本发明属于玻璃制造领域，涉及一种离线浅灰色双银镀膜玻璃及其制备方法，尤其涉及一种节能化低透光率离线浅灰色双银镀膜玻璃及其制备方法。
背景技术：
低辐射镀膜玻璃是指在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物的膜系玻璃，又称低辐射玻璃或“low-e”玻璃。由于这层膜的存在，使镀膜玻璃与普通玻璃相比表面辐射率更低且具有光谱选择性。低辐射层膜对波长2.5μm～40μm范围的远红外线有较高的反射能力，这种良好的阻隔热辐射透过特性，使其在冬季将室内的热辐射绝大部分反射回室内，保证室内热量不向外散失；在夏季可以阻止室外的热辐射进入室内，从而达到节能效果。
过量的光辐射会对人类生活和生产环境造成不良影响，如可见光、红外线和紫外线造成的污染。为了减少光污染，需要提供低透射率镀膜玻璃。所谓透射率是指入射光经过折射穿过物体后的出射现象；为了表示透明体透过光的程度，通常用入射光通量与透过后的光通量之比t来表征物体的透光性质，t称为光透射率。
低透射率镀膜玻璃是在玻璃基片表面上镀上纯银膜层，以降低玻璃辐射率阻隔红外热辐射。根据不同的使用需要，在银膜层的两侧面分别镀制适当的保护层和匹配层，使其具有所需求的可见光透过率，以保持必要的室内光线照度，同时兼顾且降低太阳光谱中的红外线辐射进入室内以降低室内的热负荷，并较好的防止过量紫外线辐射进入室内。
cn103407232a公开了一种离线减反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上依次设有硅的氧化物siox、氧化硅sio2、钛的氧化物tiox和氧化钛tio2；其制备方法为：在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到103pa，线速度为1.5米/分钟时，在玻璃上依次溅射硅的氧化物siox、氧化硅sio2、钛的氧化物tiox和氧化钛tio2。所述离线减反镀膜玻璃虽然具有低折射率，但其耐久性和隔热性能较差。cn104029440a公开一种离线低辐射玻璃镀膜的膜系，其在现有的离线低辐射玻璃镀膜的膜系中用氮氧化锌膜层替换原有的金属ti层或者nicr合金。氮氧化锌膜层采用磁控溅射法制作，在磁控溅射镀膜过程中以氮气为溅射气体和工艺气体，同时根据实际产品性能要求通入少量氧气。所述镀膜玻璃虽然有较低遮阳系数的同时保持较低的可见光反射率，但其隔热性能仍然较差。
目前单银低辐射镀膜玻璃一般具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，然而太阳光中的近红外热辐射仍会透过，这造成夏季时南方炎热地区室内温度仍较高，而双银低辐射镀膜玻璃可有效解决太阳热辐射透过的问题。例如cn202671425u公开了一种可钢化双银镀膜玻璃，各膜层安排合理具有较好的隔热节能作用。然而对于阳光充足的炎热地区，镀膜玻璃还需要具有较低的透光率。因此，如何研究一种同时具有较低透光率、较好耐久性和光热性能的离线镀膜是亟需解决的问题。
技术实现要素：
针对现有离线镀膜玻璃存在的透光率和隔热性能不协调的问题，本发明提供了一种低透光率离线浅灰色双银镀膜玻璃及其制备方法。本发明通过在玻璃基底上磁控溅射形成氮化锰铁层和硅合金薄膜层，利用二者的阻隔和协效作用，以提升玻璃的隔热和光热性能。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种离线浅灰色双银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底以及依次设于玻璃基底上的氮化锰铁层、硅合金薄膜层、第一介质层、第一阻挡层、第一ag层、第二阻挡层、第二介质层、第三阻挡层、第二ag层、第四阻挡层和第三介质层。
本发明所述离线浅灰色双银镀膜玻璃，先在玻璃基底上磁控溅射形成氮化锰铁层和硅合金薄膜层，再依次磁控溅射形成介质层、阻挡层、ag层、阻挡层、介质层、阻挡层、ag层、阻挡层和介质层，利用氮化锰铁层和硅合金薄膜层的阻隔和协效作用，可以使镀膜玻璃具有较好的隔热和光热性能。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好的达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
作为本发明优选的技术方案，所述硅合金薄膜层的合金为铁钛合金或锰钛合金，优选为锰钛合金。
本发明中，所述硅合金薄膜层中合金需为铁钛合金或锰钛合金，即含有氮化锰铁层中的金属元素，在制备过程中硅合金薄膜层中的组分可以部分渗入氮化锰铁层中，增强二者之间的相互作用，进而提升镀膜玻璃的隔热和光热性能。
作为本发明优选的技术方案，所述第一介质层、第二介质层和和第三介质层均为氮化硅层。
优选地，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层均为镍铬层。
作为本发明优选的技术方案，所述硅合金薄膜层的厚度小于氮化锰铁层的厚度。
本发明中，为了保证氮化锰铁层和硅合金薄膜层之间的作用，硅合金薄膜层的厚度需要小于氮化锰铁层的厚度，若硅合金薄膜层的厚度大于氮化锰铁层的厚度，反而会降低镀膜玻璃性能。
作为本发明优选的技术方案，所述氮化锰铁层的厚度为10nm～25nm，例如例如10nm、13nm、15nm、17nm、20nm、22nm、24nm或25nm等等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为13nm～20nm。
