本发明涉及陶瓷技术领域，尤其是涉及一种梯级砖的配方及其一体成型工艺。
背景技术：
梯级砖，是用于楼梯梯级表面的铺设，不仅需要防滑，还能起到装饰作用。现有的梯级砖中分成左中右三部分，而且三部分均开设相对应的槽，其中左右两部分的制作工艺不同于中间部分，增加了工艺步骤，同样的增加了成本，而且在安装时通过拼接安装，但由于传统的梯级砖在制作时是将三部分分开制作，淋釉、抛光、开槽等均不相同，拼接安装时出现对角不平或者开槽部分不对应，装饰美观度大大降低。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种梯级砖加工次数少、原料能耗低、环境污染少的梯级砖的配方及其一体成型工艺。
为实现上述目的，本发明提供的方案为：一种梯级砖的配方，包括以下组份的原料组成：sio266.77份；tio20.30份；al2o318.99份；fe2o31.30份；mgo1.26份；cao0.40份；na2o2.38份；k2o3.53份。
本发明还提供梯级砖的一体成型工艺：
s1：按照组份称取sio2、tio2、al2o3、fe2o3、mgo、cao、na2o、k2o，将上述称取的原料投入球磨机中充分研磨混合得到浆料，并将浆料放入浆池中陈腐；
s2：将s1陈腐得到的浆料，按照颗粒级配与水分要求通过喷雾干燥塔制出粉料；
s3：将s2制出的粉料通过压机压制出砖坯，然后将砖坯投入干燥窑干燥，再通过磨坯对干燥后的砖坯表面依次进行除尘除污以及淋水；
s4：将s3中经淋水后的砖坯表面淋面釉，完成淋面釉后通过喷墨打印机对砖坯进行印花工艺，再将印花后的砖坯通过钟罩或直线淋釉器在坯体表面淋抛釉；
s5：将s4淋抛釉后的砖坯通过烧成窑烧成梯级砖，然后对烧成后的梯级砖进行砖面抛光、打蜡以及开介加圆弧倒角。
进一步地，所述水分要求为7.0-7.4份。
进一步地，所述压机为5600吨压机使砖坯表面直接形成两条防滑槽。
进一步地，所述喷墨打印机为8d喷墨打印机。
本方案的有益效果为：实现在在同一块梯级砖中，一体成型完成表面印花、防滑槽压制等工艺，降低工艺成本，而且安装过程不需要二次加工防滑槽，也不需要拼接，安装方便，防止出现安装不平整现象，提高梯级砖的表面光滑度而又具有防滑效果，装饰效果大大提高，同时梯级砖致密度高、强度高。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明：
一种梯级砖的配方，包括以下组份的原料组成：sio266.77份；tio20.30份；al2o318.99份；fe2o31.30份；mgo1.26份；cao0.40份；na2o2.38份；k2o3.53份。
本发明还提供梯级砖的一体成型工艺：
s1：按照组份称取sio2、tio2、al2o3、fe2o3、mgo、cao、na2o、k2o，将上述称取的原料投入球磨机中充分研磨混合得到浆料，并将浆料放入浆池中陈腐；其中水分要求为7.0-7.4份，当颗粒级配为20目时，水分要求小于0.3%，当颗粒级配为30目时，水分要求小于4.5%，当颗粒级配为40目时，水分要求36-42%，当颗粒级配为60目时，水分要求45-55%，当颗粒级配为100目时，水分要求小于4.3%。
s2：将s1陈腐得到的浆料，按照颗粒级配与水分要求通过喷雾干燥塔制出粉料；
s3：将s2制出的粉料通过压机压制出砖坯，然后将砖坯投入干燥窑干燥（砖坯干燥的工艺要求为出干燥度60-80℃、强度0.8-1.5mpa、水分0.45%-0.6%），再通过磨坯对干燥后的砖坯表面依次进行除尘除污以及淋水（淋水量为52-80克/件砖，可减小下一工序淋釉的缺陷）；
s4：将s3中经淋水后的砖坯表面淋面釉（淋釉量440.24g/件、比重1.81-1.86g/cm3、流速26-36s，其中釉料含水28.5%），完成淋面釉、确认好印花位置、图案大小、颜色深浅和印花效果后通过喷墨打印机对砖坯进行印花工艺，再将印花后的砖坯通过钟罩或直线淋釉器在坯体表面淋抛釉（淋釉量440.24g/件、比重1.81-1.86g/cm3、流速26-36s，其中釉料含水28.5%）；
s5：将s4淋抛釉后的砖坯通过烧成窑烧成梯级砖，然后对烧成后的梯级砖进行砖面抛光、打蜡以及开介加圆弧倒角；其中在烧成窑内烧成时，对砖坯的面温为1200℃，砖坯底温为1210℃。
压机为5600吨压机使砖坯表面直接形成两条防滑槽，压机的最大压力为56000kn，频率为6.28-6.30hz，通过以上粉料、压力和工作频率，得到的砖坯密度高、强度高。
喷墨打印机为8d喷墨打印机，使产品的表面及压塑的防滑槽部分，一次印刷完成整体纹理。
以上所述之实施例仅为本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出更多可能的变动和润饰，或修改为等同变化的等效实施例。故凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明之思路所作的等同等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围内。