掩模组和有机器件的制作方法

1.本实用新型的实施方式涉及掩模组和有机器件。


背景技术：

2.近年来，在智能手机、平板电脑等电子器件中，市场上要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的像素密度。
3.由于具有良好的响应性和/或低功耗，因此有机el显示装置受到关注。作为形成有机el显示装置的像素的方法，已知通过蒸镀使构成像素的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在阳极上，由此在阳极上形成有机层。接着，经由掩模的贯通孔使导电性材料附着在有机层上，由此在有机层上形成阴极。
4.阴极有时通过使用多个掩模的蒸镀法形成。这种情况下，利用各掩模形成构成阴极的层，形成相互相邻的层彼此重叠电极重叠区域。由此，各层被电连接。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本特开2019-060028号公报
8.专利文献2：日本特开2005-183153号公报


技术实现要素：

9.实用新型所要解决的课题
10.若阴极的电极重叠区域的厚度变厚，则光的透射率降低。
11.用于解决课题的手段
12.本实用新型的一个实施方式的掩模组可以具备2个以上的掩模。上述掩模可以具备遮蔽区域和贯通孔。2个以上的上述掩模重叠而成的掩模层积体可以具备在沿着上述掩模的法线方向观察时与上述贯通孔重叠的贯通区域。在沿着上述掩模的法线方向观察时，上述掩模层积体可以具备：包含具有第1开口率的上述贯通区域的掩模第1区域；和包含具有小于上述第1开口率的第2开口率的上述贯通区域的掩模第2区域。上述掩模可以包含第1面和位于与上述第1面相反一侧的第2面。上述贯通孔可以包含位于上述第1面侧的第1凹部、位于上述第2面侧的第2凹部、和连接上述第1凹部与上述第2凹部的连接部。在利用沿着上述法线方向的截面观察时，区域划定直线可以定义为通过上述连接部且与上述第1面形成角度θ的直线。上述区域划定直线可以与上述第1面在第1交点处相交。可以在较上述第1交点更靠近上述贯通孔的内侧处划定有效区域，在较上述第1交点更靠近上述贯通孔的外侧处划定周围区域。上述角度θ可以为35
°
以上70
°
以下。上述掩模第2区域中的上述贯通区域可以包含2个上述掩模的上述贯通孔重叠的孔重叠区域。上述孔重叠区域可以包含上述掩模层积体所包含的2个上述掩模的上述贯通孔的上述周围区域重叠的第1孔重叠区域。
13.实用新型的效果
14.根据本实用新型的一个实施方式，能够提高光的透射率。
附图说明
15.图1是示出本实用新型的一个实施方式的有机器件的一例的俯视图。
16.图2是示出有机器件的第2显示区域的俯视图。
17.图3是示出有机器件的第2电极的俯视图。
18.图4是示出从图3所示的有机器件去除了第2电极后的状态的俯视图。
19.图5是示意性地沿着图3所示的有机器件的a-a线的截面图。
20.图6是示意性地沿着图3所示的有机器件的b-b线的截面图。
21.图7是示出图3所示的第2电极的电极重叠区域的俯视图。
22.图8是示出图7所示的电极重叠区域的截面图。
23.图9是示出电极重叠区域的比较例的截面图。
24.图10是示出具备掩模装置的蒸镀装置的一例的图。
25.图11是示出掩模装置的一例的俯视图。
26.图12是示出掩模装置的掩模的俯视图。
27.图13a是示出第1掩模装置的俯视图。
28.图13b是示出第2掩模装置的俯视图。
29.图13c是示出第3掩模装置的图。
30.图14是示出掩模的截面结构的一例的截面图。
31.图15是示出贯通孔的有效区域和周围区域的截面图。
32.图16是示出用于形成图3所示的第2电极的第1掩模的一例的俯视图。
33.图17是示出用于形成图3所示的第2电极的第2掩模的一例的俯视图。
34.图18是示出用于形成图3所示的第2电极的第3掩模的一例的俯视图。
35.图19是示出用于形成图3所示的第2电极的掩模层积体的一例的俯视图。
36.图20是示出图19所示的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
37.图21是示出图20所示的孔重叠区域的截面图。
38.图22是示出图3所示的第2电极的变形例的俯视图。
39.图23是示出图22所示的第2电极的电极重叠区域的俯视图。
40.图24是示出图23所示的电极重叠区域的截面图。
41.图25是示出用于形成图22所示的第2电极的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
42.图26是示出图25所示的孔重叠区域的截面图。
43.图27是示出图15所示的贯通孔的有效区域和周围区域的变形例的截面图。
44.图28是示出图3所示的第2电极的变形例的俯视图。
45.图29是示出图28所示的第2电极的电极重叠区域的俯视图。
46.图30是示出用于形成图28所示的第2电极的第1掩模的一例的俯视图。
47.图31是示出用于形成图28所示的第2电极的第2掩模的一例的俯视图。
48.图32是示出用于形成图28所示的第2电极的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
49.图33是示出图32所示的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
具体实施方式
50.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。
51.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。
52.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。
53.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一标号或类似的标号，有时省略其重复的说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，有时从附图中省略结构的一部分。
54.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，本实用新型的实施方式可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式或变形例组合。另外，其他实施方式彼此、或其他实施方式与变形例也可以在不产生矛盾的范围内组合。另外，变形例彼此也可以在不产生矛盾的范围内组合。
55.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其他工序。另外，所公开的工序的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。
56.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，由符号“～”表示的范围包括置于标号“～”的前后的数值或要素。例如，“34～38质量％”这样的表述所划定的数值范围与“34质量％以上且38质量％以下”这样的表述所划定的数值范围相同。例如，“掩模50a～50c”这样的表述所划定的范围包括掩模50a、50b、50c。
57.在本说明书的一个实施方式中，对如下例子进行说明：具备多个掩模的掩模组用于在制造有机el显示装置时在基板上形成电极。但是，掩模组的用途没有特别限定，对于用于各种用途的掩模组，能够应用本实施方式。例如，为了形成如下装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组，其中，所述装置是用于显示或投影用于表现虚拟现实(所谓的vr)或增强现实(所谓的ar)的图像或影像的装置。另外，为了形成液晶显示装置的电极等、有机el显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。另外，为了形成压力传感器的电极等、显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。
58.本实用新型的第1方式涉及一种掩模组，其具备2个以上的掩模，
59.上述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，
60.2个以上的上述掩模重叠而成的掩模层积体具备在沿着上述掩模的法线方向观察时与上述贯通孔重叠的贯通区域，
61.在沿着上述掩模的法线方向观察时，上述掩模层积体具备：包含具有第1开口率的上述贯通区域的掩模第1区域；和包含具有小于上述第1开口率的第2开口率的上述贯通区域的掩模第2区域，
62.上述掩模包含第1面和位于与上述第1面相反一侧的第2面，
63.上述贯通孔包含位于上述第1面侧的第1凹部、位于上述第2面侧的第2凹部、和连接上述第1凹部与上述第2凹部的连接部，
64.在利用沿着上述法线方向的截面观察时，区域划定直线定义为通过上述连接部且与上述第1面形成角度θ的直线，上述区域划定直线与上述第1面在第1交点处相交，在较上述第1交点更靠近上述贯通孔的内侧处划定有效区域，在较上述第1交点更靠近上述贯通孔的外侧处划定周围区域，
65.上述角度θ为35
°
以上70
°
以下，
66.上述掩模第2区域中的上述贯通区域包含2个上述掩模的上述贯通孔重叠的孔重叠区域，
67.上述孔重叠区域包含上述掩模层积体所包含的2个上述掩模的上述贯通孔的上述周围区域重叠的第1孔重叠区域。
68.本实用新型的第2方式中，在上述第1方式的掩模组中，上述第1孔重叠区域可以与上述掩模的上述贯通孔的上述有效区域间隔开。
69.本实用新型的第3方式中，在上述第1方式的掩模组中，上述孔重叠区域可以包含上述掩模层积体所包含的1个上述掩模的上述贯通孔的上述有效区域与另一个上述掩模的上述贯通孔的上述周围区域重叠的第2孔重叠区域。
70.本实用新型的第4方式中，在上述第1方式至上述第3方式的各掩模组中，上述区域划定直线可以与上述第2凹部的壁面的任意点相接。
71.本实用新型的第5方式中，在上述第1方式至上述第4方式的各掩模组中，在上述掩模第1区域和上述掩模第2区域的各个区域，2个以上的上述贯通孔可以位于上述掩模。
72.本实用新型的第6方式中，涉及一种有机器件的制造方法，其可以具备第2电极形成工序：使用上述第1方式至上述第5方式的各掩模组，在基板上的第1电极上的有机层上形成第2电极。上述第2电极形成工序可以具备：通过使用上述掩模的蒸镀法来形成上述第2电极的第1层的工序；和通过使用其他上述掩模的蒸镀法来形成上述第2电极的第2层的工序。
73.本实用新型的第7方式中，在上述第6方式的有机器件的制造方法中，可以将形成上述第2电极的蒸镀材料的飞来方向与上述掩模的上述第1面所形成的角度设为θ1。可以将通过上述连接部并与上述第2凹部相接的直线与上述第1面所形成的角度设为θ2。上述角度θ1大于上述角度θ2时，上述区域划定直线的上述角度θ可以为上述角度θ1。
74.本实用新型的第8方式中，涉及一种有机器件，其具备：
75.基板；
76.位于上述基板上的第1电极；
77.位于上述第1电极上的有机层；和
78.位于上述有机层上的第2电极，
79.在沿着上述基板的法线方向观察时，上述有机器件具备：包含具有第1占有率的上述第2电极的第1显示区域；和包含具有小于上述第1占有率的第2占有率的上述第2电极的第2显示区域，
80.上述第2电极包含相互不同的位于上述有机层上的2个以上的层，
81.上述层包含层主体区域和具有比上述层主体区域的厚度薄的厚度的层周围区域，
82.上述第2显示区域中的上述第2电极包含2个上述层重叠的电极重叠区域，
83.上述电极重叠区域包含：上述层的上述层周围区域重叠的第1电极重叠区域；和1个上述层的上述层主体区域与另一个上述层的上述层周围区域重叠的第2电极重叠区域。
84.参照附图，对本实用新型的一个实施方式详细地进行说明。需要说明的是，以下所示的实施方式是本实用新型的实施方式的一例，本实用新型并不仅限于这些实施方式来解释。
