一种耐强碱洗净的镀膜及镀膜方法与流程

本发明涉及透镜镀膜领域，尤其涉及耐强碱洗净的镀膜及镀膜方法。

背景技术：

1、真空成膜工艺一般有真空腔，抽气系统，加热系统，成膜材料加热系统及监控系统组成，成膜产品用于比较广泛，如手机摄像头，照相机，投影仪，安防摄像头等。

2、目前国内常用的是加热方式用ti3o5/sio2进行成膜，其成膜结构为层状制密性不佳(附图1)，造成后续环测时间较短，实际只可做为设备内部配件使用，同时洗净耐碱性(ph≥12，温度：70度时间：5分)不佳，对成品制程造成困扰。需更多的投入人工进行手工擦拭作业。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提出了一种耐强碱洗净的镀膜，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次设有二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅、镧系材料镀层、二氧化硅、镧系材料镀层。

2、优选的，镧系材料镀层包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的一种或者几种的混合。

3、优选的，所述镧系材料中还混合有钽元素和钛元素。

4、一种耐强碱洗净镀膜的镀膜方法，包括以下步骤：

5、s1:提供玻璃基材；

6、s2：将镀膜溅射机抽真空至5.00*10-3pa；

7、s3：材料预融，在腔体内固定三组阴极靶材，取固体五氧化三钛通过设置设备电流强度为440ma预融加热至液体，取固体粉末形态的镧系材料配合二氧化钛靶和五氧化二钽，通过设置设备电流强度为480ma预融加热至液态，使镧系材料混合有钛元素和钽元素，各自降温后形成固体阴极靶；二氧化硅作为第三组阴极靶；

8、s4：材料蒸镀，后注入氧气和氩气，氧气和氩气的比例为1:3～5；通过溅射设备将氩气电离，离子轰击轰击阴极阴极靶材，先后按照二氧化硅、五氧化三钛、二氧化硅、五氧化三钛、二氧化硅、五氧化三钛、二氧化硅、镧系材料镀层、二氧化硅、镧系材料镀层的顺序溅射，得到的五氧化三钛镀膜厚度为450nm，使用电流为：420ma，速率为二氧化硅镀膜厚度为418nm，电流：180ma，速率镧系材料混合物镀膜厚度为53nm，电流：460ma，速率

9、s5：进行保压30分；

10、s6：进行泄气作业；

11、s7：耐碱性洗净测量光谱检查包装流后程。

12、优选的，蒸镀过程中调节氩气和氧气的比例和量，在镀二氧化硅和五氧化三钛时，注入总量为量为1和0.8％，氧气和氩气的注入比例为1:3和2:5，在镀镧系材料镀层时，注入总量为量为0.4％，氧气和氩气比例注入1:5。

13、优选的，预溶温度为1800℃-2000℃。

14、本发明提出的耐强碱洗净的镀膜有以下有益效果：本发明采用了离子源成膜工艺使用ti3o5/sio2进行成膜，同时加入适量的镧系材料进行加工成膜，其成膜结构为柱状(附图2)，制密性更佳。并且镀膜工艺通过调整氧气和氩气的比例能够保证薄膜强度以及薄膜的密度，提高抗酸碱性。

技术特征：

1.一种耐强碱洗净的镀膜，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次设有二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅、镧系材料镀层、二氧化硅、镧系材料镀层。

2.根据权利要求1所述的耐强碱洗净的镀膜，其特征在于，镧系材料镀层包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的一种或者几种的混合。

3.根据权利要求1所述的耐强碱洗净的镀膜，其特征在于，所述镧系材料中还混合有钽元素和钛元素。

4.一种耐强碱洗净镀膜的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的耐强碱洗净的镀膜，其特征在于，蒸镀过程中调节氩气和氧气的比例和量，在镀二氧化硅和五氧化三钛时，注入总量为量分别为1％和0.8％，氧气和氩气的注入比例为1:3和2:5，在镀镧系材料镀层时，注入总量为量为0.4％，氧气和氩气比例注入1:5。

6.根据权利要求1所述的耐强碱洗净的镀膜，其特征在于，预溶温度为1800℃-2000℃。

技术总结
本发明提出了一种耐强碱洗净的镀膜，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次设有二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅镀层、五氧化三钛、二氧化硅、镧系材料镀层、二氧化硅、镧系材料镀层，其镀膜方法包括：S1:提供玻璃基材；S2：将镀膜溅射机抽真空至5.00*10‑3PA；S3：材料预融，在腔体内固定三组阴极靶材，取固体五氧化三钛通过设置设备电流强度为440MA预融加热至液体，取固体粉末形态的镧系材料配合二氧化钛靶和五氧化二钽，本发明采用了离子源成膜工艺使用TI3O5/SIO2进行成膜，同时加入适量的镧系材料进行加工成膜，其成膜结构为柱状，制密性更佳。并且镀膜工艺通过调整氧气和氩气的比例能够保证薄膜强度以及薄膜的密度，提高抗酸碱性。

技术研发人员：郭芳伟
受保护的技术使用者：徐州联超光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15