本发明涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种减少bbo晶体中间包络的方法。
背景技术：
低温相偏硼酸钡β-bab2o4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。
该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程采用缓慢降温，靠铂杆传递热量，生长出来的晶体铂杆下方有包络，无法切大尺寸晶体器件。
技术实现要素：
正常晶体生长，籽晶杆对准坩埚中心位置，bbo晶体由于生长后期生长至坩埚壁，晶转停止，主要靠铂杆导热传递热量，这样就造成铂杆下方晶体生长速度快，易于形成包络。本发明采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，铂金坩埚、熔盐炉和铂杆为生长装置，籽晶杆偏离坩埚中心位置，生长得到包络也偏移中心的毛坯，可切更大尺寸器件。
具体实施方式
实施方式一：
将bbo原料碳酸钡，硼酸，氟化钠按比例混匀利用化料炉熔透，装入坩埚，将坩埚置于熔盐炉中，升温至1100℃，原料达到熔融状态，将熔体温度降至1000℃下籽晶，籽晶杆偏离中心20mm，将固定有bbo籽晶的籽晶杆缓慢下沉至熔体液面，以5转/分的速度旋转籽晶杆，当晶体生长快至坩埚壁时，籽晶杆停止转动，开始1℃/d速率降温，经过5个月，取出晶体，晶体中间没有包络，包络移动到铂杆下方。