专利名称：多晶硅还原炉的制作方法
技术领域：
本发明属于化工行业用于多晶硅生产的设备，即多晶硅还原炉。
背景技术：
现有的多晶硅还原炉均采用单管喷射式，即将氢气、三氯化硅以一定的比例混合 后由一根喷管进入还原炉，这样往往会造成硅棒沉积不均勻，使得吸收率低还原不彻底。
发明内容
为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案，一种多晶硅还原炉，包括有炉 罩、底盘、多晶硅硅棒、进料管和喷头，炉罩安装在底盘上，底盘上安装有至少一组多晶硅硅 棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管和出料管相连通的喷头，喷头为三个或三个以 上。所述的喷头由三个独立管道组合而成，其中位于喷头顶端开口的为进料管道口， 喷头两侧面开口的分别为出料管道口。本发明采用低速三管进料方式，大大的提高了还原速度和沉积率，使得收率从之 前的30%左右提高到了 80%左右。同时将进料管道和出料管道组合在一起，也使得本发明 生产成本低，使用时占用场地小。
图1多晶硅氢还原炉结构示意图；图2多晶硅氢还原炉其喷头结构示意图。图中1、炉罩；2、底盘；3、多晶硅硅棒；4、进料管；5、出料管；6、喷头；7、导轨；8、
进料管道口 ；9、出料管道口 ；10、出料管道口。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做进一步的说明如图1所示，一种多晶硅还原炉，包括有炉罩1、底盘2、多晶硅硅棒3、进料管4、出 料管5和喷头6。炉罩1安装在底盘2上，底盘2上安装有至少一组多晶硅硅棒3，同时底 盘2上还设有与底盘下部的进料管4和出料管5相连通的喷头6.喷头6为三个或三个以 上。这样便使由喷头6进入炉内的进料与多晶硅硅棒3有充分的接触面，大大的提高了还 原速度和沉积率。如图2所示，所述的喷头6由3个独立管道组合而成，其中位于喷头6顶 端开口的为进料管道口 8，喷头6两侧面开口的分别为出料管道口 9和10。将进料管道和 出料管道组合在一起，也使得本发明生产成本低，也为充分利用生产场地提供了有利条件。
权利要求
多晶硅还原炉，包括有炉罩(1)、底盘(2)、多晶硅硅棒(3)、进料管(4)、出料管(5)和喷头(6)，其特征在于炉罩(1)安装在底盘(2)上，底盘(2)上安装有至少一组多晶硅硅棒(3)，同时底盘(2)上还设有与底盘下部的进料管(4)和出料管(5)相连通的喷头(6)，且喷头(6)为三个或三个以上。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于所述的喷头(6)由三个独立管 道组合而成，其中位于喷头顶端开口的为进料管道口(8)，喷头两侧面开口的分别为出料管 道口 (9)和出料管道口(10)。
全文摘要
本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉罩，底盘，多晶硅硅棒，进料管和喷头，炉罩安装在底盘上，底盘上安装有至少一组多晶硅硅棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管连通的喷头，喷头为三个或三个以上，本发明解决了现有的多晶硅还原炉采用单管喷射式，而造成硅棒沉积不均匀且厚而不彻底，收率低的问题。其结构简单，还原速度大大提高的同时也大大提高了吸收率。
文档编号C01B33/03GK101993080SQ20091014461
公开日2011年3月30日 申请日期2009年8月21日 优先权日2009年8月21日
发明者沈晓明 申请人:张家港市华凌化工机械有限公司