立式PVD双面沉积硅片装载装置的制作方法

本发明涉及一种立式pvd双面沉积硅片装载装置。

背景技术：

1、pvd物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。

2、大面积磁控溅射镀膜设备有卧式和立式两种主要模式。目前用于topcon的磁控溅射是主要卧式装备，这种装备的有点是硅片上料方便，采用下镀膜可利用载板进行掩膜。卧式硅片装载装置主要由以下缺点：(1)硅片容易掉落，造成靶短路；(2)占地面积大；(3)不易实现双面沉积。目前缺少一种配合立式磁控溅射设备使用的硅片装载装置。

3、申请号为cn202122819467.7的实用新型专利公开一种刀粒真空镀膜装载架，包括刀粒安装架，所述刀粒安装架呈瓦状结构，包括瓦状底板、瓦状顶板、支撑杆和刀粒杆；所述瓦状顶板和所述瓦状底板上下对应设置，所述支撑杆设于所述瓦状顶板和所述瓦状底板之间并位于内侧，所述支撑杆和所述瓦状底板之间固定安装，所述支撑杆和所述瓦状顶板之间可拆卸安装；所述刀粒杆设于所述瓦状顶板和所述瓦状底板之间并位于外侧，所述刀粒杆和所述瓦状底板之间转动连接，所述刀粒杆和所述瓦状顶板之间转动连接；所述刀粒杆的下段还固定安装有拨动齿轮。上述专利技术不能适用于立式pvd磁控溅射镀膜设备，无法克服现有技术中的存在的技术问题。

4、申请号为cn201810599996.0的发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种物理气相沉积pvd装置，包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。同样，上述专利技术不能适用于立式pvd磁控溅射镀膜设备，无法克服现有技术中的存在的技术问题。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是提供一种结构合理、适用立式磁控溅射设备使用的立式pvd双面沉积硅片装载装置。

2、为解决上述技术问题，本发明提供了一种立式pvd双面沉积硅片装载装置；

3、包括基片架和至少一组载板组件；

4、所述载板组件包括托盘和掩膜板，托盘设有若干第一覆膜区域，处于第一覆膜区域内的托盘反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽，处于第一覆膜区域内的托盘还开有与基片的镀膜区域吻合的第一镀膜通孔，所述第一镀膜通孔一侧延伸至托盘的正面侧壁，所述第一镀膜通孔另一侧延伸至与装配槽相通，掩膜板设有若干第二覆膜区域，若干第二覆膜区域与托盘的若干第一覆膜区域一一对应，处于第二覆膜区域内的掩膜板也开有与基片的镀膜区域吻合的第二镀膜通孔，第二镀膜通孔贯穿掩膜板的正、反面侧壁，托盘与掩膜板之间可拆卸连接，托盘的装配槽与掩膜板之间构成放置两片基板的空间；

5、基片架上设有至少一个工位，处于工位内的基片架开有放置对应载板组件的通槽，基片架还设有至少一组罩板组件，至少一组罩板组件、至少一个工位与至少一组载板组件为一一对应关系，所述罩板组件包括两个罩板，两个罩板分别处于对应工位位置的基片架正、反面两侧，所述罩板下端与基片架之间铰接，所述罩板上端与基片架之间的可拆卸连接，所述罩板上开有贯穿其正、反面的遮罩孔，所述遮罩孔完全覆盖载板组件的所有第一镀膜通孔或者所有第二镀膜通孔。

6、作为本立式pvd双面沉积硅片装载装置的优选，所述罩板组件还包括两个固定螺栓，两个固定螺栓与两个罩板一一对应，所述固定螺栓贯穿对应罩板上端且与基片架本体配合，实现罩板上端与基片架之间的可拆卸连接。

7、作为本立式pvd双面沉积硅片装载装置的优选，所述掩膜板正面沿第二镀膜通孔边缘延伸有环形凸起，托盘与掩膜板配合后，环形凸起的正面端面至托盘对应装配槽之间仅具有容纳两张基板的空间。

8、作为本立式pvd双面沉积硅片装载装置的优选，掩膜板的第二镀膜通孔孔壁与掩膜板的反面端面之间具有倒角。

9、作为本立式pvd双面沉积硅片装载装置的优选，所述基片架顶部设有若干与管式炉内导轨配合的导向滚轮。若干导向滚轮沿基片架的长度方向依次间隔布置。

10、作为本立式pvd双面沉积硅片装载装置的优选，所述基片架底部设有与管式炉内驱动机构配合的拉光圆钢。

11、采用这样的结构后，每个托盘的装配槽与掩膜板之间的空间放置两片基片，托盘和掩膜板通过螺栓固定，再将载板组件整体放置在基片架的对应工位中，罩板组件的两个罩板分别抵靠在载板组件的托盘和掩膜板上。

12、利用本立式pvd双面沉积硅片装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业，并且同一区域内可以通过两片基片镀膜。

技术特征：

1.一种立式pvd双面沉积硅片装载装置，其特征为：

2.根据权利要求1所述的立式pvd双面沉积硅片装载装置，其特征是：

3.根据权利要求1所述的立式pvd双面沉积硅片装载装置，其特征是：

4.根据权利要求1所述的立式pvd双面沉积硅片装载装置，其特征是：

5.根据权利要求1所述的立式pvd双面沉积硅片装载装置，其特征是：

6.根据权利要求1所述的立式pvd双面沉积硅片装载装置，其特征是：

技术总结
本发明给出了一种立式PVD双面沉积硅片装载装置；包括基片架和载板组件；载板组件包括托盘和掩膜板，托盘设有若干第一覆膜区域，处于第一覆膜区域内的托盘反面侧壁开有装配槽，处于第一覆膜区域内的托盘还开有第一镀膜通孔，第一镀膜通孔延伸至与装配槽相通，掩膜板设有若干第二覆膜区域，掩膜板也开有第二镀膜通孔，托盘与掩膜板之间可拆卸连接；基片架上设有工位，处于工位内的基片架开有通槽，基片架还设有罩板组件，罩板组件的两个罩板分别基片架正、反面两侧，罩板下端与基片架之间铰接，罩板上端与基片架之间的可拆卸连接，罩板上开有遮罩孔。利用本装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业，同一区域内可以通过两片基片镀膜。

技术研发人员：王杨阳,彭为报,葛怀庆,章新良,孙嵩泉
受保护的技术使用者：普乐新能源（蚌埠）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12