本技术涉及气相沉淀,具体而言,涉及一种物理气相沉淀设备。
背景技术:
1、通过物理气相沉积(physical vapor deposition,简称:pvd)技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术,泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺,其制备工艺中一般需要使用到物理气相沉淀设备,即pvd设备。
2、现有技术中,在pvd设备在开启或者需要进行维修的时候,pvd设备的腔盖需要开启,但由于腔盖容易在重力作用下,盖合下来,对人员安全造成影响,存在安全隐患。
技术实现思路
1、本实用新型提供了一种物理气相沉淀设备,其能够保证人员安全,消除安全隐患。
2、本实用新型的实施例可以这样实现:
3、本实用新型的实施例提供了一种物理气相沉淀设备,其包括:
4、加热腔体;
5、加热腔盖,所述加热腔盖可转动连接于所述加热腔体,以开启或盖合所述加热腔体;以及
6、连接组件,所述连接组件包括驱动杆、锁止杆和连接块,所述驱动杆和所述加热腔盖连接,所述驱动杆可转动地连接于所述连接块;
7、其中,在所述加热腔盖开启或盖合所述加热腔体的情况下,所述加热腔盖带动所述驱动杆移动,以使所述连接块相对于所述加热腔体移动,所述锁止杆用于同时可拆卸地连接于所述连接块和所述加热腔体,以限制所述连接块和所述加热腔体的相对位置。
8、可选地,所述连接组件还包括动力杆,所述动力杆安装于所述加热腔体,所述动力杆和所述连接块驱动连接,所述动力杆用于驱使所述连接块远离或靠近所述加热腔体。
9、可选地,所述驱动杆为l形杆体,所述驱动杆的一端和所述加热腔盖固定连接,所述驱动杆的另一端可转动地连接于所述连接块。
10、可选地,所述物理气相沉淀设备还包括阻挡块,所述阻挡块设置在所述加热腔体,所述阻挡块用于抵接所述驱动杆的另一端。
11、可选地,所述连接块上设有锁止孔,所述锁止杆用于同时贯穿所述加热腔体和所述锁止孔,以限制所述连接块和所述加热腔体的相对位置。
12、可选地,所述连接组件还包括关节轴承,所述关节轴承可转动地连接于所述连接块,且所述关节轴承和所述动力杆驱动连接。
13、可选地,所述锁止杆为插销。
14、可选地,所述物理气相沉淀设备还包括到位传感器,所述到位传感器设置在所述加热腔体,所述到位传感器用于获取所述锁止杆的位置信息。
15、可选地,所述动力杆为液压缸或者电缸或者气缸。
16、可选地,所述加热腔盖相对于所述加热腔体的开启角度大于90度。
17、本实用新型实施例的物理气相沉淀设备的有益效果包括,例如:
18、本实用新型的实施例提供了一种物理气相沉淀设备,其包括加热腔体、加热腔盖和连接组件,加热腔盖可转动连接于加热腔体,以开启或盖合加热腔体,连接组件包括驱动杆、锁止杆和连接块,驱动杆和加热腔盖连接,驱动杆可转动地连接于连接块,其中,在加热腔盖开启或盖合加热腔体的情况下,加热腔盖带动驱动杆移动,以使连接块相对于加热腔体移动,锁止杆用于同时可拆卸地连接于连接块和加热腔体,以限制连接块和加热腔体的相对位置,在加热腔盖开启的情况下,使锁止杆同时连接于连接块和加热腔体,限制连接块和加热腔体的相对位置,可以避免加热腔盖相对于加热腔体发生相对转动,进而防止加热腔盖突然下压盖合,保证人员安全,消除安全隐患。
1.一种物理气相沉淀设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述连接组件还包括动力杆,所述动力杆安装于所述加热腔体,所述动力杆和所述连接块驱动连接,所述动力杆用于驱使所述连接块远离或靠近所述加热腔体。
3.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述驱动杆为l形杆体,所述驱动杆的一端和所述加热腔盖固定连接,所述驱动杆的另一端可转动地连接于所述连接块。
4.根据权利要求3所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述物理气相沉淀设备还包括阻挡块,所述阻挡块设置在所述加热腔体,所述阻挡块用于抵接所述驱动杆的另一端。
5.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述连接块上设有锁止孔,所述锁止杆用于同时贯穿所述加热腔体和所述锁止孔,以限制所述连接块和所述加热腔体的相对位置。
6.根据权利要求2所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述连接组件还包括关节轴承,所述关节轴承可转动地连接于所述连接块,且所述关节轴承和所述动力杆驱动连接。
7.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述锁止杆为插销。
8.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述物理气相沉淀设备还包括到位传感器,所述到位传感器设置在所述加热腔体,所述到位传感器用于获取所述锁止杆的位置信息。
9.根据权利要求2所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述动力杆为液压缸或者电缸或者气缸。
10.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备,其特征在于,所述加热腔盖相对于所述加热腔体的开启角度大于90度。