技术总结
本发明公开了一种锗酸盐LiGaGeO4作为低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷的应用及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和GeO2的原始粉末按LiGaGeO4的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1150～1200℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好，介电常数达到6.7～7.4，其品质因数Qf值高达77000‑106000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。
技术研发人员：方亮;段炼;苏和平
受保护的技术使用者：桂林理工大学
文档号码：201610485098
技术研发日：2016.06.26
技术公布日：2016.11.30