一种真空镀膜机的水冷工件架旋转机构的制作方法

本技术涉及真空镀膜，具体为一种真空镀膜机的水冷工件架旋转机构。

背景技术：

1、真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件表面而形成薄膜的一种方法，真空镀膜机在工作的时候会产生大量的热量，需要及时有效的进行冷却，以确保其正常工作。众所周知，真空镀膜机在给产品镀膜时，会在一个相对真空的密闭空间进行，为了产品镀膜更加均匀，用于放置产品的工件架需要匀速旋转以达到镀膜的需求，目前常规的做法是将轴承设置在真空镀膜机的镀膜腔内，这样操作的弊端是，轴承在高温条件下工作，会缩短其使用寿命，同时在镀膜的过程中电机也会受到镀膜材料的腐蚀，且轴承在镀膜腔内会占用镀膜腔内的空间，无形的增加了真空镀膜机的体积。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，通过冷却水进水口和冷却水出水口来给轴承进行散热，提高轴承的使用寿命。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，包括固定座、石英晶体杆、套筒和电机，所述固定座为内部中空上下两端有开口的腔体结构，在该腔体内设置有大齿轮、小齿轮、轴承和工件架法兰，其中大齿轮与小齿轮相啮合，且大齿轮与工件架法兰固定连接，轴承套设在工件架法兰的外侧，工件架法兰远离大齿轮一端由腔体的下端开口延伸至固定座的外侧，所述石英晶体杆由腔体的上端开口插入，并与腔体下端开口插入的套筒插接，所述电机固定安装在固定座上，且电机的输出端通过联轴器与真空磁流体连接，所述真空磁流体远离电机一端由上往下贯穿固定座后与小齿轮固定连接。

3、优选的，所述固定座上开设有冷却水进水口和冷却水出水口，且固定座上位于腔体的上端开口处设置有密封盖，所述密封盖与固定座之间设置有密封圈。

4、优选的，所述石英晶体杆、套筒、大齿轮、轴承和工件架法兰同轴设置，其中轴承设置有两个，每个所述轴承上均开设有供工件架法兰的通孔。

5、优选的，所述套筒与工件架法兰的内壁固定连接。

6、优选的，所述真空磁流体与联轴器之间设置有挡尘盖。

7、与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

8、本实用新型将轴承设在镀膜腔外，并通过水冷方式进行降温，可以有效的解决现有技术中轴承设置在镀膜腔内在高温条件下工作使用寿命短的问题，有效的延长了轴承的使用寿命，生产效率大幅提高，同时也降低了使用成本。

技术特征：

1.一种真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，包括固定座(1)、石英晶体杆(2)、套筒(3)和电机(8)，其特征在于：所述固定座(1)为内部中空上下两端有开口的腔体结构，在该腔体内设置有大齿轮(4)、小齿轮(5)、轴承(6)和工件架法兰(7)，其中大齿轮(4)与小齿轮(5)相啮合，且大齿轮(4)与工件架法兰(7)固定连接，轴承(6)套设在工件架法兰(7)的外侧，工件架法兰(7)远离大齿轮(4)一端由腔体的下端开口延伸至固定座(1)的外侧，所述石英晶体杆(2)由腔体的上端开口插入，并与腔体下端开口插入的套筒(3)插接，所述电机(8)固定安装在固定座(1)上，且电机(8)的输出端通过联轴器(9)与真空磁流体(10)连接，所述真空磁流体(10)远离电机(8)一端由上往下贯穿固定座(1)后与小齿轮(5)固定连接。

2.根据权利要求1所述的真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，其特征在于：所述固定座(1)上开设有冷却水进水口(11)和冷却水出水口(12)，且固定座(1)上位于腔体的上端开口处设置有密封盖(13)，所述密封盖(13)与固定座(1)之间设置有密封圈(14)。

3.根据权利要求1所述的真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，其特征在于：所述石英晶体杆(2)、套筒(3)、大齿轮(4)、轴承(6)和工件架法兰(7)同轴设置，其中轴承(6)设置有两个，每个所述轴承(6)上均开设有供工件架法兰(7)的通孔。

4.根据权利要求1所述的真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，其特征在于：所述套筒(3)与工件架法兰(7)的内壁固定连接。

5.根据权利要求1所述的真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，其特征在于：所述真空磁流体(10)与联轴器(9)之间设置有挡尘盖(15)。

技术总结
本技术提供了一种真空镀膜机的水冷工件架旋转机构，包括固定座、石英晶体杆、套筒和电机，所述固定座为内部中空上下两端有开口的腔体结构，在该腔体内设置有大齿轮、小齿轮、轴承和工件架法兰，其中大齿轮与小齿轮相啮合，且大齿轮与工件架法兰固定连接，轴承套设在工件架法兰的外侧，石英晶体杆由腔体的上端开口插入，并与腔体下端开口插入的套筒插接，电机固定安装在固定座上，且电机的输出端通过联轴器与真空磁流体连接，真空磁流体远离电机一端由上往下贯穿固定座后与小齿轮固定连接。本技术将轴承设在镀膜腔外，并通过水冷方式进行降温，可以有效的解决现有技术中轴承设置在镀膜腔内在高温条件下工作使用寿命短的问题。

技术研发人员：李英魁
受保护的技术使用者：四会市华源真空设备有限公司
技术研发日：20230227
技术公布日：2024/1/13