技术特征：
技术总结
本发明涉及导体芯片制造领域中使用的大宗气体的纯化。一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统，包含一备一用两个吸附反应器、相应的切换阀门、相应的管路、再生气加热器、再生气冷却器和控制系统；所述吸附反应器分别装填有两种填料，从原料气的流入侧向流出侧依次填充脱氧剂和镍催化剂。工艺简单，一步法除杂，且镍催化剂的成本远高于所述脱氧剂的成本，脱氧剂对氧、水、二氧化碳的吸附容量大于镍催化剂，原料气首先经过脱氧剂的纯化，将原料中的ppm级的杂质先行脱除到10ppb，之后再经过镍催化剂，镍催化剂只需要装填用于脱除10ppb杂质所需的吸附量即可，因此可以减少高成本的镍催化剂的装填量，降低纯化成本。
技术研发人员：侯鹏;李文强;韩江江;张文刚;皮山丹;田维峰;李文豪
受保护的技术使用者：大连华邦化学有限公司
技术研发日：2019.03.18
技术公布日：2019.05.21