本发明属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，具体涉及一种优化传统烧结工艺、具有超低损耗特性的mgtio3基微波介质陶瓷材料的制备方法，
背景技术：
现代通信技术的不断发展，对元器件的小型化、集成化和模块化的要求日益迫切，对微波介质材料提出了更高的要求，微波介质陶瓷已成为近年来功能陶瓷最活跃的研究领域之一。其中，钛酸镁(mgtio3)陶瓷作为一种传统的微波介质材料，在毫米波段仍然具有低介电常数、较高的品质因数等优异的微波介电性能。
优化传统烧结工艺是进一步改善陶瓷介电性能的重要方法，通过选择合适的烧结工艺，进一步的提升mgtio3基微波介质陶瓷的品质因数，以制备具有超低损耗特性、符合低碳环保理念的mgtio3基微波介质陶瓷。
技术实现要素：
本发明的目的，在于进一步改善mgtio3基微波介质陶瓷的介电性能，优化传统烧结工艺，提供一种实现品质因数(qf)突破220000的mgtio3基微波介质陶瓷材料。
本发明通过如下技术方案予以实现。
一种高品质因数钛酸镁基微波介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：
(1)将化学原料mgo、tio2按化学计量式mgtio3进行配料，放入聚酯球磨罐中，加入去离子水和氧化锆球后，球磨6小时；
(2)将步骤(1)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干，然后过40目筛；
(3)将步骤(2)过筛后的粉料，添加7wt％石蜡作为粘结剂，过80目筛进行造粒；
(4)将步骤(3)过筛后的粉料用粉末压片机以3mpa的压力制成生坯；
(5)将步骤(4)的生坯于1225℃～1300℃烧结，保温4小时，制成高品质因数mgtio3基微波介质陶瓷。
所述步骤(1)采用行星式球磨机进行球磨，球磨机转速为400转/分。
所述步骤(3)的生坯直径为10mm，厚度为5mm。
所述步骤(5)的升温速率为5℃/min。
本发明采用反应烧结方式，降低了工艺复杂度，节省了能源，使得mgtio3基微波介质陶瓷的品质因数得到明显提高(qf～221711ghz)，并具有较低介电常数(εr～17.36)。
具体实施方式
以下将结合具体实施例对本发明作进一步的详细描述，本发明不局限于下列实施例：
实施例1、2、3
首先，用电子天平称量mgo、tio2，按摩尔比1:1配制mgtio3原料，放入聚酯球磨罐中，加入去离子水和氧化锆球，混合后球磨6h，再于100℃烘干后过40目分样筛，所得粉料添加7wt％石蜡作为粘结剂，过80目筛进行造粒。
将造粒后的粉料在3mpa下压制成ф10×5mm的圆片生坯，生坯经5℃/min分别升至1225℃、1250℃、1300℃烧结，保温4h，制得mgtio3基微波介质陶瓷材料。
实施例1、2、3的区别仅在于烧结温度不同，其它制备工艺完全相同。
对比实施例1、2、3(采用传统烧结方式)
首先，用电子天平称量mgo、tio2，按摩尔比1:1配制mgtio3原料，放入聚酯球磨罐中，加入去离子水和氧化锆球，混合后球磨6h，再于100℃烘干后过40目分样筛。所得粉料再加入0.7wt％的pva，混合后球磨12h，再于100℃烘干后过80目分样筛造粒。
将造粒后的粉料在3mpa下压制成ф10×5mm的圆片生坯，生坯经5℃/min分别升至1225℃、1250℃、1300℃烧结，保温4h，制得mgtio3基微波介质陶瓷材料。
对比实施例1、2、3的区别仅在于烧结温度不同，其它制备工艺完全相同。
通过网络分析仪测试所得制品的微波介电性能。
实施例1、2、3与对比实施例1、2、3的不同烧结温度及其微波介电性能详见表1。
表1
本发明并不局限于上述实施例，很多细节的变化是可能的，但这并不因此违背本发明的范围和精神。