CVD晶圆反应电场发生机构的制作方法

本申请涉及晶圆化学气相沉积设备，尤其是一种cvd晶圆反应电场发生机构。

背景技术：

1、化学气相沉积(chemical vapor deposition)是指通过化学气体或蒸汽在基质表面反应、合成涂层或纳米材料的方法。目前，cvd是半导体工业中应用较为广泛的一种沉积技术。

2、cvd法制备薄膜过程为：反应气体向基片表面扩散、并吸附于基片表面，反应气体在基片表面发生化学反应，在基片表面生成的气相副产物脱离、向空间扩散或者被抽气系统抽走，在基片表面留下的不挥发的固相反应产物成为基片的氧化膜。

3、在cvd镀膜工艺中，反应气体在晶圆表面的分布均匀性、压力和反应温度是决定镀膜效果的重要条件，增设电场有利于促进反应的发生，但电场的设置也会增加安全隐患。

4、常规的电场发生机构通常布置在反应腔顶部，工作时直接自上而下对下生成电磁场，如此设置的电场发生机构难以匹配具备箱体和盖体的工作室，在安装、维护等作业时也会增加处理难度。

技术实现思路

1、本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足，提供一种cvd晶圆反应电场发生机构。

2、为实现以上技术目的，本申请提供了一种cvd晶圆反应电场发生机构，包括：第二作业板；供电装置，用于对第二作业板通电；供电装置包括：电源；导电条，设于箱体中、用于连接电源；第一导电块，设于箱体中、并延伸至箱体的顶部，第一导电块与导电条可拆卸地连接；第二导电块，设于盖体中、用于接触第一导电块，盖体可翻转地设于箱体一侧；导电片，与第二导电块可拆卸地连接；其中，第一导电块和第二导电块中的一者的接触端设置为凸状、另一者的接触端设置为凹状，第一导电块和第二导电块接触时，凸状接触端能够插入凹状接触端中；第二作业板上设有容纳槽，导电片处于容纳槽中、并接触第二作业板；工作时，箱体与盖体密封连接，第一导电块接触第二导电块；电源供电，电流通过导电条、第一导电块、第二导电块和导电片作用于第二作业板。

3、进一步地，第二作业板采用铝材制备，第二作业板的表面经过阳极氧化处理。

4、进一步地，电源设于箱体外；导电条水平延伸；第一导电块竖直延伸，第一导电块的一端连接导电条、另一端穿过箱体对外暴露；第二导电块竖直延伸，第二导电块的一端连接第二作业板、并一端穿过盖体对外暴露。

5、进一步地，箱体内设有第一绝缘块，导电条设于第一绝缘块中；箱体内还设有第二绝缘块，第一导电块设于第二绝缘块中；盖体内设有第三绝缘块，第二导电块设于第三绝缘块中。

6、进一步地，第二绝缘块靠近第三绝缘块的一端设有v型槽，第三绝缘块靠近第二绝缘块的一端设有环形锥台，箱体与盖体密封连接时，环形锥台插入v型槽中；和/或，第三绝缘块远离第二绝缘块的一端设有避位槽，第二导电块设于避位槽中，导电片设于避位槽上方并正对避位槽；和/或，第一绝缘块与箱体通过螺钉紧固连接。

7、进一步地，导电条和第一导电块中的一者上设有螺纹孔、另一者上设有螺纹段，螺纹段能够与螺纹孔螺纹连接；和/或，第二导电块与导电片通过螺钉紧固连接；和/或，导电片与第二作业板通过螺钉紧固连接。

8、进一步地，cvd晶圆反应电场发生机构还包括弹性件；第二作业板上设有弹性安装孔，弹性安装孔用于安装弹性件；弹性件的一端连接第二导电块、另一端连接第二作业板。

9、进一步地，第二作业板背离反应腔的一面设有多个呈放射状布置的散热通道；任意两个相邻的散热通道之间设有一个叶片，叶片呈扇形，叶片的中心轴处设有第一辅流通道，第一辅流通道径向延伸、贯穿叶片、并将叶片分成两个岔道；岔道的中心轴处还设有第二辅流通道，第二辅流通道径向延伸、贯穿岔道。