优选地，所述硅合金薄膜层的厚度为0nm～15nm且不包括0nm，例如3nm、5nm、7nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm或15nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为10nm～15nm。
本发明中，所述氮化锰铁层和硅合金薄膜层的厚度需控制在一定范围内，以达到更优的隔热和光热性能。
优选地，所述第一介质层的厚度为15nm～30nm，例如15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、27nm或30nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为15nm～20nm。
优选地，所述第一阻挡层的厚度为2nm～15nm，例如2nm、5nm、6nm、8nm、12nm或15nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为20nm～23nm。
优选地，所述第一ag层的厚度为3nm～15nm，例如3nm、5nm、6nm、8nm、12nm或15nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为5nm～15nm。
优选地，所述第二阻挡层的厚度为2nm～15nm，例如2nm、3nm、5nm、6nm、8nm、12nm或15nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为5nm～15nm。
优选地，所述第二介质层的厚度为10nm～20nm，例如10nm、12nm、14nm、16nm、18nm或20nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为15nm～20nm。
优选地，所述第三阻挡层的厚度为10nm～20nm，例如10nm、12nm、14nm、16nm、18nm或20nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为15nm～20nm。
优选地，所述第二ag层的厚度为3nm～15nm，例如3nm、5nm、6nm、8nm、12nm或15nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为5nm～15nm。
在本发明中，ag层作为功能层，基本位于镀膜层的中心位置，大大降低了玻璃的辐射率，双银镀膜层的存在不仅可反射中远红外线，同时有效的限制了太阳光中近红外热辐射的透过，起保温隔热作用，同时双银镀膜使得银层厚度增加，相应的可见光透过率也有所降低；此外，ag层还可以减少产生破坏性作用的紫外光进入室内，防止家具和织物褪色。
优选地，所述第四阻挡层的厚度为2nm～15nm，例如2nm、5nm、6nm、8nm、12nm或15nm等等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为5nm～15nm。
优选地，所述第三介质层的厚度为30nm～43nm，例如30nm、33nm、35nm、37nm、40nm或43nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为35nm～43nm。
第二方面，本发明提供了所述的镀膜玻璃的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
通过高真空磁控溅射装置在玻璃基底上依次溅射形成氮化锰铁层、硅合金薄膜层、第一介质层、第一阻挡层、第一ag层、第二阻挡层、第二介质层、第三阻挡层、第二ag层、第四阻挡层和第三介质层。
作为本发明优选的技术方案，所述高真空磁控溅射装置中基础真空度为10-3hpa，线速度为2m/min～3.5m/min，例如2m/min、2.2m/min、2.4m/min、2.6m/min、2.8m/min、3m/min、3.2m/min、3.4m/min或3.5m/min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述高真空磁控溅射装置为现有技术中已有装置，属于清楚表述。
作为本发明优选的技术方案，所述溅射形成氮化锰铁层时，装置的功率为12kw～32kw，例如12kw、14kw、16kw、18kw、20kw、22kw、24kw、26kw、28kw、30kw或32kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成硅合金薄膜层时，装置的功率为12kw～32kw，例如12kw、14kw、16kw、18kw、20kw、22kw、24kw、26kw、28kw、30kw或32kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第一介质层时，装置的功率为12kw～23kw，例如12kw、13kw、14kw、15kw、16kw、17kw、18kw、19kw、20kw、21kw、22kw或23kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第一阻挡层时，装置的功率为2.5kw～8kw，例如2.5kw、3kw、3.5kw、4kw、4.5kw、5kw、5.5kw、6kw、6.5kw、7kw、7.5kw或8kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第一ag层时，装置的功率为7.5kw～20kw，例如7.5kw、7.8kw、8kw、8.5kw、9kw、9.5kw、10kw、13kw、15kw、17kw或20kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第二阻挡层时，装置的功率为4kw～11kw，例如4kw、5kw、6kw、7kw、8kw、9kw、10kw或11kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第二介质层时，装置的功率为12kw～23kw，例如12kw、15kw、17kw、20kw或23kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第三阻挡层时，装置的功率为2.5kw～8kw，例如2.5kw、3kw、4kw、5kw、6kw、7kw或8kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第二ag层时，装置的功率为7.5kw～20kw，例如7.5kw、7.8kw、8kw、8.5kw、9kw、9.5kw、10kw、13kw、15kw、17kw或20kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第四阻挡层时，装置的功率为4kw～11kw，例如4kw、5kw、6kw、7kw、8kw、9kw、10kw或11kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述溅射形成第三介质层时，装置的功率63kw～73kw，例如63kw、63.5kw、64kw、64.5kw、65kw、65.5kw、66kw、66.5kw、67kw、68kw、69kw、70kw、71kw、72kw或73kw等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明首次将氮化锰铁用于镀膜玻璃，其厚度的不同可在一定程度上影响镀膜玻璃的透光率，利用氮化锰铁和硅合金薄膜的阻隔和协效作用，可提升镀膜玻璃的隔热和光热性能；
(2)本发明所述双银功能层使得镀膜玻璃不仅传热系数低，高反射中远红外线，还可有效限制太阳光中近红外热辐射的透过；
(3)本发明所述离线双银镀膜玻璃在外观上为浅灰色，该外观可被实现而不使用灰色玻璃基片，同时还可以降低可见光透射率；
(4)本发明各镀膜层综合作用可实现较低的可见光透射率(仅为5％～30％)，近红外光的反射率高达90％以上，传热系数u值可达到1.2w/m2·k以下。
附图说明
图1是本发明所述镀膜玻璃结构示意图。
图中标记：1-玻璃基底，2-氮化锰铁层，3-硅合金薄膜层，4-第一介质层，5-第一阻挡层，6-第一ag层，7-第二阻挡层，8-第二介质层，9-第三阻挡层，10-第二ag层，11-第四阻挡层，12-第三介质层。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。
本发明具体实施方式部分提供了一种离线浅灰色双银镀膜玻璃及其制备方法，如图1所示，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底上的氮化锰铁层2、硅合金薄膜层3、第一介质层4、第一阻挡层5、第一ag层6、第二阻挡层7、第二介质层8、第三阻挡层9、第二ag层10、第四阻挡层11和第三介质层12。
其制备方法包括以下步骤：
通过高真空磁控溅射装置在玻璃基底1上依次溅射形成氮化锰铁层2、硅合金薄膜层3、第一介质层4、第一阻挡层5、第一ag层6、第二阻挡层7、第二介质层8、第三阻挡层9、第二ag层10、第四阻挡层11和第三介质层12。
以下为本发明典型但非限制性实施例：
实施例1：
本实施例提供了一种离线浅灰色单银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底上的氮化锰铁层2、硅锰钛合金薄膜层3、第一介质层氮化硅层4、第一阻挡层镍铬层5、第一ag层6、第二阻挡层镍铬层7、第二介质层氮化硅层8、第三阻挡层镍铬层9、第二ag层10、第四阻挡层镍铬层11和第三介质层氮化硅层12。
其制备方法包括以下步骤：
(1)用切割机对厚度为6mm玻璃基底进行切割，然后用清洗机进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜装置的基础真空度设置为10-3hpa，线速度设置为3m/min；
(3)将玻璃基底1送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜装置的功率为22kw，在玻璃基底上溅射形成厚度为22.5nm的氮化锰铁层2；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜装置的功率为22kw，在(3)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为12.5nm的硅锰钛合金薄膜层3；
(5)设置第三高真空磁控溅射镀膜装置的功率为17kw，在(4)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为17.5nm的第一介质层氮化硅层4；
