一种镀膜蒸发室基片固定结构的制作方法

文档序号:36190303发布日期:2023-11-29 23:08阅读:16来源:国知局
一种镀膜蒸发室基片固定结构的制作方法

本技术属于真空镀膜,具体为一种镀膜蒸发室基片固定结构。


背景技术:

1、真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上,完成镀膜操作,在镀膜之前需要将基片对应安装在基片固定架内。

2、相关技术中,可参考公告号为cn213507181u的中国专利,具体公开了一种真空镀膜用基片载架夹持装置,包括顶板。本实用新型的目的在于提供一种真空镀膜用基片载架夹持装置,用于在真空镀膜过程中自动化地取放基片载架,提高真空镀膜效率。

3、针对上述相关技术方案,申请人发现:为了保证镀膜速率,一般会在基片载架上设置多个放置基片的槽,在放入之后,需要用胶布或着其他固定方式,将基片固定在放置基片的槽内,无疑会增加镀膜之前的准备时间。

4、鉴于此,提出了一种镀膜蒸发室基片固定结构。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于:为了解决上述提出的问题,提供一种镀膜蒸发室基片固定结构。

2、本实用新型采用的技术方案如下:一种镀膜蒸发室基片固定结构,包括基片固定架和承托架,所述基片固定架的底面均匀环绕设置有多个基片放置槽;

3、所述基片固定架的底面中心处螺纹安装有螺纹杆,所述螺纹杆的上端固定连接有圆锥台,所述基片放置槽靠近圆锥台的一侧均开设有定位孔,所述定位孔内均设置有固定压板;

4、所述固定压板靠近圆锥台的一侧均固定连接有导向杆,所述导向杆的尾端设有与圆锥台斜度相同的斜面;

5、所述基片固定架的外周面一体成型有导向环。

6、在一优选的实施方式中,所述承托架的下侧内部开设有满足基片固定架放入的放置槽,所述放置槽的两侧内壁上开设有满足导向环插入的导向环槽。

7、在一优选的实施方式中,所述导向环槽的两侧外端在承托架上设置有弹簧插杆,所述导向环的两端对应弹簧插杆开设有插孔。

8、在一优选的实施方式中,所述基片放置槽的内端和固定压板的另一侧均粘接有硅胶垫。

9、在一优选的实施方式中,所述螺纹杆的下端固定连接有转动把手。

10、在一优选的实施方式中,所述导向杆的中部外端套设有弹簧,所述弹簧设置在基片固定架内预留的空腔内。

11、综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:

12、1、本实用新型中,将基片放入到基片放置槽内后,并转动转动把手,在转动的过程中,螺纹杆和圆锥台向上移动,受圆锥台坡度的影响,会挤压导向杆和固定压板向外移动,从而对放置在基片放置槽内的基片进行固定,以上方式能够同步对多个基片进行固定,能够提高整体的镀膜速率。

13、2、本实用新型中,在放入基片之前,向外拽出弹簧插杆,便可将基片固定架拿出,方便向基片固定架上放入基片,当固定基片之后,将基片固定架顺着导向环槽插入并用弹簧插杆锁紧,便可完成对基片固定架的固定,能够实现快速拆装操作,方便放置基片。



技术特征:

1.一种镀膜蒸发室基片固定结构,包括基片固定架(7)和承托架(2),其特征在于:所述基片固定架(7)的底面均匀环绕设置有多个基片放置槽(8);

2.如权利要求1所述的一种镀膜蒸发室基片固定结构,其特征在于:所述承托架(2)的下侧内部开设有满足基片固定架(7)放入的放置槽,所述放置槽的两侧内壁上开设有满足导向环(3)插入的导向环槽。

3.如权利要求2所述的一种镀膜蒸发室基片固定结构,其特征在于:所述导向环槽的两侧外端在承托架(2)上设置有弹簧插杆(1),所述导向环(3)的两端对应弹簧插杆(1)开设有插孔。

4.如权利要求1所述的一种镀膜蒸发室基片固定结构,其特征在于:所述基片放置槽(8)的内端和固定压板(15)的另一侧均粘接有硅胶垫(9)。

5.如权利要求1所述的一种镀膜蒸发室基片固定结构,其特征在于:所述螺纹杆(6)的下端固定连接有转动把手(5)。

6.如权利要求1所述的一种镀膜蒸发室基片固定结构,其特征在于:所述导向杆(13)的中部外端套设有弹簧(12),所述弹簧(12)设置在基片固定架(7)内预留的空腔(11)内。


技术总结
本技术公开了一种镀膜蒸发室基片固定结构,包括基片固定架和承托架,所述基片固定架的底面均匀环绕设置有多个基片放置槽,所述基片固定架的底面中心处螺纹安装有螺纹杆,所述螺纹杆的上端固定连接有圆锥台,所述基片放置槽靠近圆锥台的一侧均开设有定位孔。首先将基片对应放置在基片放置槽内,在放置后,转动转动把手,在转动的过程中,螺纹杆向内移动,在移动的过程中同步带动圆锥台向内移动,在移动的过程中,受圆锥台坡度的影响,会挤压外周面设置的导向杆向外端一侧移动,在移动的过程中,会带动固定压板向外移动,从而对放置在基片放置槽内的基片进行固定,以上方式能够同步对多个基片进行固定,能够提高整体的镀膜速率。

技术研发人员:江成龙
受保护的技术使用者:聚能纳米科技(苏州)有限公司
技术研发日:20230424
技术公布日:2024/1/15
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