技术特征：
1.一种用于高温应用、特别是用于在用来生产单晶的装置、特别是用于晶体生长的系统(10)中使用的绝缘体(11)，其特征在于所述绝缘体至少部分地、优选完全地由碳化钽制成。2.根据权利要求1所述的绝缘体，其特征在于所述绝缘体(11)是由具有由碳制成的纤维的纤维体获得的，所述碳借助于化学气相反应至少部分地、优选完全地被转化为碳化钽。3.根据权利要求1所述的绝缘体，其特征在于所述绝缘体(11)是由具有由碳制成的纤维的纤维体获得的，所述纤维体被热解碳渗透，所述热解碳在渗透之后借助于化学气相反应至少部分地、优选完全地被转化为碳化钽。4.根据权利要求3所述的绝缘体，其特征在于所述渗透是借助于化学气相渗透(cvi)实现的。5.根据权利要求3或4所述的绝缘体，其特征在于所述碳借助于所述化学气相反应至少部分地、优选完全地被转化为碳化钽。6.根据权利要求3或4所述的绝缘体，其特征在于所述碳借助于所述化学气相反应没有被转化为碳化钽。7.根据权利要求6所述的绝缘体，其特征在于所述碳在所述化学气相反应之后借助于温度处理被烧尽。8.根据权利要求2至7中任一项所述的绝缘体，其特征在于卤化钽被用作用于所述化学气相反应的反应气体。9.根据权利要求2至8中任一项所述的绝缘体，其特征在于所述纤维体由织造织物、无屈曲织物、非织造织物和/或毡制成。10.根据前述权利要求中任一项所述的绝缘体，其特征在于所述绝缘体(11)或所述纤维体具有限定的几何形状。11.一种用于生产单晶的装置，特别是一种用于晶体生长的系统(10)，其具有根据前述权利要求中任一项所述的绝缘体(11)。12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于所述装置通过使粉末形式的碳化硅升华或通过提拉由硅制成的坩埚实现生产单晶。13.碳化钽在用于高温应用、特别是用于用来生产单晶的装置、特别是用于晶体生长的
系统(10)的绝缘体(11)中的用途。14.一种生产用于高温应用、特别是用于在用来生产单晶的装置、特别是用于晶体生长的系统(10)中使用的绝缘体(11)的方法，其特征在于所述绝缘体至少部分地、优选完全地由碳化钽制成。
技术总结
本发明涉及用于高温应用、特别是用于在用来生产单晶的装置(特别是用于晶体生长的设备(10))中使用的绝缘体(11)，所述绝缘体至少在一定程度上(优选完全地)由碳化钽组成。一定程度上(优选完全地)由碳化钽组成。一定程度上(优选完全地)由碳化钽组成。
技术研发人员：斯蒂芬
受保护的技术使用者：申克碳化技术股份有限公司
技术研发日：2020.06.08
技术公布日：2023/2/3