85.对有机器件100进行说明。有机器件100具备通过使用本实施方式的掩模组而形成的电极。图1是示出沿着有机器件100的基板110的法线方向观察时的有机器件100的一例的俯视图。在以下的说明中，将沿着基板等成为基础的物质的面的法线方向观察的情况也称为俯视。
86.有机器件100包括基板110(参照图5)和沿着基板110的第1面111或第2面112排列的多个元件115。元件115例如是像素。如图1所示，在俯视时，有机器件100可以包含第1显示区域101和第2显示区域102。第2显示区域102可以具有比第1显示区域101小的面积。如图1所示，第2显示区域102可以被第1显示区域101包围。虽未图示，但第2显示区域102的外缘的一部分也可以与第1显示区域101的外缘的一部分位于同一直线上。
87.图2是将图1的第2显示区域102及其周围放大示出的俯视图。在第1显示区域101中，元件115也可以沿着不同的2个方向排列。在图1和图2所示的例子中，第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着元件第1方向g1排列。第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着与元件第1方向g1交叉的元件第2方向g2排列。元件第2方向g2也可以与元件第1方向g1垂直。
88.有机器件100具备第2电极140。第2电极140位于后述的有机层130上。第2电极140可以与2个以上的有机层130电连接。例如，第2电极140可以在俯视时与2个以上的有机层130重叠。也将位于第1显示区域101的第2电极140表示为第2电极140x。也将位于第2显示区域102的第2电极140表示为第2电极140y。
89.第2电极140x具有第1占有率。第1占有率是通过将位于第1显示区域101的第2电极140的面积的合计除以第1显示区域101的面积而算出的。第2电极140y具有第2占有率。第2占有率是通过将位于第2显示区域102的第2电极140的面积的合计除以第2显示区域102的面积而算出的。第2占有率可以小于第1占有率。例如，如图2所示，第2显示区域102可以包括非透射区域103和透射区域104。透射区域104在俯视时不与第2电极140y重叠。非透射区域103在俯视时与第2电极140y重叠。
90.第1占有率可以大于0％且小于100％。这种情况下，第1显示区域101包含：被第2电极140的后述第1层140a～第3层140c中的任一层所占有的区域；和未被第1层140a～第3层140c中的任一层占有的区域。但是，不限于此，第1占有率可以为100％。这种情况下，第1显示区域101的整体被第2电极140的第1层140a～第3层140c中的任一层所占有。第2占有率可以大于0％且小于100％。这种情况下，第2显示区域102包含：被第2电极140的第1层140a～第3层140c中的任一层所占有的区域；和未被第1层140a～第3层140c中的任一层占有的区域。
91.第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.2以上、可以为0.3以上、也可以为0.4以上。第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.6以下、可以为0.7以下、也可以为
0.8以下。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.7以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.2以上0.3以下、可以为0.3以上0.8以下、可以为0.3以上0.7以下、可以为0.3以上0.6以下、可以为0.3以上0.4以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.7以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.8以下、可以为0.6以上0.7以下、也可以为0.7以上0.8以下。
92.也将非透射区域103的透射率称作第1透射率。也将透射区域104的透射率称作第2透射率。由于透射区域104不包含第2电极140y，因此第2透射率比第1透射率高。因此，在包含透射区域104的第2显示区域102中，到达有机器件100的光能够透过透射区域104而到达基板110的背面侧的光学部件等。光学部件例如是照相机等通过检测光来实现某些功能的部件。由于第2显示区域102包含非透射区域103，因此在元件115为像素的情况下，能够在第2显示区域102显示影像。这样，第2显示区域102能够检测光且显示影像。通过检测光所实现的第2显示区域102的功能例如是照相机、指纹传感器、脸部识别传感器等传感器等。透射区域104的第2透射率越高，越能够增加传感器所接收的光量。第2显示区域102的第2占有率越低，越能够增加传感器所接收的光量。
93.非透射区域103在元件第1方向g1及元件第2方向g2上的尺寸、以及透射区域104在元件第1方向g1及元件第2方向g2上的尺寸中的任一者为1mm以下的情况下，可以使用显微分光光度计测定第1透射率和第2透射率。作为显微分光光度计，可以使用奥林巴斯株式会社制造的osp-sp200或大塚电子株式会社制造的lcf系列中的任一者。任一显微分光光度计均可在380nm以上且780nm以下的可见光区域测定透射率。可以使用石英、tft液晶用硼硅酸玻璃或tft液晶用无碱玻璃中的任一者作为参考。可以将550nm处的测定结果用作第1透射率和第2透射率。
94.在非透射区域103在元件第1方向g1及元件第2方向g2上的尺寸、以及透射区域104在元件第1方向g1及元件第2方向g2上的尺寸均大于1mm的情况下，可以使用分光光度计测定第1透射率和第2透射率。作为分光光度计，可以使用株式会社岛津制作所制造的紫外可见分光光度计uv-2600i或uv-3600i plus中的任一者。通过在分光光度计上安装微小光束光圈单元，能够测定最大具有1mm的尺寸的区域的透射率。可以使用大气作为参考。可以将550nm处的测定结果用作第1透射率和第2透射率。
95.第2透射率tr2相对于第1透射率tr1之比tr2/tr1例如可以为1.2以上、可以为1.5以上、也可以为1.8以上。tr2/tr1例如可以为2以下、可以为3以下、也可以为4以下。tr2/tr1的范围可以通过由1.2、1.5以及1.8构成的第1组和/或由2、3以及4构成的第2组来限定。tr2/tr1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。tr2/tr1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。tr2/tr1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为1.2以上4以下、可以为1.2以上3以下、可以为1.2以上2以下、可以为1.2
以上1.8以下、可以为1.2以上1.5以下、可以为1.5以上4以下、可以为1.5以上3以下、可以为1.5以上2以下、可以为1.5以上1.8以下、可以为1.8以上4以下、可以为1.8以上3以下、可以为1.8以上2以下、可以为2以上4以下、可以为2以上3以下、也可以为3以上4以下。
96.如图2所示，第2电极140y可以包含在元件第1方向g1上排列的2个以上的电极线140l。电极线140l可以在元件第2方向g2上延伸。例如，电极线140l可以包括与第1显示区域101的第2电极140x连接的第1端140l1和第2端140l2。第2端140l2在元件第2方向g2上位于与第1端140l1相反的一侧。虽然未图示，但在第2显示区域102的外缘的一部分与第1显示区域101的外缘的一部分位于同一直线上的情况下，与第2电极140x连接的电极线140l的端可以仅为1个。
97.图3是将第1显示区域101的第2电极140x和第2显示区域102的第2电极140y放大示出的俯视图。第2电极140x和第2电极140y都可以在俯视时与有机层130重叠。有机层130是元件115的一个构成要素。
98.在第1显示区域101中，有机层130可以沿着元件第1方向g1以第1间距p1(参照图4)排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着元件第1方向g1以第2间距p2排列。第2间距p2可以比第1间距p1大。由此，第2电极140y的第2占有率变小。由此，透射区域104的面积变大，能够增加传感器接收的光量。
99.第2间距p2相对于第1间距p1之比例如可以为1.1以上、可以为1.3以上、也可以为1.5以上。第2间距p2相对于第1间距p1之比例如可以为2.0以下、可以为3.0以下、也可以为4.0以下。第2间距p2相对于第1间距p1之比的范围可以通过由1.1、1.3及1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0和4.0构成的第2组来限定。第2间距p2相对于第1间距p1之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2间距p2相对于第1间距p1之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2间距p2相对于第1间距p1之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为1.1以上4.0以下、可以为1.1以上3.0以下、可以为1.1以上2.0以下、可以为1.1以上1.5以下、可以为1.1以上1.3以下、可以为1.3以上4.0以下、可以为1.3以上3.0以下、可以为1.3以上2.0以下、可以为1.3以上1.5以下、可以为1.5以上4.0以下、可以为1.5以上3.0以下、可以为1.5以上2.0以下、可以为2.0以上4.0以下、可以为2.0以上3.0以下、也可以为3.0以上4.0以下。在第2间距p2相对于第1间距p1之比小的情况下，第2显示区域102的像素密度相对于第1显示区域101的像素密度之差变小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。
100.电极线140l可以在俯视时与沿着元件第2方向g2排列的2个以上的有机层130重叠。
101.对第2电极140的层结构进行说明。
102.第2电极140可以包含多个层。例如，第2电极140可以包含第1层140a、第2层140b和第3层140c。第1层140a、第2层140b和第3层140c分别是通过蒸镀法形成的层。更具体而言，第1层140a通过使用第1掩模50a的蒸镀法形成。第2层140b通过使用第2掩模50b的蒸镀法形成。第3层140c通过使用第3掩模50c的蒸镀法形成。
103.如图7和图8所示，第2电极140的各层140a～140c包含层主体区域141和层周围区域142。
104.层主体区域141在俯视时位于层的中央，是难以受到后述的阴影影响的区域。层主体区域141具有比层周围区域142的厚度更厚的厚度。层主体区域141可以比较平坦地形成。层主体区域141可以由贯通孔53的后述有效区域57所划定。
105.层周围区域142位于层主体区域141的外侧且为层主体区域141的周围。层周围区域142是容易受到阴影影响的区域。层周围区域142具有比层主体区域141的厚度更薄的厚度。层周围区域142可以是厚度发生变化的区域。层周围区域142可以由贯通孔53的后述周围区域58所划定。
106.层周围区域142可以是具有层主体区域141的厚度ta的95％以下的厚度的区域。即，层周围区域142的厚度可以在层主体区域141的厚度ta的95％以下的范围变化。例如，厚度相对于厚度ta的百分数可以为80％以下、50％以下。
107.第2电极140的各层140a～140c在俯视时可以具有大致多边形形状的轮廓，或者也可以具有大致圆形的轮廓。例如，各层可以具有大致四边形形状、大致六边形形状或大致八边形形状的轮廓。在图3所示的例子中，各层140a～140c具有大致正八边形形状的轮廓。各层140a～140c可以具有相同的平面轮廓。相互对置的2条边沿着元件第1方向g1，相互对置的另两条边沿着元件第2方向g2。在各层140a～140c的轮廓为大致多边形形状的轮廓时，轮廓中的四个角可以弯曲。
