技术简介:
本专利针对真空镀膜治具材料成本高的问题,提出分体式结构解决方案。通过将治具分为耐腐蚀性高的第一金属块(如不锈钢)和耐腐蚀性低的第二金属块(如铝),利用可拆卸连接设计,使仅需对第一金属块进行腐蚀处理,降低整体材料成本。同时通过凹槽结构优化材料使用,提升加工效率。
关键词:真空镀遮蔽治具,分体结构,低成本
1.本技术涉及真空镀膜技术领域,尤其是涉及一种低成本真空镀遮蔽治具。
背景技术:2.随着社会的发展,人们对工业生产材料的要求也越来越高,为了在材料的表面增加不同的化学特性,人们常常会在工业生产材料的表面进行真空镀膜;真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料,使其蒸发并凝结于金属、半导体或绝缘体等镀件表面而形成薄膜的一种方法;现有的真空镀膜技术一般分为两大类,即物理气相沉积技术和化学气相沉积技术;其被广泛地应用于光学器件、电子电路、五金组件等领域上。
3.现有技术中,为了提高手机充电接头的性能,手机生产厂商一般会对手机充电接头进行真空镀膜,在真空镀膜的过程中会在手机充电接头和真空镀遮蔽治具的表面上均生成一层薄膜,在真空镀遮蔽治具使用一定次数后其需要通过酸洗的方式来进行退镀,为了满足退镀的要求,现今的真空镀遮蔽治具整体都是用耐腐蚀性较高的材料构成,如:不锈钢;但是,由于不锈钢等耐腐蚀性较高的材料价格较高且生产加工较为困难,其导致现有真空镀遮蔽治具的加工成本较高。
技术实现要素:4.为了改进现有的真空镀遮蔽治具成本较高的问题,本技术提供一种低成本真空镀遮蔽治具。
5.采用如下的技术方案:
6.一种低成本真空镀遮蔽治具,包括第一金属块和第二金属块,所述第一金属块的一端端面与第二金属块一端端面可拆卸连接,所述第一金属块远离第二金属块的一侧端面上设置有第一通孔,所述第一通孔上连通有用于容置待镀物料的物料容置腔,所述物料容置腔的底部与所述第二金属块相接,所述第一金属块的材料耐腐蚀性高于所述第二金属块的材料耐腐蚀性。
7.通过采用上述技术方案,第一金属块远离第二金属块的一侧端面上设置有第一通孔,第一通孔上连通物料容置腔,则当待测物料通过第一通孔放置于物料容置腔后,对待测物料进行真空镀膜,则第一金属块远离第二金属块的一侧端面上也会被真空镀膜上,在真空镀遮蔽治具使用达到一定次数后,第一金属块上镀膜过多时则需要进行退镀处理,退镀需要在酸碱性的溶液中进行酸洗,第一金属块的耐腐蚀性较好,则酸洗不会对第一金属块造成损坏,第一金属块在经过酸洗后可以循环多次使用,同时,第一金属块与第二金属块可拆卸连接,且第二金属块位于远离待测物料镀膜靠后的位置,第二金属块在真空镀膜时不会被真空镀膜到,不需要进行退镀处理,因此,对其的耐腐蚀性要求较低,其可选取耐腐蚀性低于第一金属块的材料,这样,本真空镀遮蔽治具在满足生产过程中退镀的需求的同时,也极大地节省了生产成本。
8.优选的,所述第一通孔的内侧边缘与待镀物料的外侧边缘相紧密配合,所述物料
容置腔的深度不大于第一通孔内的待镀物料的高度。
9.通过采用上述技术方案,可以使得待镀物料的顶端可从第一通孔伸出,对其需要镀膜的部位进行真空镀膜,而待镀物料中其他不需要镀膜的部位则被第一金属块所遮蔽。
10.优选的,所述第二金属块中设置有第二通孔,所述第二通孔与物料容置腔的底部相连通,供外部治具伸入至所述物料容置腔内。
11.通过采用上述技术方案,真空镀膜完成后,待镀物料的顶端与第一金属块之间紧密配合,不容易取出,在第二金属块上设置第二通孔,第二通孔与物料容置腔的底部相连通,第一通孔连通物料容置腔,则外部治具可从第二通孔伸入至所述物料容置腔内,将待镀物料从第一通孔顶出,这样,有利于待镀物料的镀膜后便于取出,减少工作人员的劳动时间,增大工作人员的工作效率,从而减少劳动成本。
