二氧化硅玻璃、使用有二氧化硅玻璃的高频装置、以及二氧化硅玻璃的制造方法与流程

1.本发涉及二氧化硅玻璃、使用有二氧化硅玻璃的高频装置、以及二氧化硅玻璃的制造方法。


背景技术：

2.一直以来，微波、毫米波等高频段的无源电子装置使用天线、滤波器、分波器、双工器、电容器、电感器等高频装置。这些高频装置一般具备树脂基板、陶瓷基板、玻璃基板等电介质基板。
3.最近，为了实现通信容量的大容量化和通信速度的高速化，正在推进信号频率的进一步的高频化。已知在高频装置中，信号频率越大，电介质基板的传输损耗越增大，信号越劣化。为了抑制该情况，希望降低电介质基板的相对介电常数或介电损耗角正切。
4.另一方面，已知相对介电常数越小，越需要将电介质基板大型化。因此，作为电介质基板，希望一种介电损耗角正切小且能够根据目的而降低相对介电常数的电介质基板。
5.专利文献1的天线装置具备电介质基板。电介质基板优选为低介电损耗角正切，作为其材料，可举出二氧化硅玻璃。
6.已知二氧化硅玻璃的密度与相对介电常数处于大致正比的关系。如果密度降低，则相对介电常数降低。作为控制二氧化硅玻璃的密度的方法，有利用玻璃内的气泡的方法。例如，专利文献2中记载的制造方法一般被称为vad(气相轴向沉积，vapor－phase axial deposition)法，具有：使二氧化硅玻璃微粒(烟灰)沉积而得到二氧化硅玻璃多孔体的工序；以及，将上述二氧化硅玻璃多孔体加热煅烧的工序。通过对加热煅烧时的压力、温度、处理时间等条件进行最佳组合，能够控制煅烧后残留的气泡的直径和个数，控制所得到的二氧化硅玻璃的密度。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开2017－228846号公报
10.专利文献2：国际公开第2008/069194号