10、进一步地，第二作业板的圆心处设有散热孔，散热孔沿厚度方向贯穿第二作业板；和/或，第二作业板的外周设有多个安装耳；和/或，第二作业板中内设有气道，气道贯穿第二作业板、用于供反应气体流通。

11、进一步地，第二作业板上设有散热孔和气道，气道径向延伸至连通散热孔；和/或，第二作业板上设有散热孔，cvd晶圆反应电场发生机构还包括散热盖板，散热盖板用于遮盖散热孔。

12、本申请提供了一种cvd晶圆反应电场发生机构，包括第二作业板和供电装置，通过供电装置对第二作业板通电，第二作业板用作电场发生器、能够构建电场从而促进气相沉积反应；供电装置包括电源、导电条、第一导电块、第二导电块和导电片，电源供电，电流通过导电条、第一导电块、第二导电块和导电片作用于第二作业板；本申请提供的cvd晶圆反应电场发生机构具有以下优点：

13、第一导电块和第二导电块分设于箱体和盖体中，既方便了箱体与盖体的开合，又满足了合盖导电、开盖断电的安全作业需要；

14、第一导电块和第二导电块中的一者的接触端设置为凸状、另一者的接触端设置为凹状，凹凸的圆弧设置能够增加第一导电块和第二导电块的接触面积，有利于电流流通，凸状端部陷入凹状端部后，凹状端部对凸状端部有一定限位作用，能够阻碍第一导电块和第二导电块相对位移，有利于电场发生的稳定性和可靠性；

15、第二作业板上设有容纳槽，导电片处于容纳槽中，开设容纳槽，一方面，能够限制导电片的安装位置，以便于部件准确组装、并能够避免导电片位移甚至脱离，有利于部件的连接准确性和稳定性，另一方面，能够保证导电片与第二作业板接触、从而保证电流流通。

技术特征：

1.一种cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述第二作业板（320）采用铝材制备，所述第二作业板（320）的表面经过阳极氧化处理。

3.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述电源（510）设于所述箱体（110）外；

4.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述箱体（110）内设有第一绝缘块（561），所述导电条（520）设于所述第一绝缘块（561）中；

5.根据权利要求4所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述第二绝缘块（562）靠近所述第三绝缘块（563）的一端设有v型槽，所述第三绝缘块（563）靠近所述第二绝缘块（562）的一端设有环形锥台，所述箱体（110）与所述盖体（120）密封连接时，所述环形锥台插入所述v型槽中；

6.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述导电条（520）和所述第一导电块（530）中的一者上设有螺纹孔、另一者上设有螺纹段，所述螺纹段能够与所述螺纹孔螺纹连接；

7.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，还包括弹性件（571）；

8.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述第二作业板（320）背离反应腔（101）的一面设有多个呈放射状布置的散热通道（323）；

9.根据权利要求1所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述第二作业板（320）的圆心处设有散热孔（327），所述散热孔（327）沿厚度方向贯穿所述第二作业板（320）；

10.根据权利要求9所述的cvd晶圆反应电场发生机构，其特征在于，所述第二作业板（320）上设有散热孔（327）和气道（320a），所述气道（320a）径向延伸至连通所述散热孔（327）；

技术总结
本申请公开了一种CVD晶圆反应电场发生机构，包括第二作业板和供电装置，通过供电装置对第二作业板通电，第二作业板用作电场发生器、能够构建电场从而促进气相沉积反应；供电装置包括电源、导电条、第一导电块、第二导电块和导电片，电源供电，电流通过导电条、第一导电块、第二导电块和导电片作用于第二作业板；第一导电块和第二导电块中的一者的接触端设置为凸状、另一者的接触端设置为凹状；第二作业板上设有容纳槽，导电片处于容纳槽中；通过设置导电条、第一导电块、第二导电块和导电片，既适应了箱体与盖体的开合结构、提高了设备安全，又方便了导电结构与箱体的组装，还保证了导电结构与第二作业板的接触导电效果。

技术研发人员：宋永辉,姜颖,刘超
受保护的技术使用者：无锡尚积半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15