108.第1层140a可以在元件第1方向g1和元件第2方向g2上与第2层140b和第3层140c连接。第1层140a可以在俯视时与有机层130重叠。例如，第1层140a可以与后述的第1有机层130a重叠。第1层140a可以位于与第2层140b和第3层140c不同的有机层130上。
109.第2层140b可以在元件第1方向g1和元件第2方向g2上与第1层140a和第3层140c连接。第2层140b可以在俯视时与有机层130重叠。例如，第2层140b可以与后述的第2有机层130b重叠。第2层140b可以位于与第1层140a和第3层140c不同的有机层130上。
110.第3层140c可以在元件第1方向g1和元件第2方向g2上与第1层140a和第2层140b连接。第3层140c可以在俯视时与有机层130重叠。例如，第3层140c可以与后述的第3有机层130c重叠。第3层140c可以位于与第1层140a和第2层140b不同的有机层130上。
111.在第1显示区域101中，第1层140a、第2层140b和第3层140c可以沿着元件第1方向g1和元件第2方向g2反复排列。在图3所示的例子中，第1层140a、第2层140b和第3层140c配置在正三角形的顶点。通过如此配置的3个层140a、140b、140c，与上述的第1电极120和有机层130一起构成1个像素。
112.在第2显示区域102中，第1层140a、第2层140b和第3层140c可以沿着元件第1方向g1和元件第2方向g2反复排列。在图3所示的例子中，通过与第1显示区域101同样地配置在正三角形的顶点的3个层140a、140b、140c构成了1个像素。像素在元件第1方向g1上隔开间隔而配置。在元件第1方向g1上，透射区域104介于相邻的像素之间。像素在元件第2方向g2上隔开间隔而配置。第2层140b介于在元件第2方向g2上相邻的2个像素之间。不形成与该第2层140b对应的第1电极120和有机层130，在不构成该像素的第2层140b与基板110之间插入有绝缘层160。通过不构成该像素的第2层140b构成电极线140l，确保了第2电极140的导电性。
113.图4是示出从图3所示的有机器件100去除了第2电极140的状态的俯视图。有机层130可以包含第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c。第1有机层130a、第2有机层
130b和第3有机层130c例如可以为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。在以下的说明中，在说明第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c共同的有机层的结构的情况下，使用“有机层130”这样的用语和标号。第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c与第2电极140的3个层140a～140c同样地配置在正三角形的顶点。
114.对于俯视时的第2电极140和有机层130的配置，通过使用高倍率的数字显微镜观察有机器件100来检测。基于检测结果，能够算出上述的占有率、面积、尺寸、间隔等。在有机器件100具备罩玻璃等罩的情况下，可以去除罩后来观察第2电极140和有机层130。可以通过将罩剥离或破坏等来去除罩。也可以不使用数字显微镜而使用扫描型电子显微镜。
115.接着，对有机器件100的层结构的一例进行说明。图5是示意性地沿着图3所示的有机器件的a-a线的截面图。图6是示意性地沿着图3所示的有机器件的b-b线的截面图。
116.如上所述，有机器件100具备基板110和位于基板110上的元件115。如上所述，元件115可以具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130和位于有机层130上的第2电极140。
117.有机器件100可以具备在俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如可以包含聚酰亚胺。绝缘层160可以与第1电极120的端部重叠。
118.绝缘层160可以在俯视时与后述的电极重叠区域148重叠。例如，在俯视时，电极重叠区域148可以被绝缘层160的轮廓包围。
119.电极重叠区域148包含第2电极140的多个层。因此，电极重叠区域148具有比第2电极140的1个层低的透射率。当透过电极重叠区域148的光从有机器件100射出时，有时光的强度会产生不均。通过使绝缘层160与电极重叠区域148重叠，能够抑制光的强度产生不均的情况。
120.电极重叠区域148是俯视时2个层部分重叠的区域。在图3所示的例子中，电极重叠区域148在俯视时包含第1层140a与第2层140b重叠的区域、第1层140a与第3层140c重叠的区域、以及第2层140b与第3层140c重叠的区域。可以不存在3个层140a、140b、140c重叠区域。
121.如图7和图8所示，电极重叠区域148可以包含各层的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149。图7是示出电极重叠区域148的俯视图。图8是示出电极重叠区域148的截面图。
122.例如，第1电极重叠区域149包含第1层140a的层周围区域142与第2层140b的层周围区域142重叠的区域、第1层140a的层周围区域142与第3层140c的层周围区域142重叠的区域、以及第2层140b的层周围区域142与第3层140c的层周围区域142重叠的区域。本实施方式中的电极重叠区域148由各层的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149构成。各层的层主体区域141也可以不与电极重叠区域重叠。各层的层主体区域141彼此可以不重叠。
123.如图8所示，通过层周围区域142彼此重叠，能够减小电极重叠区域148中的第2电极140的厚度。例如，如图9所示，在层主体区域141彼此重叠的情况下，电极重叠区域148中的第2电极140的最大厚度tb为层主体区域141的厚度ta的2倍。与此相对，在层周围区域142彼此重叠的情况下，电极重叠区域148中的第2电极140的厚度tb小于层主体区域141的厚度ta的2倍。因此，通过层主体区域141彼此不重叠，能够减小电极重叠区域148中的第2电极140的厚度tb。
124.如图8所示，第1电极重叠区域149可以与层主体区域141间隔开。非重叠区域150可以位于第1电极重叠区域149与层主体区域141之间。
125.例如，第1层140a的层周围区域142与第2层140b的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149可以与第1层140a的层主体区域141间隔开。非重叠区域150可以位于该第1电极重叠区域149与第1层140a的层主体区域141之间。第1层140a的层周围区域142与第2层140b的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149可以与第2层140b的层主体区域141间隔开。非重叠区域150可以位于该第1电极重叠区域149与第2层140b的层主体区域141之间。
126.同样地，第1层140a的层周围区域142与第3层140c的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149可以与各层140a、140c的层主体区域141间隔开。
127.同样地，第2层140b的层周围区域142与第3层140c的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149可以与各层140b、140c的层主体区域141间隔开。
128.有机器件100可以是有源矩阵型。例如，虽未图示，但有机器件100可以具备开关。开关与多个元件115分别电连接。开关例如是晶体管。开关能够控制针对对应的元件115的电压或电流的接通/断开。
129.基板110包含第1面111和第2面112。基板110可以是具有绝缘性的板状的部件。基板110优选具有使光透过的透过性。
130.基板110具有规定的透过性的情况下，基板110的透过性优选为能够使来自有机层130的发光透过而进行显示的程度的透过性。例如，基板110在可见光区域的透射率可以为70％以上、也可以为80％以上。基板110的透射率可以通过依据jis k7361-1的塑料-透明材料的总透光率的试验方法来测定。
131.基板110可以具有挠性，也可以不具有挠性。可以根据有机器件100的用途适当选择基板110的材料。
132.作为基板110的材料，例如可以使用石英玻璃、pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板、或者无碱玻璃等不具有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、或者薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。基材可以是在树脂膜的单面或双面具有阻隔层的层积体。
133.基板110的厚度可以根据基板110所使用的材料、有机器件100的用途等适当选择。例如，基板110的厚度可以为0.005mm以上。基板110的厚度可以为5mm以下。
134.通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压、或者在第1电极120与第2电极140之间流过电流，元件115可以实现某些功能。例如，在元件115是有机el显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。
135.第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、或者其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物等具有透过性和导电性的金属氧化物。
136.作为构成第1电极120的材料，可以使用：au、cr、mo、ag、或者mg等金属；被称为ito的氧化铟锡、被称为izo的氧化铟锌、氧化锌、氧化铟等无机氧化物；或者金属掺杂的聚噻吩等导电性高分子等。这些导电性材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以层积由各材料构成的层。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。例如，可以使用mgag等镁合金等。
137.有机层130包含有机材料。当对有机层130通电时，有机层130能够发挥某些功能。
通电是指对有机层130施加电压、或者在有机层130中流过电流。作为有机层130，可以使用通过通电而放出光的发光层、通过通电而使光的透射率或折射率变化的层等。有机层130可以包含有机半导体材料。
138.将包含第1电极120、第1有机层130a和第2电极140的层积结构也称为第1元件115a。将包含第1电极120、第2有机层130b和第2电极140的层积结构也称为第2元件115b。将包含第1电极120、第3有机层130c和第2电极140的层积结构也称为第3元件。在有机器件100为有机el显示装置的情况下，第1元件115a、第2元件115b以及第3元件分别为子像素。可以通过第1元件115a、第2元件115b和第3元件115c的组合来构成1个像素。
139.在以下的说明中，在对第1元件115a、第2元件115b和第3元件所共用的元件的结构进行说明的情况下，使用“元件115”这样的用语和标号。
