1.一种硅供应部，所述硅供应部包括：
硅供应室；
保持件，所述保持件设置在所述硅供应室的下区域的内壁上；
管，所述管由所述硅供应室内部的第一线缆垂直地提升；
引导件，所述引导件设置在所述管的外部，并与所述保持件垂直地重叠；以及
止挡件，所述止挡件由第二线缆垂直地提升和插入到所述管的下部中，以打开和关闭所述管的下部。
2.如权利要求1所述的硅供应部，其特征在于，还包括
设置在所述第一线缆的下端处的环。
3.如权利要求2所述的硅供应部，其特征在于，还包括
闭锁部分，所述闭锁部分设置在所述第二线缆的上端处并且紧固于所述环。
4.如权利要求3所述的硅供应部，其特征在于，还包括
设置在所述管的边缘处的突起，
其中，所述突起的宽度小于所述引导件的宽度。
5.如权利要求4所述的硅供应部，其特征在于，还包括
板，所述板设置在所述管的上部处，并且第一线缆穿过所述板。
6.如权利要求5所述的硅供应部，其特征在于，还包括
连接部，所述连接部连接所述板的边缘的下表面和所述突起的上表面。
7.如权利要求1所述的硅供应部，其特征在于，还包括
设置在所述管的上部处的引导主体，
其中，所述引导主体配置成从所述引导主体的边缘向下延伸。
8.如权利要求1所述的硅供应部，其特征在于，所述第二线缆穿过所述引导主体。
9.一种用于生长硅单晶锭的装置，所述装置包括：
腔室；
坩埚，所述坩埚设置在所述腔室内并容纳有硅单晶熔体；
如权利要求1至8中任一项所述的硅供应部，所述硅供应部设置在所述坩埚的上部处；
加热单元，所述加热单元用于加热所述坩埚；
隔热构件，所述隔热构件设置在所述坩埚的上部上；以及
旋转轴，所述旋转轴用于使所述坩埚旋转并升高。
10.一种用于使硅单晶锭生长的方法，所述方法包括：
用多晶硅填充由管以及插入到所述管的下表面的开口中的止挡件所组成的区域中；
将所述管定位在坩埚的上部处并将所述管沿所述坩埚的方向降低；以及
当所述管的下表面的开口接近所述坩埚从而与所述坩埚相邻时，固定所述止挡件并向上拉动所述管。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述止挡件连接于垂直穿过所述管的第二线缆，所述第二线缆连接于在其上方的第一线缆，所述止挡件通过将所述第一线缆和所述第二线缆分开而被固定，并且仅所述管被向上拉动。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一线缆和所述第二线缆通过设置在所述第一线缆的下端处的环以及设置在所述第二线缆的上端处的闭锁部分来联接和分开。