一种晶圆PECVD镀膜治具的制作方法

本技术涉及镀膜治具，特别是涉及一种晶圆pecvd镀膜治具。

背景技术：

1、pecvd(plasmaenhancechemicalvapourdeposition，即等离子增强化学气相沉积)淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件以及mems等领域具有广泛的应用。pecvd常见的是一种平行板结构装置，基底或放有基底的载盘放在具有温控系统的下平板上(镀膜时温度通常会设定在250-400℃范围)，通入反应气体并维持一定的压强，射频电压加在上下两平行板之间，于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体，最终能够在基底上沉积出所期望的薄膜。

2、对于光学产品来说，多数光学产品使用双面抛光的玻璃晶圆或双面抛光的蓝宝石晶圆作为基底，它们都要求镀膜结束后镀膜面和非镀膜面都保持洁净。但是在实际生产过程中，首先需要将双面抛光的晶圆放入载盘，然后将载盘通过机械臂或手动的方式放置于设定好温度的下电极上进行pecvd镀膜作业。双面抛光的晶圆非镀膜面与载盘接触，其接触方式与专利号为cn217544557u中提供的“一种晶圆载片盘”较为类似，晶圆非镀膜面与载盘容纳槽的槽底直接接触，且经过高温的镀膜过程，容易引入晶圆非镀膜面的划伤、接触位置的颗粒物附着和难以清洗去除的印记等外观不良。

3、因此，市场上急需一种晶圆pecvd镀膜治具，用于解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种晶圆pecvd镀膜治具，用于解决上述现有技术中存在的技术问题，可以有效的减少晶圆与载盘的接触面积，避免接触面积过大带来的划伤、颗粒物附着和印记等不良。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：

3、本实用新型公开了一种晶圆pecvd镀膜治具，包括：

4、载盘，所述载盘上设有若干个安装孔，每个所述安装孔的内边缘设有边缘斜坡；

5、晶圆，所述晶圆为若干个，所述晶圆能够放置于所述安装孔上，所述晶圆的边缘与所述边缘斜坡相抵。

6、优选的，所述安装孔的一侧设有平边平台，所述晶圆的一侧为平边结构，所述平边结构能够放置于所述平边平台上。

7、优选的，所述安装孔远离所述平边平台的一侧设有防滑平台。

8、优选的，所述载盘的材质为铝合金、钛合金或石墨。

9、优选的，所述晶圆的材质为硅片、石英玻璃或蓝宝石。

10、本实用新型相对于现有技术取得了以下技术效果：

11、本实用新型中晶圆的边缘与边缘斜坡相抵，由于边缘斜坡为一斜面，所以晶圆的边缘与边缘斜坡之间为线接触。此外，安装孔为一通孔结构，所以晶圆的非镀膜面并不会与载盘相接触。结合这两点原因可以有效的减少晶圆与载盘的接触面积，从而能够避免接触面积过大带来的划伤、颗粒物附着和印记等不良。

技术特征：

1.一种晶圆pecvd镀膜治具，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆pecvd镀膜治具，其特征在于：所述安装孔的一侧设有平边平台，所述晶圆的一侧为平边结构，所述平边结构能够放置于所述平边平台上。

3.根据权利要求2所述的晶圆pecvd镀膜治具，其特征在于：所述安装孔远离所述平边平台的一侧设有防滑平台。

4.根据权利要求1所述的晶圆pecvd镀膜治具，其特征在于：所述载盘的材质为铝合金、钛合金或石墨。

5.根据权利要求1所述的晶圆pecvd镀膜治具，其特征在于：所述晶圆的材质为硅片、石英玻璃或蓝宝石。

技术总结
本技术公开了一种晶圆PECVD镀膜治具，涉及镀膜治具技术领域，包括：载盘，载盘上设有若干个安装孔，每个安装孔的内边缘设有边缘斜坡；晶圆，晶圆为若干个，晶圆能够放置于安装孔上，晶圆的边缘与边缘斜坡相抵。本技术中晶圆的边缘与边缘斜坡相抵，由于边缘斜坡为一斜面，所以晶圆的边缘与边缘斜坡之间为线接触，此外，安装孔为一通孔结构，所以晶圆的非镀膜面并不会与载盘接触，从而能够有效的减少晶圆与载盘的接触，以此防止晶圆产生划伤以及印记等问题。

技术研发人员：蔡志俊,赵培瑜,马立波
受保护的技术使用者：杭州邦齐州科技有限公司
技术研发日：20230128
技术公布日：2024/1/12