140.当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，位于两者之间的有机层130被驱动。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，并从第2电极140侧或第1电极120侧向外部取出光。
141.在有机层130包含通过通电而放出光的发光层的情况下，有机层130可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层等。
142.例如，在第1电极120为阳极的情况下，有机层130可以在发光层与第1电极120之间具有空穴注入传输层。空穴注入传输层可以是具有空穴注入功能的空穴注入层，也可以是具有空穴传输功能的空穴传输层，还可以具有空穴注入功能和空穴传输功能这两种功能。在空穴注入传输层可以层积有空穴注入层和空穴传输层。
143.在第2电极140为阴极的情况下，有机层130可以在发光层与第2电极140之间具有电子注入传输层。电子注入传输层可以是具有电子注入功能的电子注入层，也可以是具有电子传输功能的电子传输层，还可以具有电子注入功能和电子传输功能这两种功能。在电子注入传输层可以层积有电子注入层和电子传输层。
144.发光层包含发光材料。发光层可以包含使流平性提高的添加剂。
145.作为发光材料，可以使用公知的材料，例如，可以使用色素系材料、金属络合物系材料或高分子系材料等作为发光材料。
146.作为色素系材料，可以使用例如环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、噻咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、或者吡唑啉二聚物等。
147.作为金属络合物系材料，可以使用例如羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、铕络合物等中心金属具有al、zn、be等或tb、eu、dy等稀土金属、配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。
148.作为高分子系材料，可以使用例如聚对苯撑乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚芴衍生物、或者聚喹喔啉衍生物、和它们的共聚物等。
149.出于提高发光效率或改变发射光波长等目的，发光层可以包含掺杂剂。作为掺杂剂，可以举出例如苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍
生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、或者芴衍生物等。作为掺杂剂，可以具有铂或铱等重金属离子，也可以使用显示出磷光的有机金属络合物。掺杂剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
150.作为发光材料和掺杂剂，也可以使用例如日本特开2010-272891号公报的[0094]～[0099]、或国际公开第2012/132126号的[0053]～[0057]中记载的材料。
[0151]
关于发光层的厚度，只要是能够使电子与空穴再结合而表现出发光功能的厚度就没有特别限定。发光层的厚度例如可以为1nm以上，可以为500nm以下。
[0152]
作为用于空穴注入传输层的空穴注入传输性材料，可以使用公知的材料。作为空穴注入传输性材料，可以使用例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、均二苯代乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯基胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、卟啉衍生物、或者苯乙烯基胺衍生物等。作为其他材料，可示例出螺环化合物、酞菁化合物、或者金属氧化物等。作为空穴注入传输性材料，也可以适当选择使用例如日本特开2011-119681号公报、国际公开第2012/018082号、日本特开2012-069963号公报、或者国际公开第2012/132126号的[0106]中记载的化合物。
[0153]
空穴注入传输层具有空穴注入层和空穴传输层层积而成的构成时，可以使空穴注入层含有添加剂a，也可以使空穴传输层含有添加剂a，还可以使空穴注入层和空穴传输层含有添加剂a。添加剂a可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。作为添加剂a，可以使用例如氟系化合物、酯系化合物、或者烃系化合物等。
[0154]
作为用于电子注入传输层的电子注入传输性材料，可以使用公知的材料。作为电子注入传输性材料，可以使用例如碱金属类、碱金属的合金、碱金属的卤化物、碱土金属类、碱土金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱金属的有机络合物、镁的卤化物或氧化物、或者氧化铝等。作为电子注入传输性材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等芳香环四羧酸酐、碳化二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羟基喹啉络合物等金属络合物、酞菁化合物、或者二苯乙烯基吡嗪衍生物等。
[0155]
也可以形成在电子传输性的有机材料中掺杂碱金属或碱土金属的金属掺杂层，将其作为电子注入传输层。作为电子传输性的有机材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羟基喹啉络)铝(alq3)等金属络合物或者它们的高分子衍生物等。作为进行掺杂的金属，可以使用li、cs、ba、或者sr等。
[0156]
第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140通过后述使用掩模的蒸镀法而形成在有机层130上。作为构成第2电极140的材料，可以使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、或者碳等。这些材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，第2电极140可以具有将各材料构成的层层积而成的构成。作为第2电极140，也可以使用包含2种以上的材料的合金。作为第2电极140，例如，可以使用mgag等镁合金、alli、alca、almg等铝合金、或者碱金属类或碱土金属类的合金等。
[0157]
第2电极140的层主体区域141的厚度ta例如可以为5nm以上、可以为10nm以上、可以为50nm以上、也可以为100nm以上。层主体区域141的厚度ta例如可以为200nm以下、可以为500nm以下、可以为1μm以下、也可以为100μm以下。层主体区域141的厚度ta的范围可以通过由5nm、10nm、50nm及100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm及100μm构成的第2组来限定。层主体区域141的厚度ta的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。层主体区域141的厚度ta的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。层主体区域141的厚度ta的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为5nm以上100μm以下、可以为5nm以上1μm以下、可以为5nm以上500nm以下、可以为5nm以上200nm以下、可以为5nm以上100nm以下、可以为5nm以上50nm以下、可以为5nm以上10nm以下、可以为10nm以上100μm以下、可以为10nm以上1μm以下、可以为10nm以上500nm以下、可以为10nm以上200nm以下、可以为10nm以上100nm以下、可以为10nm以上50nm以下、可以为50nm以上100μm以下、可以为50nm以上1μm以下、可以为50nm以上500nm以下、可以为50nm以上200nm以下、可以为50nm以上100nm以下、可以为100nm以上100μm以下、可以为100nm以上1μm以下、可以为100nm以上500nm以下、可以为100nm以上200nm以下、可以为200nm以上100μm以下、可以为200nm以上1μm以下、可以为200nm以上500nm以下、可以为500nm以上100μm以下、可以为500nm以上1μm以下、也可以为1μm以上100μm以下。
[0158]
层主体区域141的厚度ta越小，则第2电极140的透射率越高，非透射区域103的透射率也越高。入射到非透射区域103的光也能够对应于非透射区域103的透射率而到达传感器。通过提高非透射区域103的透射率，能够增加传感器接收的光量。
[0159]
关于有机器件100的各构成要素的厚度，可以通过使用扫描型电子显微镜或白色干涉计观察有机器件100的截面的图像来测定。例如，基板110的厚度和第2电极140的厚度等可以使用扫描型电子显微镜或白色干涉计来测定。例如，第2电极140的层主体区域141的厚度的测定可以使用ryoka systems inc.制造的白色干涉计“vertscan(注册商标)、r6500h-a300”。
[0160]
对通过蒸镀法形成上述的有机器件100的第2电极140的方法进行说明。图10是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施使蒸镀材料蒸镀到对象物上的蒸镀处理。
[0161]
蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8和掩模装置40。蒸镀装置10可以具备用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如是坩埚。蒸镀源6收纳导电性材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置40以与坩埚6对置的方式配置。
[0162]
如图10所示，掩模装置40可以具备：至少1个掩模50；和支承掩模50的框架41。框架41可以包括第1框架面41a和第2框架面41b。可以在第1框架面41a固定掩模50。第2框架面41b位于第1框架面41a的相反侧。框架41可以包含开口42。开口42从第1框架面41a贯通到第2框架面41b。掩模50可以以在俯视时横穿开口42的方式固定于框架41。框架41可以将掩模50以在沿着其面的方向上对其拉伸的状态进行支承。由此，能够抑制掩模50挠曲。
[0163]
作为掩模50，可以使用后述的第1掩模50a、第2掩模50b或第3掩模50c。在以下的说明中，在对第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c所共有的掩模结构进行说明的情况下，使用“掩模50”这样的用语和标号。这种情况下，关于后述的贯通孔和遮蔽区域等掩模的构成
要素也相同，使用“53”或“54”等未附加字母的只有数字的标号。另一方面，在对第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c各自所特有的内容进行说明的情况下，有时也使用在数字之后附加有“a”、“b”、“c”等对应的字母的标号。
[0164]
掩模装置40的掩模50与基板110的第1面111对置。基板110是利用掩模50使蒸镀材料7附着的对象物。掩模50包含多个贯通孔53。贯通孔53使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过。通过了贯通孔53的蒸镀材料7附着于基板110的第1面111。掩模50包含第1面51a和第2面51b。第1面51a与第1面111对置。第2面51b位于第1面51a的相反侧。贯通孔53从第1面51a贯通到第2面51b。
[0165]
