本发明涉及新材料技术,尤其涉及一种峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金、其制备方法及用途。
背景技术:
1、铝作为一种良导体被广泛应用于输电导线等场景,但纯铝的强度较低,在恶劣的服役环境中安全系数较低。通常铝中加入一定含量的合金化元素可以提高强度,但会降低电导率。因此,采用低合金化的6xxx(al-mg-si)铝合金可以作为一种折衷的方式即保证具备一定的强度,又不至于严重损害电导率。al-mg-si系合金是一种可热处理强化的铝合金,通过固溶-时效工艺析出细小、弥散的析出强化相大幅度地提升强度。固溶处理时大部分合金元素回溶到铝基体中,再进行人工时效,使其发生脱溶、析出、长大和粗化。析出强化过程不仅可以提高强度,同时还可以提高电导率。然而,该过程存在峰时效状态,即强度随时效时间存在峰值,这是因为析出相长大、粗化的过程中存在一个最优尺寸使得强度最大。对于al-mg-si系合金,因为固溶mg原子和si原子扩散速度极快,常规的时效方法中峰时效区域非常窄,导致其工艺窗口窄,进而不能获得最佳的性能。
2、金属材料中存在大量的晶体缺陷,包括空位、位错、层错等,而且其可以通过工艺手段调控,进而改变材料的性能。在al-mg-si系合金中添加难溶的tib2陶瓷颗粒形成tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金不仅能够形成大量的颗粒/基体相界面缺陷,还能通过固溶-时效工艺产生大量的热错配位错,而这些缺陷会成为固溶原子的快速扩散通道,进而影响其析出行为。
技术实现思路
1、本发明的目的在于,针对传统al-mg-si系合金,因为固溶mg原子和si原子扩散速度极快,常规的时效方法中峰时效区域非常窄,导致其工艺窗口窄,进而不能获得最佳性能的问题,提出一种峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金的制备方法,该方法通过向al-mg-si系合金中添加难溶的tib2陶瓷颗粒,调控其人工时效过程中弥散强化相的析出行为,制备得到一种峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金,其工艺简单,成本低廉,制备得到的瓷刚铝合金具备优异的力学性能和电导率。
2、为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金的制备方法,包括以下步骤:
3、步骤(1)成分设计:采用tib2陶瓷颗粒调控al-mg-si系合金的峰时效区域宽化行为,al-mg-si系合金中mg为0.6%-0.8%,si为0.3%-0.9%(如无特殊说明,本发明中%均为质量分数,下同);优选两种al-mg-si系合金:a、高si低mg,al-0.6mg-0.9si;b、高mg低si,al-0.8mg-0.3si。
4、步骤(2)熔炼:a、将al-5%tib2前驱体(第二相为tib2陶瓷相颗粒,b/ti化学计量比为1.6~1.7,过量ti元素以al3ti金属间化合物和固溶ti原子的形式存在)和al-3%b中间合金(第二相为alb2陶瓷相颗粒)按照b/ti化学计量比为2.0~2.1进行配比,同时放入石墨黏土坩埚,在井式坩埚熔炼炉中升温至750~780℃熔化,搅拌使其充分混合;b、施加超声振动处理3~5min,以加速反应;c、保温20~30min使其充分反应;d、采用al-10%mg中间合金和al-12%si中间合金对其进行合金化;e、在熔体中通入高纯氩气进行精炼,时长3~10min;f、施加超声振动处理3~5min,以弥散陶瓷颗粒的分布;g、熔体温度为720~750℃时将其浇注至钢模,制备得到瓷刚铝合金铸锭;
5、步骤(3)固溶处理:将瓷刚铝合金铸锭加热至550~570℃进行固溶处理,保温时长720~1440min,室温水淬;
6、步骤(4)人工时效:水淬结束后迅速送至时效炉进行人工时效处理,温度为188~192℃,时间为0~210min,优选时间为60~210min。
7、进一步地,步骤(2)中所述al-5%tib2前驱体为工业吨级生产的al-tib2母材;所述高冶金质量的al-3%b中间合金的碱金属含量低于0.1%。
8、进一步地,步骤(2)中al-5%tib2前驱体的ti元素和b元素的含量分别为3.5~3.6%和1.4~1.5%。
9、进一步地,步骤(2)所述瓷刚铝合金铸锭中tib2颗粒总含量为3.5~4.5%,优选为4%。