(6)设置第四高真空磁控溅射镀膜装置的功率为6.5kw，在(5)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第一阻挡层镍铬层5；
(7)设置第五高真空磁控溅射镀膜装置的功率为8.5kw，在(6)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为15nm的第一ag层6；
(8)设置第六高真空磁控溅射镀膜装置的功率为8kw，在(7)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为12.5nm的第二阻挡层镍铬层7；
(9)设置第七高真空磁控溅射镀膜装置的功率为15kw，在(8)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为17.5nm的第二介质层氮化硅层8；
(10)设置第八高真空磁控溅射镀膜装置的功率为5kw，在(9)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为12.5nm的第三阻挡层镍铬层9；(11)设置第九高真空磁控溅射镀膜装置的功率为8.5kw，在(10)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为15nm的第二ag层10；
(12)设置第十高真空磁控溅射镀膜装置的功率为8kw，在(11)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为12.5nm的第四阻挡层镍铬层11；
(13)设置第十一高真空磁控溅射镀膜装置的功率为65kw，在(12)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为41.5nm的第三介质层氮化硅层12，得到所述镀膜玻璃。
实施例2：
本实施例提供了一种离线浅灰色双银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底上的氮化锰铁层2、硅铁钛合金薄膜层3、第一介质层氮化硅层4、第一阻挡层镍铬层5、第一ag层6、第二阻挡层镍铬层7、第二介质层氮化硅层8、第三阻挡层镍铬层9、第二ag层10、第四阻挡层镍铬层11和第三介质层氮化硅层12。
其制备方法包括以下步骤：
(1)用切割机对厚度为6mm玻璃基底进行切割，然后用清洗机进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜装置的基础真空度设置为10-3hpa，线速度设置为2m/min；
(3)将玻璃基底1送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜装置的功率为32kw，在玻璃基底上溅射形成厚度为20nm的氮化锰铁层2；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜装置的功率为12kw，在(3)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为15nm的硅铁钛合金薄膜层3；
(5)设置第三高真空磁控溅射镀膜装置的功率为12kw，在(4)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为15nm的第一介质层氮化硅层4；
(6)设置第四高真空磁控溅射镀膜装置的功率为3kw，在(5)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第一阻挡层镍铬层5；
(7)设置第五高真空磁控溅射镀膜装置的功率为10kw，在(6)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为12nm的第一ag层6；
(8)设置第六高真空磁控溅射镀膜装置的功率为11kw，在(7)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第二阻挡层镍铬层7；
(9)设置第七高真空磁控溅射镀膜装置的功率为12kw，在(8)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为15nm的第二介质层氮化硅层8；
(10)设置第八高真空磁控溅射镀膜装置的功率为2.5kw，在(9)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第三阻挡层镍铬层9；
(11)设置第七高真空磁控溅射镀膜装置的功率为7.5kw，在(10)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为12nm的第二ag层10；
(12)设置第八高真空磁控溅射镀膜装置的功率为11kw，在(11)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第四阻挡层镍铬层11；
(13)设置第九高真空磁控溅射镀膜装置的功率为67kw，在(12)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为43nm的第三介质层氮化硅层12，得到所述镀膜玻璃。
实施例3：
