀膜条件为第二镀膜条件，在电池片的第二待镀表面上沉积形成不同于第一膜层的第二膜层。由于该双面镀膜方法中，可对于不同的待镀表面分别配置形成不同的镀膜条件，通过利用反应室内的一个镀膜源即可完成两个不同膜层的沉积工艺，因此，可以减少镀膜设备的数量，降低设备投入成本。并且，由于本申请在电池片的第一待镀表面形成第一膜层，直接对电池片进行翻转后，在第二待镀表面上形成第二膜层，因此从工艺流程上消除不同镀膜设备之间电池片的传输环节，可以节省镀膜时间，有助于提高镀膜效率，有利于电池片产能的提升。在此基础上，省掉电池片的传输环节的同时，也意味着搬运装卸电池片动作的减少，也有助于降低电池片损坏的风险。
1.一种双面镀膜方法，应用于管式pecvd设备中对电池片进行双面镀膜，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述控制调整所述镀膜条件为第二镀膜条件，包括：
3.根据权利要求1所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述镀膜条件包括硅烷流量和氨气流量中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述镀膜条件还包括反应时间、反应温度、反应压力和镀膜源功率中的至少一个。
5.根据权利要求3或4所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述第一镀膜条件包括：所述硅烷流量与所述氨气流量的比例介于1:3.5至1:10之间。
6.根据权利要求5所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述第一膜层包括至少两层沉积层；
7.根据权利要求3或4所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述第二镀膜条件包括：所述硅烷流量与所述氨气流量的比例介于1:5至1:12之间。
8.根据权利要求7所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述第二膜层包括至少两层沉积层；
9.根据权利要求1所述的双面镀膜方法，其特征在于，所述第一膜层的总厚度为70纳米至80纳米，折射率介于2.2至2.07之间；和/或，
10.一种管式pecvd设备，其特征在于，所述管式pecvd设备包括：