用于处理衬底的装置的制作方法

示例实施例涉及用于处理衬底的装置。更具体地，示例实施例涉及用于使用原子层沉积工艺处理衬底的装置。

背景技术：

1、通常，原子层沉积(ald)装置可以包括反应腔室、工作台、喷头、外环和独立外环。工作台可以布置在反应腔室中以支撑衬底。加热器可以布置在工作台中以加热衬底。喷头可以布置在反应腔室中工作台上方以向衬底提供反应气体。

2、独立外环可以设置在工作台的上表面的边缘部分处。外环可以被配置为围绕独立外环。外环和独立外环可以具有流量控制功能，以辅助排放从喷头注入的反应气体。此外，外环可以具有用于减轻或防止伴随提供到工作台的下表面的吹扫气体而在工作台的下表面上形成层的功能。吹扫气体可以流过外环和独立外环之间的吹扫通道。

3、根据相关技术，独立外环可以不固定。因此，吹扫通道(例如，独立外环和外环之间的间隙)的宽度可能不均匀。吹扫通道的不均匀宽度可能导致吹扫气体的供应量不同，从而降低反应气体的排放效率。特别地，因为有充分数量的吹扫气体不能流过狭窄的吹扫通道，所以一部分吹扫气体可能通过独立外环和工作台之间的间隙渗入到工作台的中心部分。结果，这部分吹扫气体中的颗粒可能污染工作台上的衬底。

技术实现思路

1、一些示例性实施例提供了用于处理衬底的装置，该装置能够形成具有均匀宽度的吹扫通道，并促进吹扫气体朝向工作台的外缘流动。

2、根据示例实施例，可以提供一种用于处理衬底的装置。该用于处理衬底的装置可以包括反应腔室、工作台、喷头、第一外环和第二外环。工作台可以布置在反应腔室中，并被配置为支撑衬底。喷头可以布置在反应腔室中，并被配置为向衬底提供反应气体。第一外环可以被配置为围绕工作台的上表面的边缘部分。第一外环可以包括至少一个对准槽。第二外环可以被配置为围绕第一外环。第二外环可以包括被配置为插入到对准槽中的至少一个对准销。

3、根据示例实施例，可以提供一种用于处理衬底的装置。该用于处理衬底的装置可以包括反应腔室、工作台、喷头、第一外环和第二外环。工作台可以布置在反应腔室中，并被配置为支撑衬底。喷头可以布置在反应腔室中，并被配置为向衬底提供反应气体。第一外环可以被配置为围绕工作台的上表面的边缘部分。第一外环可以包括多个对准槽。第二外环可以被配置为围绕第一外环。第二外环可以包括多个接纳槽和多个对准销，对准销分别对应于接纳槽并被配置为分别插入到对准槽中。第一辅助吹扫通道可以设置在每个对准槽的侧部，并被配置为将提供到工作台的上表面的吹扫气体引向工作台的外缘。第二辅助吹扫通道可以设置在每个对准槽下方，并被配置为将吹扫气体引向工作台的外缘。

4、根据示例实施例，可以提供一种用于处理衬底的装置。该用于处理衬底的装置可以包括反应腔室、工作台、喷头、第一外环和第二外环。工作台可以布置在反应腔室中，并被配置为支撑衬底。喷头可以布置在反应腔室中，并被配置为向衬底提供反应气体。第一外环可以被配置为围绕工作台的上表面的边缘部分。第一外环可以包括多个对准突起，该多个对准突起分别包括多个对准槽。第二外环可以被配置为围绕第一外环。第二外环可以包括多个接纳槽和多个对准销，接纳槽被配置为接纳对准突起，对准销分别布置在接纳槽的底表面上。对准销可以被配置为分别插入到对准槽中。第一外环和第二外环可以在其间限定主吹扫通道，该主吹扫通道被配置为将提供到工作台的上表面的吹扫气体引向工作台的外缘。每个对准突起的侧表面和对应的接纳槽的内侧表面在其间限定第一辅助吹扫通道，该第一辅助吹扫通道被配置为将吹扫气体引向工作台的外缘。每个对准突起的下表面和对应的接纳槽的底表面在其间限定第二辅助吹扫通道，该第二辅助吹扫通道被配置为将吹扫气体引向工作台的外缘。

5、根据一些示例实施例，第二外环的对准销可以插入到第一外环的对准槽中，以将第二外环定位在准确的位置处。因此，第一外环和第二外环之间的主吹扫通道可以具有均匀的宽度，并且可以提高反应气体的排放效率。特别地，第一辅助吹扫通道和第二辅助吹扫通道可以设置在对准突起和接纳槽之间，并且可以进一步提高反应气体的排放效率。

技术特征：

1.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一外环还包括从所述第一外环的外周表面突起的至少一个对准突起，并且所述对准突起包括所述对准槽。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二外环还包括接纳槽，所述接纳槽被配置为接纳所述对准突起。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述对准销安装在所述接纳槽的底表面处。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述对准突起的侧表面和所述接纳槽的内侧表面限定第一辅助吹扫通道，所述第一辅助吹扫通道被配置为将提供到所述工作台的上表面的吹扫气体引向所述工作台的外缘。

6.根据权利要求3所述的装置，其中，所述对准突起的下表面和所述接纳槽的底表面限定第二辅助吹扫通道，所述第二辅助吹扫通道被配置为将提供到所述工作台的上表面的吹扫气体引向所述工作台的外缘。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述对准槽包括以均匀间隙彼此间隔开的多个槽。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述对准槽包括彼此间隔开约120°的三个槽。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述对准槽具有长轴与所述第一外环的径向方向相对应的椭圆形形状。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述反应腔室包括被配置为执行原子层沉积ald工艺的腔室。

11.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第一外环还包括从所述第一外环的外周表面突起的多个对准突起，并且所述对准突起分别包括所述对准槽。

13.根据权利要求12所述的装置，其中

14.根据权利要求13所述的装置，其中，每一个所述对准销安装在所述接纳槽的所述底表面处。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述对准槽包括以均匀间隙彼此间隔开的三个槽。

16.根据权利要求11所述的装置，其中，每一个所述对准槽具有长轴与所述第一外环的径向方向相对应的椭圆形形状。

17.根据权利要求11所述的装置，其中，所述反应腔室包括被配置为执行原子层沉积ald工艺的腔室。

18.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：

19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述对准槽包括以均匀间隙彼此间隔开的三个槽。

20.根据权利要求18所述的装置，其中，每一个所述对准槽具有长轴与所述第一外环的径向方向相对应的椭圆形形状。

技术总结
可以提供一种用于处理衬底的装置，该装置包括反应腔室、工作台、喷头、第一外环和第二外环。工作台可以布置在反应腔室中以支撑衬底。喷头可以布置在反应腔室中以向衬底提供反应气体。第一外环可以被配置为围绕工作台的上表面的边缘部分。第一外环可以包括至少一个对准槽。第二外环可以被配置为围绕第一外环。第二外环可以包括被配置为插入到对准槽中的至少一个对准销。第一外环和第二外环可以在其间限定具有均匀宽度的主吹扫通道以提高反应气体的排放效率。

技术研发人员：吴荣埈,朴相旭,全炯杓
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29