本实施例提供了一种离线浅灰色单银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底上的氮化锰铁层2、硅锰钛合金薄膜层3、第一介质层氮化硅层4、第一阻挡层镍铬层5、第一ag层6、第二阻挡层镍铬层7、第二介质层氮化硅层8、第三阻挡层镍铬层9、第二ag层10、第四阻挡层镍铬层11和第三介质层氮化硅层12。
其制备方法包括以下步骤：
(1)用切割机对厚度为6mm玻璃基底进行切割，然后用清洗机进行清洗；
(2)将高真空磁控溅射镀膜装置的基础真空度设置为10-3hpa，线速度设置为3.5m/min；
(3)将玻璃基底1送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜装置的功率为12kw，在玻璃基底上溅射形成厚度为25nm的氮化锰铁层2；
(4)设置第二高真空磁控溅射镀膜装置的功率为32kw，在(3)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为10nm的硅锰钛合金薄膜层3；
(5)设置第三高真空磁控溅射镀膜装置的功率为23kw，在(4)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为20nm的第一介质层氮化硅层4；
(6)设置第四高真空磁控溅射镀膜装置的功率为5kw，在(5)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为2nm的第一阻挡层镍铬层5；
(7)设置第五高真空磁控溅射镀膜装置的功率为7.5kw，在(6)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第一ag层6；
(8)设置第六高真空磁控溅射镀膜装置的功率为4kw，在(7)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为8nm的第二阻挡层镍铬层7；
(9)设置第七高真空磁控溅射镀膜装置的功率为12kw，在(8)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为17.5nm的第二介质层氮化硅层层8；
(10)设置第八高真空磁控溅射镀膜装置的功率为2.5kw，在(9)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为8nm的第三阻挡层镍铬层9；
(11)设置第七高真空磁控溅射镀膜装置的功率为20kw，在(10)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为5nm的第二ag层10；
(12)设置第八高真空磁控溅射镀膜装置的功率为4kw，在(11)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为8nm的第四阻挡层镍铬层11；
(13)设置第九高真空磁控溅射镀膜装置的功率为63kw，在(12)中镀膜玻璃上再溅射形成厚度为40nm的第三介质层氮化硅层12，得到所述镀膜玻璃。
对比例1：
本对比例提供了一种离线浅灰色双银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底1上的第一介质层4、第一阻挡层5、第一ag层6、第二阻挡层7、第二介质层8、第三阻挡层9、第二ag层10、第四阻挡层11和第三介质层12。
其制备方法参照实施例1中的制备方法，区别仅在于：不包括步骤(3)和步骤(4)，即玻璃基底1上直接镀第一介质层4。
对比例2：
本对比例提供了一种离线浅灰色双银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底1上的氮化锰铁层2、第一介质层4、第一阻挡层5、第一ag层6、第二阻挡层7、第二介质层8、第三阻挡层9、第二ag层10、第四阻挡层11和第三介质层12。
其制备方法参照实施例1中的制备方法，区别仅在于：无步骤(4)的操作，即氮化锰铁层2上不镀硅锰钛合金薄膜层3，直接镀第一介质层氮化硅层4。
对比例3：
本对比例提供了一种离线浅灰色双银镀膜玻璃，所述镀膜玻璃包括玻璃基底1以及依次设于玻璃基底1上的硅合金薄膜层3、第一介质层4、第一阻挡层5、第一ag层6、第二阻挡层7、第二介质层8、第三阻挡层9、第二ag层10、第四阻挡层11和第三介质层12。
其制备方法参照实施例1中的制备方法，区别仅在于：无步骤(3)的操作，即玻璃基底1上不镀氮化锰铁层2，直接镀硅锰钛合金薄膜层3。
对实施例1-3和对比例1-3制得的镀膜玻璃进行光学性能的测定，测试结果如表1所示。
表1光学性能测试结果
综合上述实施例和对比例可以看出，本发明所述离线浅灰色双银镀膜玻璃可见光透过率低，红外线反射率高，传热系数低。其中，氮化锰铁层和硅合金薄膜层的阻隔和协效作用，镀膜玻璃的灰色外观以及功能层双银镀膜层的低辐射特性等因素的综合作用使得镀膜玻璃具有良好的隔热和光热性能。
申请人申明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细制备工艺，但本发明并不局限于上述详细工艺方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体操作条件和方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。