10、进一步地,步骤(2)所述瓷刚铝合金铸锭中al-10%mg中间合金加入的质量分数分别为6.2%-8.3%;所述al-12%si中间合金加入的质量分数分别为为2.5%-7.5%。
11、进一步地,步骤(2)中,当al-mg-si系合金为al-0.6mg-0.9si合金时,al-10%mg中间合金和al-12%si中间合金加入的质量分数分别为6.0~6.2%和7.3~7.5%。
12、进一步地,步骤(2)中,当al-mg-si系合金为al-0.8mg-0.3si合金时,al-10%mg中间合金和al-12%si中间合金加入的质量分数分别为和8.1~8.3%和2.3~2.5%。
13、进一步地,步骤(2)中制备的瓷刚铝合金铸锭中杂质fe含量低于0.2%,其它每种杂质含量低于0.1%。
14、进一步地,步骤(2)中所有原材料在熔炼前均需在烘干箱中烘干30~60min。
15、进一步地,步骤(2)中原材料的加入顺序如下:al-3%b中间合金和al-5%tib2前驱体同时加热,al-10%mg和al-12%si中间合金在保温反应结束后加入,以此消除合金化对反应的影响。
16、本发明的另一个目的还公开了一种峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金,采用上述方法制备而成,相比于纯合金,无论是高si低mg体系还是高mg低si体系,加入tib2陶瓷颗粒后峰时效不仅发生提前,同时在峰时效状态维持较长时间,即获得峰时效区域宽化效应,扩宽人工时效的工艺窗口,获得最佳的力学性能和电导率。
17、进一步地,所述峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金包括重量配比如下的各组分:
18、tib2 3.5~4.5%;
19、mg 0.6~0.8%;
20、si 0.3~0.9%;
21、杂质fe含量低于0.2%;
22、其他每种杂质含量低于0.1%;
23、余量为al。
24、进一步地,优选的所述峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金为tib2/al-0.6mg-0.9si,包括重量配比如下的各组分:
25、tib2/al-0.6mg-0.9si:
26、tib2 4%;
27、mg 0.6%;
28、si 0.9%;
29、杂质fe含量低于0.2%;
30、其他每种杂质含量低于0.1%;
31、余量为al。
32、进一步地,优选的所述峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金为tib2/al-0.8mg-0.3si,包括重量配比如下的各组分:
33、tib2/al-0.8mg-0.3si:
34、tib2 4%;
35、mg 0.8%;
36、si 0.3%;
37、杂质fe含量低于0.2%;
38、其他每种杂质含量低于0.1%;
39、余量为al。
40、进一步地,所述tib2优选为4%。
41、本发明的另一个目的还公开了一种峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金在输电导线领域的用途。
42、本发明峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金、其制备方法及用途,与现有技术相比较具有以下优点:
43、1)、本发明峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金同传统的铝合金制备流程结合紧密,易于推广,且成本低廉,可以大规模批量生产。
44、2)、本发明峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金,相比于纯合金,加入tib2陶瓷颗粒后峰时效不仅发生提前,同时在峰时效状态维持较长时间,即获得峰时效区域宽化效应,扩宽人工时效的工艺窗口,获得最佳的力学性能和电导率。
45、其中,高si低mg体系tib2/al-0.6mg-0.9si的峰值硬度大于120hv0.2,电导率大于45%iacs;高mg低si体系tib2/al-0.8mg-0.3si的峰值硬度大于100hv0.2,电导率大于47%iacs。
46、3)、本发明峰时效区域宽化的tib2p/al-mg-si瓷刚铝合金,不仅能够形成大量的颗粒/基体相界面缺陷,还能通过固溶-时效工艺产生大量的cte位错,而这些缺陷会成为固溶原子的快速扩散通道,进而影响其析出行为。
47、本发明中p代表颗粒,particle。