本发明涉及mn-zn铁氧体材料，具体说，是涉及一种具有高使用频率、高磁导率及高阻抗的mn-zn铁氧体材料。
背景技术：
随着卫星通信、移动通信和计算机应用的高速发展，电磁干扰(emi)对军事和民用电子信息领域的影响越来越严重，会造成通信障碍、图像畸变和数据错误，从而引起电子设备误动作，并对公共环境、人身安全以及信息保密造成很大危害。目前，解决或降低电磁污染以及提高电子设备抗电磁干扰能力的有效办法是采用电磁兼容设计，需要用大量抗emi材料。
目前，常用抗emi材料有mnzn铁氧体和nizn铁氧体材料，一般mnzn铁氧体由于电阻率低、高频特性差，很难适应3mhz以上频率的使用，而nizn铁氧体具有多空性和高电阻率(通常可达104ω·m以上)，且在一定配方与工艺条件下可以使材料避免畴壁位移弛豫与共振，适用于作高频软磁材料，但由于nizn铁氧体磁导率很难提高，其低频阻抗较低，而且镍(ni)作为战略物资储量少、价格高。随着电子设备小型化和高频化的发展，迫切需要开发高频高磁导率材料以满足市场对抗emi材料的需求。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供具有高使用频率、高磁导率及高阻抗的mn-zn铁氧体材料，以满足市场对抗emi材料的需求。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
本发明的具有高使用频率、高磁导率及高阻抗的mn-zn铁氧体材料，由主体成分和添加剂组成；其中：
所述主体成分按摩尔百分比计，包括以下组分：fe2o343～53％，zno19～26％，余量为mno；
所述添加剂的加入量占所述主体成分总质量的0.8～2.7％，按质量百分比计，包括以下组分：caco30.04～0.07％，sio20.004～0.006％，v2o50.03～0.07％，nb2o50.03～0.07％，bi2o30.03～0.06％和moo30.02～0.05％，还包括选自0.2～0.6％的co3o4和/或1.5～2.4％的cuo。
优选地，所述mn-zn铁氧体材料在25℃、1khz和0.25mt条件下的初始磁导率μi为3000～5000，电阻率大于100ω.m，居里温度大于90℃。
具有高使用频率、高磁导率及高阻抗的mn-zn铁氧体材料的制备工艺为现有技术，与公告号为cn100357220c的中国专利文献中所述工艺相同，包括配料、混合、预烧、初粉碎、砂磨、喷雾造粒、加入添加剂和烧结过程，其中，所述mn-zn铁氧体材料由主体成分和添加剂组成；其中：
所述主体成分按摩尔百分比计，包括以下组分：fe2o343～53％，zno19～26％，余量为mno；
所述添加剂的加入量占所述主体成分总质量的0.8～2.7％，按质量百分比计，包括以下组分：caco30.04～0.07％，sio20.004～0.006％，v2o50.03～0.07％，nb2o50.03～0.07％，bi2o30.03～0.06％和moo30.02～0.05％，还包括选自0.2～0.6％的co3o4和/或1.5～2.4％的cuo。
与现有技术相比，本发明的mn-zn铁氧体材料具有高使用频率、高磁导率及高阻抗特性，在25℃、1khz、0.25mt条件下初始磁导率μi达到3000～5000，电阻率大于100ω.m。通过外径29.5mm，内径19mm，高度9mm的磁环检测，1mhz时单圈阻抗大于10ω，25mhz时单圈阻抗大于30ω，100mhz时单圈阻抗大于50ω，居里温度大于90℃，可应用于各种抗emi场合。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细、完整的说明：
以下具体实例中所需的原料说明：
主体成分包括fe2o3、zno和mno；
添加剂包括caco3、sio2、v2o5、nb2o5、bi2o3和moo3，还包括co3o4和/或cuo；
上述各组分均市售可得。
实施例1
按照如下配比称取原料：
主体成分中各组分的摩尔百分比为：fe2o3占52.58％，zno占24.09％，余量为mno；
添加剂占主体成分总重量的2.624％，其中各组分的质量百分比为：caco3占0.07％，sio2占0.004％，v2o5占0.05％，nb2o5占0.05％，bi2o3占0.03％，moo3占0.02％和cuo占2.4％。
按公告号为cn100357220c中国专利记载的mn-zn铁氧体材料制备工艺制得mn-zn铁氧体材料，包括配料、混合、预烧、初粉碎、砂磨、喷雾造粒、加入添加剂和烧结过程。
经检测，所得mn-zn铁氧体材料在25℃、1khz、0.25mt条件下的初始磁导率μi为3380，居里温度tc为95℃，电阻率为119ω.m。采用外径29.5mm、内径19mm和高度9mm的磁环检测，在1mhz时单圈阻抗为20ω，25mhz时单圈阻抗为75ω，100mhz时单圈阻抗为94ω。
实施例2
按照如下配比称取原料：
主体成分中各组分的摩尔百分比为：fe2o3占47.20％，zno占25.40％，余量为mno；
添加剂占主体成分总重量的1.925％，其中各组分的质量百分比为：caco3占0.05％，co3o4占0.2％，sio2占0.005％，v2o5占0.05％，nb2o5占0.05％，bi2o3占0.05％，moo3占0.02％和cuo占1.5％。
按公告号为cn100357220c中国专利记载的mn-zn铁氧体材料制备工艺制得mn-zn铁氧体材料，包括配料、混合、预烧、初粉碎、砂磨、喷雾造粒、加入添加剂和烧结过程。
经检测，所得mn-zn铁氧体材料在25℃、1khz、0.25mt条件下的初始磁导率μi为3560，居里温度tc为91℃，电阻率为320ω.m。采用外径29.5mm、内径19mm和高度9mm的磁环检测，在1mhz时单圈阻抗为16.5ω，25mhz时单圈阻抗为39.6ω，100mhz时单圈阻抗为57.2ω。
实施例3
按照如下配比称取原料：
主体成分中各组分的摩尔百分比为：fe2o3占43.90％，zno占19.70％，余量为mno；
添加剂占主体成分总重量的0.856％，其中各组分的质量百分比为：caco3占0.04％，co3o4占0.6％，sio2占0.006％，v2o5占0.05％，nb2o5占0.05％，bi2o3占0.06％和moo3占0.05％。
按公告号为cn100357220c中国专利记载的mn-zn铁氧体材料制备工艺制得mn-zn铁氧体材料，包括配料、混合、预烧、初粉碎、砂磨、喷雾造粒、加入添加剂和烧结过程。
经检测，所得mn-zn铁氧体材料在25℃、1khz、0.25mt条件下的初始磁导率μi为3150，居里温度tc为105℃，电阻率为250ω.m。采用外径29.5mm、内径19mm和高度9mm的磁环检测，在1mhz时单圈阻抗为25ω，25mhz时单圈阻抗为79ω，100mhz时单圈阻抗为98ω。