蒸镀装置10可以具备保持基板110的基板保持器2。基板保持器2可以是能够在基板110的厚度方向上移动。基板保持器2可以是能够在沿着基板110的第1面111的方向上移动。基板保持器2可以控制基板110的倾斜。例如，基板保持器2可以包含安装于基板110的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在基板110的厚度方向和沿着第1面111的方向上独立地移动。
[0166]
蒸镀装置10可以具备保持掩模装置40的掩模保持器3。掩模保持器3可以是能够在掩模50的厚度方向上移动。掩模保持器3可以是能够在沿着掩模50的第1面51a的方向上移动。例如，掩模保持器3可以包含安装于框架41的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在掩模50的厚度方向和沿着第1面51a的方向上独立地移动。
[0167]
通过使基板保持器2和掩模保持器3中的至少任意一者移动，能够调整掩模装置40的掩模50相对于基板110的位置。
[0168]
蒸镀装置10可以具备冷却板4。冷却板4可以配置于基板110的第2面112侧。冷却板4可以具有用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制基板110的温度在蒸镀工序时上升。
[0169]
蒸镀装置10可以具备配置于第2面112侧的磁铁5。磁铁5可以与冷却板4重叠。磁铁5通过磁力将掩模50向基板110侧吸引。由此，能够减少掩模50与基板110之间的间隙或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。因此，能够提高第2电极140的尺寸精度和位置精度。或者，代替磁铁5，可以使用利用静电力的静电卡盘将掩模50向基板110侧吸引。
[0170]
对掩模装置40进行说明。图11是示出掩模装置40的俯视图。掩模装置40可以具备2片以上的掩模50。掩模50例如可以通过焊接而固定于框架41。
[0171]
框架41包括一对第1边411和一对第2边412。框架41可以具有矩形的轮廓。可以在第1边411固定被施加了张力的状态的掩模50。第1边411可以比第2边412长。一对第1边411和一对第2边412可以包围开口42。
[0172]
作为构成框架41的材料，可以与后述掩模50的材料相同。例如，构成框架41的材料可以使用包含镍的铁合金。
[0173]
掩模50包含至少1个单元52。单元52包含贯通孔53和位于贯通孔53的周围的遮蔽区域54。单元52由多个贯通孔53构成。掩模50可以包含2个以上的单元52。在使用掩模50制作有机el显示装置等显示装置的情况下，1个单元52可以与1个有机el显示装置的显示区域、即1个画面对应。1个单元52也可以与多个显示区域对应。遮蔽区域54可以位于2个单元52之间。虽未图示，但掩模50也可以包含位于2个单元52之间的贯通孔。
[0174]
单元52例如可以具有俯视时呈大致四边形的轮廓，更准确而言，可以具有俯视时
呈大致矩形的轮廓。各单元52可以根据有机el显示装置的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如各单元52可以具有圆形的轮廓。
[0175]
图12是将掩模50的一例放大示出的俯视图。掩模50具有掩模第1方向d1和与掩模第1方向d1交叉的掩模第2方向d2。掩模第1方向d1可以与掩模第2方向d2正交。掩模第1方向d1可以沿着元件第1方向g1，掩模第2方向d2可以沿着元件第2方向g2。
[0176]
掩模50具备上述的贯通孔53和遮蔽区域54。贯通孔53在掩模第1方向d1和掩模第2方向d2上排列。
[0177]
在沿着第1面51a的法线方向观察掩模50的情况下，掩模50具备掩模第3区域m3和掩模第4区域m4。掩模第3区域m3对应于有机器件100的第1显示区域101，并且与后述的掩模层积体55的掩模第1区域m1重叠。掩模第4区域m4对应于有机器件100的第2显示区域102，并且与后述的掩模层积体55的掩模第2区域m2重叠。
[0178]
多个贯通孔53可以位于掩模第3区域m3。换言之，在与掩模第3区域m3重叠的掩模第1区域m1，多个贯通孔53可以位于各掩模50。掩模第3区域m3中的多个贯通孔53以图案状存在。例如，多个贯通孔53可以按照与第1显示区域101中的第2电极140的第1层140a～第3层140c中的任一层对应的方式存在。
[0179]
掩模第3区域m3具有表示贯通孔53的面积的比例的第3开口率。关于第3开口率，通过将位于掩模第3区域m3的贯通孔53的面积的合计除以掩模第3区域m3的面积来算出。用于计算出第3开口率的贯通孔53的面积可以为第1面51a的贯通孔53的面积，或者也可以为后述的贯通部534的平面面积。第3开口率可以大于0％，可以小于100％。这种情况下，掩模第3区域m3包含被贯通孔53占有的区域和未被贯通孔53占有的区域。
[0180]
多个贯通孔53可以位于掩模第4区域m4。换言之，在与掩模第4区域m4重叠的掩模第2区域m2，多个贯通孔53可以位于各掩模50。掩模第4区域m4中的多个贯通孔53以图案状存在。例如，多个贯通孔53可以按照与第2显示区域102中的第2电极140的第1层140a～第3层140c中的任一层对应的方式存在。
[0181]
掩模第4区域m4具有表示贯通孔53的面积的比例的第4开口率。关于第4开口率，通过将位于掩模第4区域m4的贯通孔53的面积的合计除以掩模第4区域m4的面积来算出。第4开口率可以小于第3开口率。用于计算出第4开口率的贯通孔53的面积可以为第1面51a的贯通孔53的面积，或者也可以为后述的贯通部534的平面面积。第4开口率可以大于0％，可以小于100％。这种情况下，掩模第4区域m4包含被贯通孔53占有的区域和未被贯通孔53占有的区域。
[0182]
第4开口率相对于第3开口率之比例如可以为0.2以上、可以为0.3以上、也可以为0.4以上。第4开口率相对于第3开口率之比例如可以为0.6以下、可以为0.7以下、也可以为0.8以下。第4开口率相对于第3开口率之比的范围可以通过由0.2、0.3及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7及0.8构成的第2组来限定。第4开口率相对于第3开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第4开口率相对于第3开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第4开口率相对于第3开口率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.7以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.2以上0.3以下、可以为0.3以上0.8
以下、可以为0.3以上0.7以下、可以为0.3以上0.6以下、可以为0.3以上0.4以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.7以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.8以下、可以为0.6以上0.7以下、也可以为0.7以上0.8以下。
[0183]
掩模50可以具有对准标记50m。对准标记50m例如形成于掩模50的单元52的角部。在使用掩模50通过蒸镀法在基板110上形成第2电极140的工序中，可以为了进行掩模50相对于基板110的对位而利用对准标记50m。对准标记50m例如可以形成在与开口42重叠的位置，或者也可以形成在与框架41重叠的位置。在制作掩模装置40时，可以为了进行掩模50与框架41的对位而使用对准标记50m。
[0184]
在形成第2电极140的工序中，可以使用多个掩模50。例如，如图13a～图13c所示，多个掩模50可以具备第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c。第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c可以构成不同的掩模装置40。如图13a所示，也将具备第1掩模50a的掩模装置40称为第1掩模装置40a。如图13b所示，也将具备第2掩模50b的掩模装置40称为第2掩模装置40b。如图13c所示，也将具备第3掩模50c的掩模装置40称为第3掩模装置40c。
[0185]
在形成第2电极140的工序中，例如，将图13a所示的第1掩模装置40a安装至蒸镀装置10，在基板110形成第2电极140的第1层140a。接着，将图13b所示的第2掩模装置40b安装至蒸镀装置10，在基板110形成第2电极140的第2层140b。接着，将图13c所示的第3掩模装置40c安装至蒸镀装置10，在基板110形成第2电极140的第3层140c。这样，在形成有机器件100的第2电极140的工序中，依次使用第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c等多个掩模50。也将用于形成有机器件100的第2电极140的多个掩模50的组称为“掩模组”。
[0186]
图14是示出掩模50的截面结构的一例的图。掩模50可以由形成有多个贯通孔53的金属板51构成。贯通孔53从第1面51a向第2面51b贯通金属板51。
[0187]
贯通孔53可以包含第1凹部531和第2凹部532。第1凹部531位于第1面51a侧。第2凹部532位于第2面51b侧。第1凹部531在金属板51的厚度方向上与第2凹部532连接。
[0188]
在俯视时，第2凹部532的尺寸r2可以比第1凹部531的尺寸r1大。第1凹部531可以通过利用蚀刻等从第1面51a侧对金属板51进行加工而形成。第2凹部532可以通过利用蚀刻等从第2面51b侧对金属板51进行加工而形成。第1凹部531和第2凹部532在连接部533处连接。连接部533距离第1面51a的高度h也称为截面高度。截面高度会成为后述阴影的影响因素。
[0189]
标号534表示贯通部。俯视时的贯通孔53的开口面积在贯通部534处最小。贯通部534可以由连接部533划定。图14中，贯通部534由尺寸r表示。尺寸r小于尺寸r1，小于尺寸r2。
[0190]
在使用掩模50的蒸镀法中，蒸镀材料7从第2面51b侧向第1面51a侧通过了贯通孔53的贯通部534。通过的蒸镀材料7附着于基板110，由此在基板110形成上述的第2电极140，更具体而言，在基板110形成上述的第1层140a、第2层140b和第3层140c等层。形成于基板110的层的平面轮廓主要由贯通部534的平面轮廓所划定。更详细而言，第2电极140的层主体区域141主要由贯通部534的平面轮廓所划定。第2电极140的层周围区域142主要由第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓所划定。
[0191]
在使蒸镀材料7蒸镀到基板110上的蒸镀工序中，蒸镀材料7的一部分从蒸镀源6沿着基板110的法线方向向基板110飞来。但是，也会存在沿着与法线方向倾斜的方向飞来的
蒸镀材料7。这种情况下，沿着倾斜方向飞来的蒸镀材料7的一部分未到达基板110而到达掩模50的第2面51b和贯通孔53的壁面并附着。在贯通孔53中，容易附着在第2凹部532的壁面。因此，形成于基板110的蒸镀层的厚度在贯通孔53的中央能够维持所期望的厚度，但随着接近贯通孔53的壁面而容易变薄。将这种蒸镀材料7在基板110的附着被贯通孔53的壁面和第2面51b阻碍的现象称为阴影。
[0192]
贯通孔53包含有效区域57和周围区域58。有效区域57在俯视时位于贯通孔53的中央，是难以受到上述阴影的影响的区域。周围区域58位于有效区域57的外侧并且是有效区域57的周围。周围区域58是容易受到阴影影响的区域。有效区域57和周围区域58位于第1面51a上。
[0193]
