薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法与流程

本申请涉及薄膜制备，特别是涉及一种薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法。

背景技术：

1、含磷/硼薄膜的用途广泛，可用于光伏电池中的掺杂玻璃、或作为催化剂载体用于电致发光显示器等。然而，含磷/硼的薄膜容易在制备过程中逐渐受到抑制而导致成膜效果下降，影响含磷/硼薄膜的工艺镀率，导致产能降低。

技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是如何改善含磷/硼薄膜的成膜效果和工艺镀率。

2、为解决上述技术问题，本申请提供一种薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法。

3、第一方面，本申请提供一种薄膜，包括依次层叠且交替设置的第一膜层和第二膜层，第一膜层的材料包括氧化磷或氧化硼，第二膜层的材料包括氧化硅或氧化铝。

4、在一些实施例中，第二膜层形成薄膜的外表面。

5、第二方面，本申请提供一种薄膜的制备方法，包括：

6、制备第一膜层，第一膜层的材料包括氧化磷或氧化硼；

7、在第一膜层上制备第二膜层，第二膜层的材料包括氧化硅或氧化铝；

8、重复上述步骤，以制得第一膜层和第二膜层依次层叠且交替设置的薄膜。

9、在一些实施例中，制得的每一第一膜层的厚度为2～10nm或者为2～3nm，每一第二膜层的厚度为0.05～0.9nm。

10、在一些实施例中，第一膜层为第一前驱体和第二前驱体反应生成，第一前驱体含有磷元素或硼元素，第二前驱体含有氧元素；

11、第二膜层为第三前驱体和第四前驱体反应生成，第三前驱体含有铝元素或硅元素，第四前驱体含有氧元素。

12、在一些实施例中，第一前驱体和/或第二前驱体为等离子体。

13、在一些实施例中，制备第一膜层的步骤包括：向反应室通入第一前驱体，第一前驱体沉积于基材上；向反应室通入第二前驱体，第二前驱体与第一前驱体反应生成所述第一膜层。

14、制备第二膜层的步骤包括：向反应室通入第三前驱体，第三前驱体沉积于第一膜层上；向反应室通入第四前驱体，第四前驱体与第三前驱体反应生成所述第二膜层。

15、在一些实施例中，制备第一膜层的步骤包括：通入第一前驱体；对反应室进行吹扫；通入第二前驱体；对反应室进行吹扫；重复上述步骤，以制得第一膜层；

16、制备第二膜层的步骤包括：通入第三前驱体；对反应室进行吹扫；通入第四前驱体；对反应室进行吹扫；重复上述步骤，以制得第二膜层。

17、在一些实施例中，制备第一膜层的步骤包括：向反应室通入第一前驱体，向反应室通入第二前驱体，重复上述步骤，以制得第一膜层。

18、制备第二膜层的步骤包括：向反应室通入第三前驱体，向反应室通入第四前驱体，重复上述步骤，以制得所述第二膜层。

19、在一些实施例中，在制备第一膜层的步骤中，生成第一膜层的各前驱体以脉冲方式分别通入反应室；在制备第二膜层的步骤中，生成第二膜层的各前驱体以脉冲方式分别通入反应室。

20、在一些实施例中，在重复上述步骤，以制得第一膜层的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于200；

21、在重复上述步骤，以制得第二膜层的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于20；

22、在重复上述步骤，以制得第一膜层和第二膜层依次层叠且交替设置的薄膜的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于20。

23、在一些实施例中，制备第一膜层的步骤重复数与制备第二膜层的步骤重复数之比为30～50：1～5。

24、第三方面，本申请提供一种薄膜器件，薄膜器件包括上述的薄膜。

25、第四方面，本申请提供一种薄膜器件的制备方法，包括：通过上述的薄膜的制备方法制得薄膜；基于薄膜形成薄膜器件。

26、区别于现有技术，本申请提供的薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法的有益效果是：

27、本申请通过在制备第一膜层的过程中制备第二膜层，避免了材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层在自身的酸性作用下无法成膜，同时利用材料为氧化铝或氧化硅的第二膜层的路易斯碱性可以增强氧化磷或氧化硼的成膜效果，以及提高薄膜的工艺镀率，从而提高产能。

技术特征：

1.一种薄膜，其特征在于，包括依次层叠且交替设置的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层的材料包括氧化磷或氧化硼，所述第二膜层的材料包括氧化硅或氧化铝。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第二膜层形成所述薄膜的外表面。

3.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的薄膜的制备方法，其特征在于，制得的每一所述第一膜层的厚度为2～10nm或者为2～3nm，每一所述第二膜层的厚度为0.05～0.9nm。

5.根据权利要求3所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一膜层为第一前驱体和第二前驱体反应生成，所述第一前驱体含有磷元素或硼元素，所述第二前驱体含有氧元素；

6.根据权利要求5所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一前驱体和/或所述第二前驱体为等离子体。

7.根据权利要求5所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备第一膜层的步骤包括：向反应室通入所述第一前驱体，所述第一前驱体沉积于基材上；向所述反应室通入所述第二前驱体，所述第二前驱体与所述第一前驱体反应生成所述第一膜层；

8.根据权利要求5所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备第一膜层的步骤包括：通入所述第一前驱体；对所述反应室进行吹扫；通入所述第二前驱体；对所述反应室进行吹扫；重复上述步骤，以制得所述第一膜层；

9.根据权利要求5所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备第一膜层的步骤包括：向反应室通入所述第一前驱体，向所述反应室通入所述第二前驱体，重复上述步骤，以制得所述第一膜层；

10.根据权利要求7～9任一所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在所述制备第一膜层的步骤中，生成所述第一膜层的所述第一前驱体、所述第二前驱体分别以脉冲方式通入所述反应室；在所述制备第二膜层的步骤中，生成所述第二膜层的所述第三前驱体、所述第四前驱体分别以脉冲方式通入所述反应室。

11.根据权利要求8或9所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在所述重复上述步骤，以制得所述第一膜层的步骤中，步骤重复数不小于1且不大于200；

12.根据权利要求11所述的薄膜的制备方法，其特征在于，制备所述第一膜层的步骤重复数与制备所述第二膜层的步骤重复数之比为30～50：1～5。

13.一种薄膜器件，其特征在于，包括如权利要求1-2任一项所述的薄膜。

14.一种薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括：

技术总结
本申请提供一种薄膜、薄膜的制备方法、薄膜器件及薄膜器件的制备方法，涉及薄膜制备技术领域。薄膜包括依次层叠且交替设置的第一膜层和第二膜层，第一膜层的材料为氧化磷或氧化硼，第二膜层的材料为氧化硅或氧化铝。本申请通过在制备第一膜层的过程中制备第二膜层，避免了材料为氧化磷或氧化硼的第一膜层在自身的酸性作用下无法成膜，同时利用材料为氧化铝或氧化硅的第二膜层的路易斯碱性可以增强氧化磷或氧化硼的成膜效果，从而提高薄膜的工艺镀率，进而提高产能。

技术研发人员：李翔,邹嘉宸,方鑫,袁红霞
受保护的技术使用者：江苏微导纳米科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15