12.优选的,所述第一金属块与第二金属块之间通过若干螺栓连接。
13.通过采用上述技术方案,螺栓可增强真空镀遮蔽治具的结构稳定,并且在不锈钢需要退镀时便于取出,方便第一金属块和第二金属块之间拆卸。
14.优选的,所述第一通孔和第二通孔的数量均为一个以上。
15.通过采用上述技术方案,则一个真空镀遮蔽治具内可以放置多个待测物料,对多个待测物料同时真空镀膜,大大提高了待测物料镀膜的生产效率,实用性强。
16.优选的,所述第一金属块朝向第二金属块的一侧端面设置有第一凹槽,所述第一凹槽与物料容置腔连通。
17.通过采用上述技术方案,第一金属块设有第一凹槽,减少真空镀遮蔽治具的材料使用量,进而降低了其生产成本。
18.优选的,所述第二金属块朝向第一金属块的一侧端面设置有第二凹槽,所述第二凹槽与第一凹槽连通。
19.通过采用上述技术方案,第二金属块设有第二凹槽,减少真空镀遮蔽治具的材料使用量,进而降低了其生产成本。
20.优选的,所述第一金属块远离第二金属块的一侧端面上设置有第三凹槽,所述第三凹槽与所述第一通孔的外侧边缘相接。
21.通过采用上述技术方案,第三凹槽可以使工作人员将待测物料更加方便放入物料容置腔内,并且使工作人员在外部治具的作用下,更加容易取出待测物料。
22.综上所述,本技术包括以下至少一种有益技术效果:
23.1.对待测物料进行真空镀膜,则第一金属块也会被真空镀膜上,第一金属块的耐腐蚀性较高,进行退镀处理时,则不会对第一金属块损坏,第一金属块可以循环多次使用,同时,第一金属块与第二金属块可拆卸连接,且第二金属块位于远离待测物料镀膜靠后的位置,第二金属块在真空镀膜时不会被真空镀膜到,不需要进行退镀处理,耐腐蚀性不需要较高,对材料的要求低,可以选用低成本的材料,这样,本真空镀遮蔽治具在满足生产过程中退镀的需求的同时,也极大地节省了生产成本。
24.2.第一通孔的内侧边缘与待镀物料的外侧边缘相紧密配合,物料容置腔的深度不大于第一通孔内的待镀物料的高度,可以使得待镀物料的顶端可从第一通孔伸出,对其需要镀膜的部位进行真空镀膜,而待镀物料中其他不需要镀膜的部位则被第一金属块所遮蔽,起到局部遮蔽的效果。
25.3.第一通孔和第二通孔的数量均为一个以上,则一个真空镀遮蔽治具内可以放置多个待测物料,对多个待测物料同时真空镀膜,大大提高了待测物料镀膜的生产效率,实用性强。
附图说明
26.图1是一种真空镀遮蔽治具的结构示意图。
27.图2是一种真空镀遮蔽治具的剖视图。
28.图3是一种真空镀遮蔽治具的上视图。
29.图4是一种真空镀遮蔽治具的下视图。
30.图5是一种真空镀遮蔽治具的爆炸图。
31.图6是一种真空镀遮蔽治具的凸显第二凹槽的爆炸图。
32.附图标记说明:1、第一金属块;11、第一通孔;12、物料容置腔;13、第一凹槽;14、第三凹槽;2、第二金属块;21、第二通孔;22、第二凹槽;3、螺栓。
具体实施方式
33.以下结合附图1-6,对本技术作进一步详细说明。
34.本技术实施例公开一种低成本真空镀遮蔽治具。
35.参照图1和图6,一种低成本真空镀遮蔽治具包括第一金属块1和第二金属块2,第一金属块1不与酸碱盐反应,第一金属块1的一端端面与第二金属块2一端端面通过螺栓3可拆卸连接。第一金属块1远离第二金属块2的一侧端面上设置有第一通孔11,第一通孔11上连通有用于容置待镀物料的物料容置腔12,物料容置腔12的底部与第二金属块2相接,第一通孔11的内侧边缘与待镀物料的外侧边缘相紧密配合,物料容置腔12的深度不大于第一通孔11内的待镀物料的高度。第一金属块1朝向第二金属块2的一侧端面设置有第一凹槽13,第一凹槽13与物料容置腔12连通,第一凹槽13减少了真空镀遮蔽治具的材料使用量,进而降低了其生产成本。第一金属块1远离第二金属块2的一侧端面上设置有第三凹槽14,第三凹槽14与第一通孔11的外侧边缘相接,第三凹槽14可以使工作人员将待测物料更加方便放入物料容置腔12内,并且使工作人员在外部治具的作用下,更加容易取出待测物料。
