1.本发明属于瓷砖烧制领域，尤其涉及一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法。
背景技术：
2.全抛釉是一种可以在釉面进行抛光工序的一种特殊配方釉，它是施于仿古砖的最后一道釉料，一般为透明面釉或透明凸状花釉，施于全抛釉的全抛釉砖集抛光砖与仿古砖优点于一体的。全抛釉瓷砖的釉面如抛光砖般光滑亮洁，同时其釉面花色如仿古砖般图案丰富，色彩厚重或绚丽。
3.现有材质的全抛釉瓷砖，用手触摸，表面光亮柔和、平滑不凸出，显得晶莹透亮，釉下石纹纹理清晰自然，与上层透明釉料融合后，犹如一层透明水晶釉膜覆盖，使得整体层次更加立体分明。
4.但是，现有的全抛釉瓷砖选用了较大比例的陶瓷熔块干粒，使得制造的成本大大提升，不利于企业的竞争力。
技术实现要素：
5.本发明实施例的目的在于提供一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法，旨在解决现有的全抛釉瓷砖选用了较大比例的陶瓷熔块干粒，使得制造的成本大大提升，不利于企业的竞争力的问题。
6.本发明实施例是这样实现的，一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法，包括以下步骤：
7.s1.材料选用锆英砂，首先经过颚式破碎机破碎，将破碎的颗粒经由粉碎机粉碎后，通过600
‑
1200℃煅烧，筛选除去杂质，提取闪光颗粒，得到材料a；
8.s2.选用全抛釉，并混合三种不同膨胀系数的干粒子熔块制作成基础釉料b；
9.s3.选用为陶瓷熔块干粒作为材料c；
10.s4.制坯：将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中，并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180
‑
220℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
11.s5.在步骤s4中制得的瓷质砖生坯上施加面釉，后进行喷墨印刷，然后再进行表面施釉；
12.s6.将步骤s5中制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150
‑
200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1150
‑
1200℃，烧成周期为60min，制得半成品瓷质砖；
13.s7.用金刚砂磨块对步骤s6中制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
14.进一步的技术方案，根据s2，干粒子熔块为高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石中的一种。
15.进一步的技术方案，根据s2，干粒子的膨胀系数为5～10，三种不同膨胀系数的干粒子的膨胀系数之和介于18～27。
16.进一步的技术方案，根据s2，混合的方式为600～1200℃煅烧熔融。
17.进一步的技术方案，根据s1～s5，施釉的具体方法为：将a、b、c按照质量比为(10
‑
30)％：(40
‑
50)％：(40
‑
50)％混合，然后加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料，通过淋釉的施釉方式施布釉料，施布量为450
‑
550g/
㎡
，作为初步施釉，初步施釉后进行干燥，然后将材料b用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料a按照质量比为1:1
‑
2:4混合后用喷釉工艺施布在材料b的上层。
18.进一步的技术方案，初步施釉后进行干燥的装置为电热炉。
19.进一步的技术方案，电热炉的温度为100～150℃。
20.进一步的技术方案，根据s1～s5，施釉的具体方法为：瓷质砖生坯按设定样式通过丝网印花胶水，将a料通过淋釉的施釉方式施布釉料，印花胶水按预设样式将a料固定后通过风吸方式将多余的a料吸走，然后，将a、b、c按照质量比为(10
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30)％：(40
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50)％：(40
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50)％混合，再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料，通过淋釉的施釉方式施布釉料，施布量为450
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550g/
㎡
；先进行小干燥；然后将材料b用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料a按照质量比为1:1
‑
2:4混合后用喷釉工艺施布在材料b的上层。
21.本发明实施例提供的一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法，本发明使用了材质基础便宜的基础釉料b，减少了陶瓷熔块干粒的占比，成本约减少30％，同时，在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果，使得产品的可选择性大大提升。
具体实施方式
22.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
23.以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
