一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法

文档序号:3473747阅读:711来源:国知局
一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法
【专利摘要】本发明提供一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法,方法如下:1、取传统配量的氧化铝粉加入重量比0.1~0.2%的聚丙烯酰铵和0.1~0.3%的聚丙烯酸钠混合均匀后,放入管磨机中进行研磨;2、将研磨后的原料经分级机筛选,取1微米以下粉料,1微米以上粉料返回研磨机继续研磨,使之达到1微米细度为止;3、将细度达到标准的粉料经滚动成球机滚制成为球形料,放入隧道窑经1250℃温度煅烧转相,即制成为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。本方法所生产的陶瓷原料其细度可达到1微米以下,可让陶瓷产品能达到高标准质量,同时,由于原料超细,陶瓷成品煅烧时,有利节约成本和降低能源消耗。
【专利说明】一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种陶瓷产品原料的制备方法,具体的说是一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法。
【背景技术】 [0002]低纳细晶阿尔法三氧化二铝微粉是目前陶瓷产品必需而又紧缺的原料,传统的制备方法是将氧化铝粉通过球磨、压砖、高温煅烧生产为阿尔法氧化二铝微粉,但这种多年来的传统工艺所生产的粉料细度其D50 —般只能控制在4~8微米左右。而陶瓷产品中,其粉料的细度越细,对成品生产越有利,直接涉及成品的质量的优劣,并涉及到煅烧过程中的能源消耗,粉料越细,其煅烧的通适性能越好,烧制效果也越好,电耗也同时降低,目前的制造工艺由于无法满足细度要求,直接导致研磨制备成本过高,高质量要求的成品很难生产。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于有效解决目前工艺中难以解决的问题,提供一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法,可将粉料生产为I微米以下的超细晶粉,既可优化生产成品的质量,又可有效降低成品生产的成本费用。
[0004]本发明包括采用隧道窑通过1250°C温度煅烧,所采用的具体方法如下:制备方法如下:
步骤1、取传统配量的氧化铝粉加入重量比0.1~0.2%的聚丙烯酰铵和0.1~0.3%的聚丙烯酸钠混合均匀后,放入管磨机中进行研磨;
步骤2、将研磨后的原料经分级机筛选,取I微米以下粉料,I微米以上粉料返回研磨机继续研磨,使之D50达到I微米细度为止;
步骤3、将上述细度达到标准的粉料经滚动成球机滚制成为球形料,放入隧道窑经1250°C温度煅烧转相,即制成为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。
[0005]上述方案中:步骤3中的1250°C温度煅烧其温度应控制在±20°C范围内。
[0006]本发明通过上述这样一种方案,由于在传统原料中加入了科学配比的聚丙烯酰铵和聚丙烯酸钠,可有效提高研磨时的磨擦破碎作用,加之后工序进行反复筛选和制为球形料进行煅烧,所加工的阿尔法三氧化二铝晶粉可达到I微米以下的超细晶粉,由此可有效提高和优化陶瓷成品的总体质量水平,解决了传统生产工艺无法生产超细晶粉而不能满足生产原料急需的问题,并有利降低产成本的电能消耗,进而降低生产成本费用。
【具体实施方式】
[0007]实施例1:以生产IOOKg粉料为计:
步骤1、取氧化铝粉IOOKg加入上述重量比重的聚丙烯酰铵0.1%,聚丙烯钠0.3Kg混合均匀后,放入管磨机中进行研磨;步骤2、将研磨后的原料经分级机筛选,取I微米以下粉料,I微米以上粉料返回研磨机继续研磨,使之D50达到I微米细度为止;步骤3、将上述细度达到标准的粉料经滚动成球机制成为球形料,放入隧道窑经1250°C温度煅烧转相,即制成为阿尔法二氧化二招微细晶粉。
[0008]步骤3中的煅烧温度控制在土 20 V左右。
[0009]实施例2:以生产200Kg粉料为计:
步骤1、取氧华铝粉200 Kg加入上述重量比重的聚丙烯酰铵0.2%,聚丙烯钠0.1%混合均匀后,放入管磨机中进行研磨;步骤2、将研磨后的原料经分级机筛选,取I微米以下粉料,I微米以上粉料返回研磨机继续研磨,使之D50达到I微米细度为止;步骤3、将上述细度达到标准的粉料经滚动成球机制成为球形料,放入隧道窑经1250°C温度煅烧转相,即制成为阿尔法二氧化二招微细晶粉。
[0010]步骤3中的煅烧温度控制在±20°C左右。
【权利要求】
1.一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法,包括将原料放入管磨机中进行研磨和进行1250°C温度煅烧转相,其特征在于: 制备方法如下: 步骤1、取传统配量的氧化铝粉加入重量比0.1~0.2%的聚丙烯酰铵和0.1~0.3%的聚丙烯酸钠混合均匀后,放入管磨机中进行研磨; 步骤2、将研磨后的原料经分级机筛选,取I微米以下粉料,I微米以上粉料返回研磨机继续研磨,使之D50达到I微米细度为止; 步骤3、将上述细度达到标准的粉料经滚动成球机滚制成为球形料,放入隧道窑经1250°C温度煅烧转相,即制成为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。
2.根据权利要求1所述的一种阿尔法三氧化二铝微细晶粉的制备方法,其特征在于:步骤3中的1250°C温度煅烧其`温度应控制在±20°C范围内。
【文档编号】C01F7/02GK103553098SQ201310551249
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月10日 优先权日:2013年11月10日
【发明者】宋佑鹤, 张代德 申请人:襄阳市金控特种陶瓷科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1