36.在本实施例中,本技术的低成本真空镀遮蔽治具是为手机充电接口进行局部镀膜,对其需要镀膜的部位进行真空镀膜,而手机充电接口中其他不需要镀膜的部位则被第一金属块1所遮蔽。并且,第一金属块1由不锈钢构成,并且不锈钢块的耐腐蚀性较好,不会与酸碱盐反应,第二金属块2由铝或其合金材料构成。
37.在本实施例中,当手机充电接口通过第一通孔11放置于物料容置腔12后,对手机充电接口的上端部分进行真空镀膜,则第一金属块1的上端面上也会被镀上薄膜层,而由于第二金属块2设置于第一金属块1的下方,其远离手机充电接口上端需要进行镀膜的位置,故在第二金属块2真空镀膜时不会被镀上薄膜层;在真空镀遮蔽治具使用达到一定次数后,因第一金属块1上镀膜过多时则需要进行退镀处理,退镀需要将第一金属块1与第二金属块2相分离,并将第一金属块1放置在酸碱性的溶液中进行酸洗,由于第一金属块1由不锈钢材料构成,其不与酸碱盐反应,耐腐蚀性较好,因此酸洗不会对第一金属块1造成损坏,第一金属块1在经过酸洗后可以循环多次使用,而第二金属块2上因不会被镀上薄膜层,故其不需
要进行退镀处理,因此,对其的耐腐蚀性要求较低,其可选取耐腐蚀性低于第一金属块的材料构成,在本实施例中,第二金属块2由铝或其合金材料构成,由于铝或其合金材料的市场价格远低于不锈钢的市场价格,这样,大大减少了真空镀膜治具的生产成本,且铝块或其合金材料的硬度也较于不锈钢材料较低,故其加工的难度也将低于不锈钢材料;因此,在本真空镀遮蔽治具中的第一金属块1和第二金属块2采用两种不同材料的构成,且第一金属块1的材料耐腐蚀性高于第二金属块2的材料耐腐蚀性;因此,本真空镀遮蔽治具在满足生产过程中退镀的需求的同时,也极大地节省了生产成本。
38.参照图4和图5,第二金属块2中设置有第二通孔21,第二通孔21与物料容置腔12的底部相连通,供外部治具伸入至所述物料容置腔12内。第二金属块2朝向第一金属块1的一侧端面设置有第二凹槽22,第二凹槽22与第一凹槽13连通。
39.在本实施例中,真空镀膜完成后,手机充电接口的顶端与不锈钢块之间紧密配合,不容易取出,在铝块上设置第二通孔21,第二通孔21与物料容置腔12的底部相连通,第一通孔11连通物料容置腔12,则外部治具可从第二通孔21伸入至所述物料容置腔12内,将手机充电接口从第一通孔11顶出。第二金属块2设有第二凹槽22,减少真空镀遮蔽治具的材料使用量,进而降低了其生产成本。
40.本技术实施例一种低成本真空镀遮蔽治具的实施原理为:为手机充电接口进行局部镀膜,第一金属块1为不锈钢块,第二金属块2为铝块或其合金材料,在一段时间后,不锈钢块也会被真空镀膜,镀膜过多时则需要进行退镀处理,退镀需要在酸碱性的溶液中,因不锈钢块不与酸碱盐反应,耐腐蚀性较好,可以循环多次使用,同时,不锈钢块与铝块可拆卸连接,铝块在真空镀膜时不会或者很少被真空镀膜到,不需要进行退镀处理,且铝块或其合金材料的市场价格远低于不锈钢的市场价格,且铝块或其合金材料的硬度也较于不锈钢材料较低,故其加工的难度也将低于不锈钢材料;本真空镀遮蔽治具在满足生产过程中退镀的需求的同时,也极大地节省了生产成本。
41.以上均为本技术的较佳实施例,并非依此限制本技术的保护范围,故:凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本技术的保护范围之内。