有效区域57和周围区域58可以由通过上述连接部533的区域划定直线l来定义。区域划定直线l可以定义为通过连接部533并与掩模50的第1面51a形成角度θ的直线。有效区域57被划定为相较于区域划定直线l与第1面51a相交的第1交点cp1更靠近贯通孔53的内侧。周围区域58被划定为相较于该第1交点cp1更靠近贯通孔53的外侧。
[0194]
区域划定直线l可以由蒸镀材料7飞来的飞来方向或贯通孔53的截面形状中的任一者来定义。在图15所示的例子中，区域划定直线l由贯通孔53的截面形状定义。
[0195]
更具体而言，如图15所示，将从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7的飞来方向与掩模50的第1面51a所形成的角度作为飞来角度θ1。将通过连接部533并与第2凹部532的壁面的任意点相接的直线与掩模50的第1面51a所形成的角度作为掩模角度θ2。在图15所示的例子中，掩模角度θ2大于飞来角度θ1。这种情况下，容易受到阴影影响的周围区域58取决于掩模角度θ2。因此，区域划定直线l的角度θ可以为掩模角度θ2。这种情况下，区域划定直线l通过连接部533并与第2凹部532的壁面的任意点相接。在图15所示的例子中，区域划定直线l通过第2凹部532与第2面52b的第2交点cp2。在图15所示的例子中，周围区域58的宽度由截面高度h/tanθ2表示。
[0196]
图15所示的区域划定直线l与第1面51a所形成的角度θ2例如可以为35
°
以上、可以为40
°
以上、也可以为45
°
以上。角度θ2例如可以为50
°
以下、可以为60
°
以下、也可以为70
°
以下。角度θ2的范围可以通过由35
°
、40
°
及45
°
构成的第1组和/或由50
°
、60
°
及70
°
构成的第2组来限定。角度θ2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。角度θ2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。角度θ2的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为35
°
以上70
°
以下、可以为35
°
以上60
°
以下、可以为35
°
以上50
°
以下、可以为35
°
以上45
°
以下、可以为35
°
以上40
°
以下、可以为40
°
以上70
°
以下、可以为40
°
以上60
°
以下、可以为40
°
以上50
°
以下、可以为40
°
以上45
°
以下、可以为45
°
以上70
°
以下、可以为45
°
以上60
°
以下、可以为45
°
以上50
°
以下、可以为50
°
以上70
°
以下、可以为50
°
以上60
°
以下、也可以为60
°
以上70
°
以下。
[0197]
贯通孔53在俯视时可以具有大致多边形形状的轮廓，或者也可以具有大致圆形的轮廓。例如，贯通孔53可以具有大致四边形形状、大致六边形形状或大致八边形形状的轮廓。贯通孔53在掩模50的厚度方向上可以以相似形状形成。在图16～图19所示的例子中，贯通孔53具有大致正八边形形状的轮廓。相互对置的2条边沿着掩模第1方向d1，相互对置的另两条边沿着掩模第2方向d2。在贯通孔53的轮廓为大致多边形形状的轮廓时，轮廓中的四
个角可以弯曲。
[0198]
贯通部534以外的金属板51的区域是能够遮蔽朝向基板110的蒸镀材料7的上述遮蔽区域54。
[0199]
掩模第4区域m4的遮蔽区域54可以包含不贯通金属板51的凹部。通过在掩模第4区域m4设置凹部，能够降低掩模第4区域m4的刚性。由此，能够减小掩模第4区域m4的刚性与掩模第3区域m3的刚性之间的差异。因此，能够抑制因刚性的差异而在掩模50产生褶皱。褶皱例如容易在对掩模50施加张力时产生。
[0200]
掩模50的厚度t例如可以为5μm以上、可以为10μm以上、可以为15μm以上、也可以为20μm以上。掩模50的厚度t例如可以为25μm以下、可以为30μm以下、可以为50μm以下、也可以为100μm以下。掩模50的厚度t的范围可以通过由5μm、10μm、15μm及20μm构成的第1组和/或由25μm、30μm、50μm及100μm构成的第2组来限定。掩模50的厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模50的厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模50的厚度t的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为5μm以上100μm以下、可以为5μm以上50μm以下、可以为5μm以上30μm以下、可以为5μm以上25μm以下、可以为5μm以上20μm以下、可以为5μm以上15μm以下、可以为5μm以上10μm以下、可以为10μm以上100μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为10μm以上30μm以下、可以为10μm以上25μm以下、可以为10μm以上20μm以下、可以为10μm以上15μm以下、可以为15μm以上100μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上30μm以下、可以为15μm以上25μm以下、可以为15μm以上20μm以下、可以为20μm以上100μm以下、可以为20μm以上50μm以下、可以为20μm以上30μm以下、可以为20μm以上25μm以下、可以为25μm以上100μm以下、可以为25μm以上50μm以下、可以为25μm以上30μm以下、可以为30μm以上100μm以下、可以为30μm以上50μm以下、也可以为50μm以上100μm以下。
[0201]
作为测定掩模50的厚度t的方法，可以采用接触式的测定方法。作为接触式的测定方法，可以使用具备球形衬套引导式的柱塞的、海德汉公司制的长度计heidenhaim-metro的“mt1271”。
[0202]
贯通孔53的截面形状不限于图14所示的形状。贯通孔53的形成方法不限于蚀刻，能够采用各种方法。例如，可以通过以形成贯通孔53的方式进行镀覆来形成掩模50。
[0203]
作为构成掩模50的材料，例如能够使用含镍的铁合金。铁合金除了镍外还可以含有钴。例如，作为掩模50的材料，可以使用镍和钴的含量合计为30质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为含镍或镍和钴的铁合金，可以使用含有34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还含有钴的超因瓦合金材、或者含有38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀fe-ni系镀覆合金等。通过使用这样的铁合金，能够降低掩模50的热膨胀系数。例如，在采用玻璃基板作为基板110的情况下，可以将掩模50的热膨胀系数设为与玻璃基板同等低的值。由此，在蒸镀工序时，能够抑制形成于基板110的蒸镀层的尺寸精度和位置精度由于掩模50与基板110之间的热膨胀系数之差而降低。
[0204]
对掩模组56进行说明。掩模组56具备2个以上的掩模50。本实施方式中，掩模组56具备上述的第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c。通过将第1掩模50a、第2掩模50b和第3
掩模50c重叠而得到的层积体也称为掩模层积体55。
[0205]
接着，对第1掩模50a进行详细说明。图16是在第1掩模50a的第1面51a将掩模第3区域m3和掩模第4区域m4放大示出的俯视图。第1掩模50a具备第1贯通孔53a和第1遮蔽区域54a。第1贯通孔53a在掩模第1方向d1和掩模第2方向d2上排列。在掩模第3区域m3和掩模第4区域m4中，第1贯通孔53a配置在与第2电极140的第1层140a对应的位置。图16～图20等俯视图中所示的贯通孔53的轮廓是掩模50a～50c的第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓。第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓相当于第1面51a中的第1凹部531的轮廓。
[0206]
参照图17对第2掩模50b进行说明。图17是在第2掩模50b的第1面51a将掩模第3区域m3和掩模第4区域m4放大示出的俯视图。第2掩模50b具备第2贯通孔53b和第2遮蔽区域54b。第2贯通孔53b与第1贯通孔53a同样地在掩模第1方向d1和掩模第2方向d2上排列。在掩模第3区域m3和掩模第4区域m4中，第2贯通孔53b配置在与第2电极140的第2层140b对应的位置。
[0207]
参照图18对第3掩模50c进行说明。图18是在第3掩模50c的第1面51a将掩模第3区域m3和掩模第4区域m4放大示出的俯视图。第3掩模50c具备第3贯通孔53c和第3遮蔽区域54c。第3贯通孔53c与第1贯通孔53a同样地在掩模第1方向d1和掩模第2方向d2上排列。在掩模第3区域m3和掩模第4区域m4中，第3贯通孔53c配置在与第2电极140的第3层140c对应的位置。
[0208]
在测定各掩模50a～50c的贯通孔53a～53c的形状和配置的方法中，可以使平行光沿着各掩模50a～50c的法线方向入射到第1面51a或第2面51b的一者。这种情况下，平行光从第1面51a或第2面51b的另一者射出。可以测定射出的光所占的区域的形状作为贯通孔53的形状。射出的光所占的区域的形状相当于上述的贯通部534的形状。
[0209]
在测定各掩模50a～50c的第1面51a中的贯通孔53a～53c的形状和配置的情况下，可以通过对第1面51a进行图像处理来测定。例如，可以使用拍摄装置拍摄各掩模50a～50c的第1面51a，取得与第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓相关的图像数据。
[0210]
对第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c的位置关系进行说明。图19是示出掩模层积体55的俯视图。掩模层积体55具备重叠的2个以上的掩模50。图19所示的掩模层积体55具备重叠的第1掩模50a、第2掩模50b和第3掩模50c。
[0211]
在掩模层积体55中，各掩模50a～50c的对准标记50m可以重合。或者，可以基于各掩模50a～50c的单元52的配置使各掩模50a～50c重叠。或者，可以基于各掩模50a～50c的贯通孔53a～53c和遮蔽区域54a～54c的配置使各掩模50a～50c重叠。在重叠各掩模50a～50c时，可以对各掩模50a～50c施加张力，也可以不施加张力。
[0212]
对于将2个以上的掩模50重叠的状态的图，可以通过将各掩模50的图像数据重叠而得到。例如，使用图像处理装置，重叠如上取得的各掩模50a～50c的第1面51a的图像数据。由此，能够制作出图19那样的图。在取得图像数据时，可以对各掩模50a～50c施加张力，也可以不施加张力。对于将2个以上的掩模50重叠的状态的图，也可以通过将用于制造各掩模50a～50c的设计图重叠而得到。
[0213]
如图19所示，掩模层积体55具备贯通区域55a。贯通区域55a在俯视时包含各掩模50a～50c的贯通孔53a～53c中的至少1个。即，贯通区域55a在俯视时与各掩膜50a～50c的贯通孔53a～53c中的至少任意一个重叠。因此，在蒸镀工序中，在与贯通区域55a对应的基
板110的区域形成至少1层的第2电极140。贯通区域55a由各掩模50a～50c的第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓所划定。
[0214]
在俯视时，掩模层积体55具备掩模第1区域m1和掩模第2区域m2。掩模第1区域m1对应于有机器件100的第1显示区域101，并且与上述的掩模50的掩模第3区域m3重叠。掩模第2区域m2对应于有机器件100的第2显示区域102，并且与上述的掩模50的掩模第4区域m4重叠。