24.作为本发明一个实施例提供的一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法，包括以下步骤：
25.s1.材料选用锆英砂，首先经过颚式破碎机破碎，将破碎的颗粒经由粉碎机粉碎后，通过600
‑
1200℃煅烧，筛选除去杂质，提取闪光颗粒，得到材料a；
26.s2.选用全抛釉，并混合三种不同膨胀系数的干粒子熔块制作成基础釉料b；
27.s3.选用为陶瓷熔块干粒作为材料c；
28.s4.制坯：将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中，并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180
‑
220℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
29.s5.在步骤s4中制得的瓷质砖生坯上施加面釉，后进行喷墨印刷，然后再进行表面施釉；
30.s6.将步骤s5中制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150
‑
200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1150
‑
1200℃，烧成周期为60min，制得半成品瓷质砖；
31.s7.用金刚砂磨块对步骤s6中制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
32.在本发明实施例中，本发明使用了材质基础便宜的基础釉料b，减少了陶瓷熔块干粒的占比，成本约减少30％，同时，在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果，使得产品的可选择性大大提升。
33.作为本发明的一种优选实施例，根据s2，干粒子熔块为高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石中的一种。
34.在本发明实施例中，高岭土、方解石、钾长石、钠长石、烧滑石、石英、碳酸钡、碳酸锶、白云石、硅灰石为成本较为低廉的基础材料。
35.作为本发明的一种优选实施例，根据s2，干粒子的膨胀系数为5～10，三种不同膨胀系数的干粒子的膨胀系数之和介于18～27。
36.在本发明实施例中，控制膨胀系数避免成品在热胀冷缩的情况下产生较大的变形。
37.作为本发明的一种优选实施例，根据s2，混合的方式为600～1200℃煅烧熔融。
38.在本发明实施例中，此处为煅烧温度工艺。
39.作为本发明的一种优选实施例，根据s1～s5，施釉的具体方法为：将a、b、c按照质量比为(10
‑
30)％：(40
‑
50)％：(40
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50)％混合，然后加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料，通过淋釉的施釉方式施布釉料，施布量为450
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550g/
㎡
，作为初步施釉，初步施釉后进行干燥，然后将材料b用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料a按照质量比为1:1
‑
2:4混合后用喷釉工艺施布在材料b的上层。
40.在本发明实施例中，此实施例为基础材料b的配制工艺施加再将羧甲基纤维素钠、氧化锌的目的是保证釉层粘结的稳固性。
41.作为本发明的一种优选实施例，初步施釉后进行干燥的装置为电热炉。
42.在本发明实施例中，此处为加热装置。
43.作为本发明的一种优选实施例，电热炉的温度为100～150℃。
44.在本发明实施例中，此处为加热温度。
45.作为本发明的一个实施例，根据s1～s5，施釉的具体方法为：瓷质砖生坯按设定样式通过丝网印花胶水，将a料通过淋釉的施釉方式施布釉料，印花胶水按预设样式将a料固定后通过风吸方式将多余的a料吸走，然后，将a、b、c按照质量比为(10
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30)％：(40
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50)％：(40
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50)％混合，再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料，通过淋釉的施釉方式施布釉料，施布量为450
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550g/
㎡
；先进行小干燥；然后将材料b用淋釉或喷釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和材料a按照质量比为1:1
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2:4混合后用喷釉工艺施布在材料b的上层。
46.在本发明实施例中，此实施例为工艺b
‑
施釉方法的工艺流程。
47.本发明上述实施例中提供了一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法，并基于该一种全抛晰晶釉瓷质砖的制作方法装置提供了基础材料b、闪光颗粒a，通过陶瓷熔块干粒c的熔合，获得了：本发明使用了材质基础便宜的基础釉料b，减少了陶瓷熔块干粒的占比，成本约减少30％，同时，在相同的制作工艺下能产生不同波纹的效果，使得产品的可选择性大大提升的技术效果。
48.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。