硅锭的制作方法

技术特征：

1.一种用于生产晶锭的方法，其包括以下步骤：

1.1、提供带有掺杂物的硅熔体(29)；

1.2、使所述硅熔体(29)定向凝固；

1.3、其中所述掺杂物具有比硅更大的原子半径。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，掺杂物选自以下物质：Ga、Ge、As、In、C、Sn和Sb、以及上述这些物质的组合或者上述这些物质的化合物。

3.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将高掺杂的硅形式的所述掺杂物以10²⁴m^-3至10²⁶m^-3范围内的掺杂物浓度添加到所述硅熔体(29)中。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，使所述硅熔体(29)从一个或多个晶芽预设点(30)出发以定向的方式凝固。

5.一种具有晶体结构的硅锭(1)，

5.1、其中，在所述晶体结构中装入有原子半径为至少110pm的杂质原子，

5.2、其中，所述杂质原子具有10²¹m^-3至10²⁴m^-3范围内的密度，

5.3、其中，所述晶体结构主要是单晶的。

6.根据权利要求5所述的硅锭(1)，其特征在于，底部区域由一个或多个单晶的晶芽预设点(30)形成。

7.一种晶圆，其由根据权利要求5至6之一所述的晶锭生产而成。

8.一种用于生产晶圆的方法，其包括以下步骤：

13.1、生产根据权利要求1至4之一所述的晶锭，

13.2、使所述晶锭(1)沿着预先给定的取向对准，

13.3、沿着预先给定的方向将所述晶锭(1)分割成晶圆。

9.一种太阳能电池，其由根据权利要求7所述的晶圆生产而成。

10.一种太阳能模块，其具有多个根据权利要求9所述的太阳能电池。