[0215]
在掩模第1区域m1中，贯通区域55a具有第1开口率。第1开口率表示掩模第1区域m1中的贯通区域55a的面积的比例。第1开口率通过将位于掩模第1区域m1的贯通区域55a的面积的合计除以掩模第1区域m1的面积来算出。掩模第1区域m1可以在俯视时与掩模第3区域m3一致。
[0216]
第1开口率可以大于0％并小于100％。这种情况下，即便在掩模50a～50c重叠的状态下，掩模第1区域m1也包含被贯通孔53a～53c中的任一者所占有的区域、和未被贯通孔53a～53c中的任一者占有的区域。但是，不限于此，第1开口率也可以为100％。这种情况下，掩模第1区域m1的整体被贯通孔53a～53c中的任一者所占有。
[0217]
在掩模第2区域m2中，贯通区域55a具有第2开口率。第2开口率表示掩模第2区域m2中的贯通区域55a的面积的比例。第2开口率通过将位于掩模第2区域m2的贯通区域55a的面积的合计除以掩模第2区域m2的面积来算出。掩模第2区域m2可以在俯视时与掩模第4区域m4一致。第2开口率可以小于第1开口率。
[0218]
第2开口率可以大于0％并小于100％。这种情况下，即便在掩模50a～50c重叠的状态下，掩模第2区域m2也包含被贯通孔53a～53c中的任一者所占有的区域、和未被贯通孔53a～53c中的任一者占有的区域。
[0219]
第2开口率相对于第1开口率之比例如可以为0.2以上、可以为0.3以上、也可以为0.4以上。第2开口率相对于第1开口率之比例如可以为0.6以下、可以为0.7以下、也可以为0.8以下。第2开口率相对于第1开口率之比的范围可以通过由0.2、0.3及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7及0.8构成的第2组来限定。第2开口率相对于第1开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2开口率相对于第1开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2开口率相对于第1开口率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.7以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.2以上0.3以下、可以为0.3以上0.8以下、可以为0.3以上0.7以下、可以为0.3以上0.6以下、可以为0.3以上0.4以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.7以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.8以下、可以为0.6以上0.7以下、也可以为0.7以上0.8以下。
[0220]
贯通区域55a可以包含孔重叠区域59。孔重叠区域59是在俯视时2个以上的掩模50的贯通孔53相重叠的区域。即，孔重叠区域59在俯视时包含掩模层积体55所包含的2个以上的掩模50的贯通孔53中的至少2个。更详细而言，孔重叠区域59是各掩模50的第1面51a中的贯通孔53相重叠的区域。
[0221]
在图19所示的例子中，孔重叠区域59在俯视时包括：第1贯通孔53a与第2贯通孔53b重叠的区域；第1贯通孔53a与第3贯通孔53c重叠的区域；以及第2贯通孔53b与第3贯通
孔53c重叠的区域。因此，在蒸镀工序中，在与孔重叠区域59对应的基板110的区域形成2层的第2电极140。在贯通区域55a也可以不存在第1贯通孔53a、第2贯通孔53b和第3贯通孔53c重叠的区域。
[0222]
如图20和图21所示，孔重叠区域59可以包含掩模层积体55所包含的2个掩模50的贯通孔53的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60。图20是示出孔重叠区域59的俯视图。图21是示出孔重叠区域59的截面图。在图21中，作为一例，示出了由第1掩模50a和第2掩模50b形成的孔重叠区域59。
[0223]
例如，第1孔重叠区域60包括：第1贯通孔53a的周围区域58与第2贯通孔53b的周围区域58重叠的区域；第1贯通孔53a的周围区域58与第3贯通孔53c的周围区域58重叠的区域；以及第2贯通孔53b的周围区域58与第3贯通孔53c的周围区域58重叠的区域。本实施方式中的孔重叠区域59由贯通孔53的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60构成。在本实施方式中的孔重叠区域59未重叠有贯通孔53的有效区域57。
[0224]
第1孔重叠区域60可以与有效区域57间隔开。非重叠区域61可以位于第1孔重叠区域60与有效区域57之间。
[0225]
例如，第1贯通孔53a的周围区域58与第2贯通孔53b的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60可以与第1贯通孔53a的有效区域57间隔开。非重叠区域61可以位于该第1孔重叠区域60与第1贯通孔53a的有效区域57之间。第1贯通孔53a的周围区域58与第2贯通孔53b的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60可以与第2贯通孔53b的有效区域57间隔开。非重叠区域61可以位于该第1孔重叠区域60与第2贯通孔53b的有效区域57之间。
[0226]
同样地，第1贯通孔53a的周围区域58与第3贯通孔53c的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60可以与各贯通孔53a、53c的有效区域57间隔开。非重叠区域61可以位于该第1孔重叠区域60与各贯通孔53a、53c的有效区域57之间。
[0227]
同样地，第2贯通孔53b的周围区域58与第3贯通孔53c的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60可以与各贯通孔53b、53c的有效区域57间隔开。非重叠区域61可以位于该第1孔重叠区域60与各贯通孔53b、53c的有效区域57之间。
[0228]
通过使贯通区域55a包含上述的第1孔重叠区域60，能够形成图7和图8所示的第2电极140。第1孔重叠区域60对应于上述的第1电极重叠区域149。
[0229]
孔重叠区域59的面积可以小于第1贯通孔53a的面积。孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比例如可以为0.02以上、可以为0.05以上、也可以为0.10以上。孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比例如可以为0.20以下、可以为0.30以下、也可以为0.40以下。孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05及0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30及0.40构成的第2组来限定。孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.02以上0.40以下、可以为0.02以上0.30以下、可以为0.02以上0.20以下、可以为0.02以上0.10以下、可以为0.02以上0.05以下、可以为0.05以上0.40以下、可以为0.05以上0.30以下、可以为0.05以上0.20以下、可
以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.40以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、可以为0.20以上0.40以下、可以为0.20以上0.30以下、也可以为0.30以上0.40以下。
[0230]
孔重叠区域59的面积可以小于第2贯通孔53b的面积。作为孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔53b的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比”的范围。
[0231]
孔重叠区域59的面积可以小于第3贯通孔53c的面积。作为孔重叠区域59的面积相对于第3贯通孔53c的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积相对于第1贯通孔53a的面积之比”的范围。
[0232]
如图19所示，位于掩模第2区域m2的贯通区域55a可以包含在掩模第1方向d1上排列的2个以上的贯通线55l。贯通线55l可以在掩模第2方向d2延伸。例如，贯通线55l可以包括与掩模第1区域m1的贯通区域55a连接的第3端和第4端。第4端在掩模第2方向d2上位于与第3端相反的一侧。
[0233]
对制造有机器件100的方法的一例进行说明。
[0234]
首先，准备形成有第1电极120的基板110。第1电极120例如通过如下方式形成，即，在通过溅镀法等在基板110上形成了构成第1电极120的导电层之后，通过光刻法等对导电层进行图案化。俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160可以形成于基板110。
[0235]
接着，如图5和图6所示，在第1电极120上形成包括第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c的有机层130。第1有机层130a例如可以通过使用具有与第1有机层130a对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。例如，通过使有机材料等经由掩模蒸镀到与第1有机层130a对应的第1电极120上，能够形成第1有机层130a。第2有机层130b也可以通过使用具有与第2有机层130b对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。第3有机层130c也可以通过使用具有与第3有机层130c对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。
[0236]
接着，可以实施第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，使用上述的掩模组56在有机层130上形成第2电极140。首先，可以实施通过使用第1掩模50a的蒸镀法来形成第2电极140的第1层140a的工序。例如，经由第1掩模50a将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第1层140a。接着，可以实施通过使用第2掩模50b的蒸镀法来形成第2电极140的第2层140b的工序。例如，经由第2掩模50b将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第2层140b。接着，可以实施通过使用第3掩模50c的蒸镀法来形成第2电极140的第3层140c的工序。例如，经由第3掩模50c将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第3层140c。这样，如图5和图6所示，能够形成包含第1层140a、第2层140b以及第3层140c的第2电极140。
[0237]
需要说明的是，形成第1层140a、第2层140b和第3层140c的顺序没有特别限定。例如，可以按照第3层140c、第2层140b、第1层140a的顺序实施蒸镀工序。
[0238]
对本实用新型的方式的效果进行总结。
[0239]
