一种低压气相沉积用硅片载舟的制作方法

本技术涉及半导体硅片生产，具体为一种低压气相沉积用硅片载舟。

背景技术：

1、半导体硅片是半导体产业链的上游，是制作芯片的核心材料，贯穿了芯片制作的全过程，半导体硅片的质量和数量制约下游终端领域行业的发展。半导体硅片的加工过程有时需要经过低压气相沉积(lpcvd)生长薄膜层(如sio2、poly-si等)。lpcvd的反应过程会在硅片正面和背面都沉积上薄膜，但是仅需要保留背面的薄膜，正面的薄膜则需通过后续的抛光过程去除。为了保护背面膜的完整性应尽量避免硅背面与载舟舟体部分的接触。现有的载舟通常为单片放置，生产效率相对较低，并且载舟的槽体有可能会与硅片背面接触，在沉积结束后相接触位置就被沉积的薄膜连接为一体，在取片时会对硅片背面薄膜造成物理破坏、且容易造成硅片边缘缺口。因此需要设计新的载舟提高生产效率，减少背面膜划伤及擦伤、避免硅片的崩边及缺口的产生。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种低压气相沉积用硅片载舟，以解决上述背景技术中提出硅片背面与舟体的接触易产生擦伤和缺口的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种低压气相沉积用硅片载舟，包括舟体和靠板，所述舟体包括支架、下刻槽石英棒、与下刻槽石英棒相连的左刻槽石英棒、右刻槽石英棒，所述靠板尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱。

4、作为优选，所述靠板和舟体均采用耐高温的石英材质制成。

5、作为优选，所述下刻槽石英棒、左刻槽石英棒、右刻槽石英棒的槽体深度均为1-3mm，槽体呈倒三角结构，槽体向上开口角度为3-6°。

6、作为优选，所述左刻槽石英棒、右刻槽石英棒设置于舟体两侧的位置且高度对称。

7、作为优选，所述靠板的小于所需加工硅片尺寸的2-5mm。

8、作为优选，所述靠板的形状为三棱柱，三个矩形面分别为a1，a2和b，两个三角形面为c1和c2且为等边三角形，a1和a2的夹角为2-5°，b面中心位置与下刻槽石英棒连接，且下刻槽石英棒的倾斜面与靠板倾斜面连成一个平面。

9、作为优选，所述左刻槽石英棒与靠板右侧连接为一体，右刻槽石英棒与靠板右侧连接为一体。

10、作为优选，所述靠板数量至少包括两个，每两个石英槽中间放置一个靠板。

11、作为优选，所述舟体两端为探出的下刻槽石英棒，每一端设置一个刻槽。

12、作为优选，所述支架安装在舟体的下方，支架为棒状结构，直径大于下刻槽石英棒。

13、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本低压气相沉积用硅片载舟可以实现卧式低压气相炉沉积过程中硅片“背靠背”生长，极大的提高了加工效率，硅片倾斜放置可以避免生长多晶硅膜一面与石英舟的直接接触，略小于加工硅片的尺寸可以减少在沉积后取样过程中对多晶硅薄膜的物理破坏。本实用新型具有使用效果好、结构简单、成本低廉之优点。

技术特征：

1.一种低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：包括舟体(60)和靠板(10)，所述舟体(60)包括支架(40)、下刻槽石英棒(50)、与下刻槽石英棒(50)相连的左刻槽石英棒(20)、右刻槽石英棒(30)，所述靠板(10)尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱。

2.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)和舟体(60)均采用耐高温的石英材质制成。

3.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述下刻槽石英棒(50)、左刻槽石英棒(20)、右刻槽石英棒(30)的槽体深度均为1-3mm，槽体呈倒三角结构，槽体向上开口角度为3-6°。

4.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述左刻槽石英棒(20)、右刻槽石英棒(30)设置于舟体(60)两侧的位置且高度对称。

5.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)的小于所需加工硅片尺寸的2-5mm。

6.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)的形状为三棱柱，三个矩形面分别为a1，a2和b，两个三角形面为c1和c2且为等边三角形，a1和a2的夹角为2-5°，b面中心位置与下刻槽石英棒(50)连接，且下刻槽石英棒(50)的倾斜面与靠板(10)倾斜面连成一个平面。

7.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述左刻槽石英棒(20)与靠板(10)右侧连接为一体，右刻槽石英棒(30)与靠板(10)右侧连接为一体。

8.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述靠板(10)数量至少包括两个，每两个石英槽中间放置一个靠板(10)。

9.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述舟体(60)两端为探出的下刻槽石英棒(50)，每一端设置一个刻槽。

10.根据权利要求1所述的低压气相沉积用硅片载舟，其特征在于：所述支架(40)安装在舟体(60)的下方，支架(40)为棒状结构，直径大于下刻槽石英棒(50)。

技术总结
本技术涉及半导体硅片生产技术领域，具体为一种低压气相沉积用硅片载舟，包括舟体和靠板，舟体包括支架、下刻槽石英棒、与下刻槽石英棒相连的左刻槽石英棒、右刻槽石英棒，靠板尺寸小于加工硅片尺寸，其外形为等边三棱柱。本技术可以实现卧式低压气相炉沉积过程中硅片“背靠背”生长，极大的提高了加工效率，硅片倾斜放置可以避免生长多晶硅膜一面与石英舟的直接接触，略小于加工硅片的尺寸可以减少在沉积后取样过程中对多晶硅薄膜的物理破坏。本技术具有使用效果好、结构简单、成本低廉之优点。

技术研发人员：张庆旭,吴雄杰,余天威,白超,聂早早,王志雄,徐晖,代明明,刘伟,徐佳俊
受保护的技术使用者：浙江海纳半导体股份有限公司
技术研发日：20221128
技术公布日：2024/1/12