基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法以及记录介质与流程

本公开涉及基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法以及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行对处理容器内的基板进行处理的工序，例如向收容在处理容器内的基板供给气体来在基板上形成膜的工序(例如参照专利文献1等)。此时，当堆积物附着在处理容器内的部件的表面，例如供给原料等的喷嘴的外侧表面时，有时因该堆积物而产生异物(颗粒)。

2、专利文献1：日本特开2013-225655号公报

技术实现思路

1、本公开提供一种能够抑制堆积物向处理容器内的部件的表面附着的技术。

2、根据本公开的一个方式，提供一种技术，其具备：处理容器，其收纳基板；第一喷嘴，其在侧面设置有第一排出孔，该第一排出孔朝向所述处理容器内的排列基板的基板排列区域开口；第二喷嘴，其在侧面设置有第二排出孔，该第二排出孔朝向所述第一喷嘴的所述侧面中的与所述第一排出孔的设置范围不同的范围的面以及与所述第一排出孔的设置范围不同的范围的面与所述处理容器的内壁面之间的空间中的至少任意一方开口；原料气体供给系统，其构成为经由所述第一喷嘴向所述处理容器内供给原料气体；以及惰性气体供给系统，其构成为经由所述第二喷嘴向所述处理容器内供给惰性气体。

3、根据本公开，能够抑制堆积物向处理容器内的部件的表面的附着。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

18.一种气体喷嘴，其特征在于，

19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

20.一种记录了程序的计算机可读取的记录介质，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法以及记录介质，其能够抑制堆积物向处理容器内的部件的表面的附着。具备：处理容器，其收纳基板；第一喷嘴，其在侧面设置有第一排出孔，该第一排出孔朝向处理容器内的排列基板的基板排列区域开口；第二喷嘴，其在侧面设置有第二排出孔，该第二排出孔朝向第一喷嘴的侧面中的与第一排出孔的设置范围不同的范围的面、以及与第一排出孔的设置范围不同的范围的面与处理容器的内壁面之间的空间中的至少任意一方开口；原料气体供给系统，其构成为经由第一喷嘴向处理容器内供给原料气体；以及惰性气体供给系统，其构成为经由第二喷嘴向处理容器内供给惰性气体。

技术研发人员：奥田和幸,今村友纪,野田孝晓
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27