第2显示区域102中的第2电极140包含第1层140a与第2层140b重叠的电极重叠区域148，电极重叠区域148包含第1层140a的层周围区域142与第2层140b的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149。由此，能够降低第1电极重叠区域149中的第2电极140的厚度，能够提高第1电极重叠区域149中的透射率。因此，能够提高第2显示区域102的非透射区域103
的透射率，能够提高第2显示区域102的光的透射率。
[0240]
掩模层积体55的掩模第2区域m2中的贯通区域55a包含2个掩模50的贯通孔53重叠的孔重叠区域59，孔重叠区域59包含2个掩模50的周围区域58重叠的第1孔重叠区域60。由此，能够形成可降低第2电极140的厚度的第1电极重叠区域149。
[0241]
第1电极重叠区域149与层主体区域141间隔开。由此，能够抑制层主体区域141重叠于第1电极重叠区域149，能够降低第1电极重叠区域149中的第2电极140的厚度。
[0242]
掩模层积体55的第1孔重叠区域60与有效区域57间隔开。由此，能够形成与层主体区域141间隔开的第1电极重叠区域149。
[0243]
在掩模第1区域m1和掩模第2区域m2各自中，多个贯通孔53位于掩模50。由此，能够在各掩模50的掩模第3区域m3和掩模第4区域m4分别形成多个贯通孔53。例如，能够由按照与各掩模50a～50c的贯通孔53a～53c对应的方式以图案状形成的层140a～140c来构成有机器件100的第2电极140。这种情况下，能够减少用于形成第2电极140的掩模50的片数，能够减少用于形成第2电极140的蒸镀次数。因此，能够减少蒸镀材料7的用量，能够减小环境负担。另外，在掩模第3区域m3中的贯通孔53a～53c的周围形成遮蔽区域54，能够残留掩模50a～50c的材料。因此，能够确保各掩模50a～50c的机械强度。
[0244]
需要说明的是，能够对上述的一个实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够与上述的一个实施方式同样地构成的部分，使用与对上述的一个实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，省略重复的说明。另外，在上述的一个实施方式中得到的作用效果很明显也能够在变形例中得到的情况下，有时也省略其说明。
[0245]
使用图22～图26对第1变形例进行说明。图22是示出第2显示区域的第2电极的变形例的俯视图。图23是示出图22所示的电极重叠区域148的俯视图。图24是示出图23所示的电极重叠区域的截面图。图25是示出孔重叠区域59的俯视图。图26是示出图25所示的孔重叠区域59的截面图。
[0246]
例如，如图22～图24所示，电极重叠区域148可以包含上述的第1电极重叠区域149和第2电极重叠区域151。第2电极重叠区域151包含各层之中的1个层的层主体区域141和另一个层的层周围区域142。
[0247]
如图22所示，第2电极140可以包含第1层140a、第2层140b和第3层140c。在图22所示的例子中，1个第1层140a、1个第2层140b和2个第3层140c配置在菱形的顶点。2个第3层140c配置在沿着元件第1方向g1的对角线上。通过如此配置的4个层140a、140b、140c，与上述的第1电极120和有机层130一起构成了1个像素。在图22所示的例子中，第1显示区域101中的像素和第2显示区域102中的像素同样地构成。
[0248]
如图23和图24所示，第2电极重叠区域151包含第1层140a的层主体区域141与第2层140b的层周围区域142重叠的区域、以及第1层140a的层周围区域142与第2层140b的层主体区域141重叠的区域。例如，第2电极重叠区域151包含第1层140a的层主体区域141与第3层140c的层周围区域142重叠的区域、以及第1层140a的层周围区域142与第3层140c的层主体区域141重叠的区域。例如，第2电极重叠区域151包含第2层140b的层主体区域141与第3层140c的层周围区域142重叠的区域、以及第2层140b的层周围区域142与第3层140c的层主体区域141重叠的区域。各层140a～140c的层主体区域141彼此不重叠。
[0249]
如图24所示，通过层主体区域141与层周围区域142重叠，能够增大电极重叠区域148中的第2电极140的厚度tb。由此，能够增大电极重叠区域148的截面面积，能够降低电极重叠区域148的电阻。但是，通过层主体区域141彼此不重叠，能够使电极重叠区域148中的第2电极140的厚度tb小于层主体区域141的厚度ta的2倍。
[0250]
利用图25和图26对用于形成图22～图24所示的第2电极140的掩模组56进行说明。图26中，作为一例，示出了由第1掩模50a和第2掩模50b形成的孔重叠区域59。
[0251]
如图25和图26所示，掩模层积体55的孔重叠区域59可以包含上述的第1孔重叠区域60和第2孔重叠区域62。第2孔重叠区域62包含掩模层积体55所包含的1个掩模50的贯通孔53的有效区域57和另一个掩模50的贯通孔53的周围区域58。
[0252]
例如，第2孔重叠区域62包含第1贯通孔53a的有效区域57与第2贯通孔53b的周围区域58重叠的区域、以及第1贯通孔53a的周围区域58与第2贯通孔53b的有效区域57重叠的区域。例如，第2孔重叠区域62包含第1贯通孔53a的有效区域57与第3贯通孔53c的周围区域58重叠的区域、以及第1贯通孔53a的周围区域58与第3贯通孔53c的有效区域57重叠的区域。例如，第2孔重叠区域62包含第2贯通孔53b的有效区域57与第3贯通孔53c的周围区域58重叠的区域、以及第2贯通孔53b的周围区域58与第3贯通孔53c的有效区域57重叠的区域。各掩模50的有效区域57彼此不重叠。
[0253]
通过贯通区域55a包含上述这样的第1孔重叠区域60和第2孔重叠区域62，能够形成图23和图24所示的第2电极140的电极重叠区域148。第1孔重叠区域60对应于上述的第1电极重叠区域149，第2孔重叠区域62对应于上述的第2电极重叠区域151。
[0254]
利用图27对第2变形例进行说明。图27是示出掩模50的有效区域57和周围区域58的变形例的截面图。
[0255]
在图27所示的例子中，区域划定直线l由蒸镀材料7飞来的飞来方向所定义。
[0256]
更具体而言，如图27所示，飞来角度θ1大于掩模角度θ2。这种情况下，容易受到阴影影响的周围区域58取决于飞来角度θ1。因此，区域划定直线l的角度θ可以为飞来角度θ1。这种情况下，区域划定直线l成为通过连接部533并与第1面51a形成角度θ1的直线。在图27所示的例子中，周围区域58的宽度由截面高度h/tanθ1表示。
[0257]
图27所示的区域划定直线l的角度θ可以应用与图15所示的区域划定直线l的角度θ相同的数值例。
[0258]
利用图28～图33对第3变形例进行说明。图28是示出第2电极的变形例的俯视图。图29是示出电极重叠区域的俯视图。图30是示出第1掩模的俯视图。图31是示出第2掩模的俯视图。图32是示出掩模层积体的俯视图。图33是示出掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
[0259]
图28所示的例子中的第2电极140可以包含第1层140a、第2层140b和第3层140c。第1层140a和第3层140c通过使用第1掩模50d的蒸镀法来形成。第2层140b通过使用第2掩模50e的蒸镀法来形成。
[0260]
第1层140a和第3层140c具有大致正八边形形状的轮廓。第1层140a和第3层140c可以具有相同的平面轮廓。第2层140b可以具有与第1层140a和第3层140c不同的平面轮廓。第2层140b可以具有拥有长度方向的大致八边形形状的轮廓。图28所示的第2层140b的长度方向沿着元件第2方向g2。或者，第2层140b可以具有拥有沿着元件第2方向g2的长度方向的大致四边形形状的轮廓。这种情况下，第2层140b的轮廓中的四角可以被倒角。
[0261]
在第1显示区域101中，可以沿着元件第1方向g1和元件第2方向g2反复排列有第1层140a、第2层140b和第3层140c。在图28所示的例子中，1个第1层140a、2个第2层140b和1个第3层140c配置在四边形的顶点。2个第2层140b配置在对角线上。通过如此配置的4个层140a、140b、140b、140c，与上述的第1电极120和有机层130一起构成了1个像素。
[0262]
在第2显示区域102中，可以沿着元件第1方向g1和元件第2方向g2反复排列有第1层140a、第2层140b和第3层140c。在图28所示的例子中，第2显示区域102中的像素具有在第1显示区域101中构成1个像素的2个第2层140b中的一个被去除的构成。第2显示区域102中的像素在元件第1方向g1上隔开间隔而配置，在元件第1方向g1上相邻的像素之间插入有透射区域104。第2显示区域102中的像素在元件第2方向g2上反复排列。
[0263]
如图29所示，第2电极140的电极重叠区域148可以与图7和图8所示的例子同样地包含各层的层周围区域142重叠的第1电极重叠区域149。非重叠区域150可以位于第1电极重叠区域149与层主体区域141之间。
[0264]
利用图30～图33对用于形成图28所示的第2电极140的掩模组56进行说明。图30是在第1掩模50d的第1面51a将掩模第3区域m3和掩模第4区域m4放大示出的俯视图。图31是在第2掩模50e的第1面51a将掩模第3区域m3和掩模第4区域m4放大示出的俯视图。图32是示出孔重叠区域59的俯视图，图33是示出孔重叠区域59的截面图。
[0265]
第3变形例中的掩模组56具备第1掩模50d和第2掩模50e。第3变形例中的掩模层积体55是通过重叠第1掩模50d和第2掩模50e而得到的层积体。
[0266]
如图30所示，第1掩模50d具备第1贯通孔53a、第3贯通孔53c和第1遮蔽区域54d。第1贯通孔53a和第3贯通孔53c在掩模第1方向d1和掩模第2方向d2上排列。在掩模第3区域m3和掩模第4区域m4中，第1贯通孔53a配置在与第2电极140的第1层140a对应的位置，第3贯通孔53c配置在与第2电极140的第3层140c对应的位置。图30～图33等俯视图中所示的贯通孔53a～53c的轮廓是掩模50d、50e的第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓。第1面51a中的贯通孔53a～53c的轮廓相当于第1面51a中的第1凹部531的轮廓。
[0267]
如图31所示，第2掩模50e具备第2贯通孔53b和第2遮蔽区域54e。第2贯通孔53b在掩模第1方向d1和掩模第2方向d2上排列。在掩模第3区域m3和掩模第4区域m4中，第2贯通孔53b配置在与第2电极140的第2层140b对应的位置。
[0268]
第1贯通孔53a和第3贯通孔53c具有大致正八边形形状的轮廓。第1贯通孔53a和第3贯通孔53c可以具有相同的平面轮廓。第2贯通孔53b可以具有与第1贯通孔53a和第3贯通孔53c不同的平面轮廓。第2贯通孔53b可以具有拥有长度方向的大致八边形形状的轮廓。图31所示的第2贯通孔53b的长度方向沿着掩模第2方向d2。或者，第2贯通孔53b可以具有拥有沿着掩模第2方向d2的长度方向的大致四边形形状的轮廓。这种情况下，第2贯通孔53b的轮廓中的四角可以被倒角。
[0269]
如图32所示，掩模层积体55具备贯通区域55a。贯通区域55a在俯视时包含各掩模50d、50e的贯通孔53a～53c中的至少1个。即，贯通区域55a在俯视时与各掩模50d、50e的贯通孔53a～53c中的至少任一个重叠。
[0270]
如图32所示，贯通区域55a可以与图19所示的例子同样地包含孔重叠区域59。如图33所示，孔重叠区域59可以与图20和图21所示的例子同样地包含第1孔重叠区域60。非重叠区域61可以位于第1孔重叠区域60与有效区域57之间。
[0271]
对上述实施方式的几个变形例进行了说明，当然也可以将多个变形例适当组合来应用。