晶片的磨削方法与流程

本发明涉及通过环状磨具对保持于卡盘工作台的保持面的晶片进行磨削的晶片的磨削方法。

背景技术：

1、在用于各种电子设备的ic、lsi等半导体器件的制造工序中，为了半导体器件的小型化和轻量化，晶片的背面被磨削而使该晶片薄壁化至规定的厚度。例如，在使用专利文献1公开的磨削装置通过环状磨具的下表面对保持于卡盘工作台的晶片的半径部分进行磨削时，如专利文献2所记载的那样，会在被磨削的晶片的中央部分形成微小的凹陷。该凹陷被认为是由于以下原因而产生的：由于保持晶片的卡盘工作台的保持面形成为圆锥状，所以晶片的中央部分会在保持面的中央部分成为凸状，成为该凸状的中央部分会被更多地削去。

2、因此，专利文献3提出了将卡盘工作台的保持面的中心即圆锥的顶点去除的保持面形成方法，根据该方法，防止了由于晶片的中央部分被过度削去而导致的凹陷的形成。

3、专利文献1：日本特开2018-114573号公报

4、专利文献2：日本特开2021-146416号公报

5、专利文献3：日本特开2020-175472号公报

6、然而，根据在专利文献3中提出的保持面形成方法，卡盘工作台的保持面的形成需要较长时间，存在作业效率差的问题。

技术实现思路

1、本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够在短时间内高效地将晶片磨削成均匀的厚度的晶片的磨削方法。

2、用于实现上述目的的本发明为晶片的磨削方法，使旋转的环状磨具与保持在卡盘工作台的圆锥状的保持面上并旋转的晶片的半径部分接触而对晶片进行磨削，其特征在于，该晶片的磨削方法具有如下工序：保持工序，使晶片保持于该保持面；第1磨削工序，使该环状磨具的下表面与保持于该保持面的晶片的半径部分接触而在晶片的中央部分形成微小的凹陷，并且将晶片的外周部分磨削为略厚；以及第2磨削工序，在该第1磨削工序之后，以该环状磨具的下表面不与晶片的中心接触的方式使该卡盘工作台与该环状磨具的倾斜度相对地改变而对晶片的中央部分以外的部分进行磨削。

3、根据本发明，在第1磨削工序中，在晶片的中央部分形成微小的凹陷，并且将该晶片的外周部分磨削为略厚，在第2磨削工序中，以环状磨具的下表面不与晶片的中心接触的方式使卡盘工作台与环状磨具的倾斜度相对地改变而对晶片的中央部分以外的略厚的外周部分进行磨削，因此通过第2磨削工序的磨削，能够将晶片的厚度均匀地精加工成在第1磨削工序中形成于晶片的中央部分的凹陷的厚度。因此，不需要为了不在晶片的中央部分产生凹陷而将卡盘工作台的保持面的顶点去除，该保持面的形成不需要较长时间。因此，得到能够在短时间内高效地将晶片磨削成均匀的厚度的效果。

技术特征：

1.一种晶片的磨削方法，使旋转的环状磨具与保持在卡盘工作台的圆锥状的保持面上并旋转的晶片的半径部分接触而对晶片进行磨削，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，

技术总结
提供晶片的磨削方法，能够在短时间内高效地将晶片磨削成均匀的厚度。使旋转的环状磨具(26b)与保持于卡盘工作台(10)的圆锥状的保持面(11a)并旋转的晶片(W)的半径部分接触而对晶片进行磨削的晶片的磨削方法经过如下工序对晶片进行磨削：保持工序，使晶片保持于保持面；第1磨削工序，使环状磨具(26b)的下表面与保持于保持面(11a)的晶片的半径部分接触而在晶片的中央部分(Wa)形成微小的凹陷(W1)，并且将晶片的外周部分(Wb)磨削为略厚；以及第2磨削工序，在该第1磨削工序之后，以环状磨具(26b)的下表面不与晶片的中心接触的方式使卡盘工作台(10)与环状磨具(26b)的倾斜度相对地改变而对晶片的中央部分(Wa)以外的部分进行磨削。

技术研发人员：桑名一孝,山下真司,久保徹雄
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4