技术实现要素：

11.然而，专利文献2所记载的制造方法中，能够控制的密度的范围有限。具体而言，仅得到密度为2.0g/cm3或2.16g/cm3的二氧化硅玻璃。难以得到具有小于2.0g/cm3的密度的二氧化硅玻璃，因此，无法得到具有与目的对应的相对介电常数的二氧化硅玻璃。
12.本发明的一个方式提供一种得到具有期望的密度的二氧化硅玻璃的技术。
13.本发明的一个方式的二氧化硅玻璃的特征在于，气泡数为1
×
107～1
×
10
15
个/cm3，密度为0.5～1.95g/cm3。
14.本发明的一个方式的二氧化硅玻璃的制造方法具有如下工序：使将硅化合物进行
火焰水解而生成的sio2微粒沉积而得到二氧化硅玻璃多孔体的工序；将上述二氧化硅玻璃多孔体在非活性气体气氛下加热煅烧而得到二氧化硅玻璃致密体的工序；以及，将上述二氧化硅玻璃致密体在减压条件下加热而进行发泡处理的工序。
15.根据本发明，能够通过控制二氧化硅玻璃中包含的气泡的个数和直径，从而控制密度，由此得到具有期望的相对介电常数的二氧化硅玻璃。
附图说明
16.图1是表示一个实施方式的二氧化硅玻璃的截面图。
17.图2是表示制造一个实施方式的二氧化硅玻璃时形成的二氧化硅玻璃多孔体的一部分的截面图。
18.图3是表示制造一个实施方式的二氧化硅玻璃时形成的二氧化硅玻璃致密体的截面图。
19.图4是例1的二氧化硅玻璃的光学显微镜图像。
20.图5是例4的二氧化硅玻璃的光学显微镜图像。
21.图6是表示例1～10的二氧化硅玻璃中包含的气泡数与开口部的平均长径的关系的图。
22.图7是表示制造例1～12的二氧化硅玻璃时的脱水处理时间与得到的二氧化硅玻璃的oh基浓度的关系的图。
23.图8是表示例1、3、11和13的二氧化硅玻璃的相对介电常数的频率依赖性的图。
24.图9是表示例1～13的二氧化硅玻璃的密度与相对介电常数的关系的图。
25.图10是表示例1、3、11和13的二氧化硅玻璃的介电损耗角正切的频率依赖性的图。
26.图11是表示例1～12的二氧化硅玻璃的oh基浓度与介电损耗角正切的关系的图。
27.图12是表示例1～10的二氧化硅玻璃的开口部的平均长径与均方根高度的关系的图。
28.图13是表示例1的二氧化硅玻璃的气泡中包含的气体的质量百分比浓度的图。
具体实施方式
29.以下，使用附图对本发明的实施方式进行详细说明。应予说明，说明书中，表示数值范围的“～”是指包含其前后记载的数值作为下限值和上限值。上述下限值和上述上限值包含四舍五入的范围。
30.如图1所示，本发明的实施方式的二氧化硅玻璃1包含：二氧化硅玻璃部11、均匀分散于二氧化硅玻璃部11的气泡12、以及在二氧化硅玻璃1的表面具有开口部13的凹部14。
31.二氧化硅玻璃1的密度的下限值为0.5g/cm3，优选为0.7g/cm3，更优选为1.0g/cm3。通过密度为0.5g/cm3以上，可充分地得到二氧化硅玻璃1的强度。另一方面，密度的上限值为1.95g/cm3，优选为1.8g/cm3，更优选为1.65g/cm3，进一步优选为1.6g/cm3。通过密度为1.95g/cm3以下，相对介电常数不会变得过高，适合作为高频装置中使用的电介质基板。
32.二氧化硅玻璃部11是透明的，其密度约为2.2g/cm3。
33.气泡12的个数(以下，也称为气泡数)的下限值为1
×
107个/cm3，优选为3
×
107个/cm3。另一方面，气泡数的上限值为1
×
10
15
个/cm3，优选为1
×
10
14
个/cm3，进一步优选为1
×
10
13
个/cm3。气泡12的优选的个数的范围与后述的开口部13的大小有关，但如果气泡数为1
×
107个/cm3以上，则即使不增大开口部13的直径，二氧化硅玻璃1的密度也不会变得过高，成为适当的范围。例如，将二氧化硅玻璃1加工成用于高频装置用途，在所得到的基板的表面形成金属配线层时，由于开口部13的直径大于配线宽度，因此无法如设计的那样形成基板配线层，有成为装置的动作不良的主要因素的顾虑，但如果气泡数为1
×
107个/cm3以上，则没有上述顾虑。另一方面，如果气泡数为1
×
10
15
个/cm3以下，则没有气泡过小而消失的顾虑。
34.气泡12中包含的气体的90质量％以上为he、ne、ar、kr、xe、n2或它们的混合气体。
35.开口部13为大致椭圆形。开口部13的直径的大小与气泡数相关。开口部13的直径大时，无法增多气泡数，但开口部13的直径小时，能够增多气泡数。如上所述，如果开口部13的直径过大，则例如对形成金属配线层不利。近年来，面向高频装置的金属配线层的配线宽度不断微细化，一般认为希望其宽度优选至少为30μm以下，更优选为10μm以下，进一步优选为5μm以下，特别优选为1μm以下。因此，要求开口部的长径的平均值优选为30μm以下，更优选为10μm以下，进一步优选为5μm以下，特别优选为1μm以下。
36.二氧化硅玻璃1的oh基的含量优选为100ppm以下，更优选为50ppm以下。oh基的含量越小，介电损耗角正切越降低(参考文献：日本特开平7－330357号公报)。应予说明，说明书中，ppm表示质量百万分率，ppb表示质量十亿分率。
37.二氧化硅玻璃1的li、na、mg、al、k、ca、cr、mn、fe、ni、cu、ti、co和zn各金属杂质的含量分别为0.5质量ppm以下。
38.金属杂质的含量越小，越能够在将二氧化硅玻璃1加工成用于高频装置用途的工艺中抑制金属污染的产生，成品率提高。
39.二氧化硅玻璃1的20ghz～110ghz的频率区域的相对介电常数优选为1.3～3.5，更优选为1.5～3.5。如果相对介电常数在该范围内，则例如在将二氧化硅玻璃1用于高频装置用的滤波器的情况下，能够将装置充分小型化，并且能够确保较宽的动作带宽。
40.具有上述相对介电常数的二氧化硅玻璃1也能够适用作半导体制造用等离子体蚀刻装置中使用的部件。例如，在用作等离子体处理室内使用的部件的情况下，由于相对介电常数低，因此电应变减少，所以能够将不需要的等离子体的产生抑制为最小限度。此时，假设使用时的温度为50～200℃、压力为150pa以下，相对介电常数优选在100khz～200mhz的频率区域为1.3～3.5。
41.二氧化硅玻璃1的20ghz～110ghz的频率区域的介电损耗角正切优选为1.0
×
10
－5
～5.0
×
10
－4
。如果如此使介电损耗角正切足够小，则例如在将二氧化硅玻璃1作为高频装置用电介质基板使用的情况下，能够抑制伴随传输损耗的信号的劣化。
42.实施光学研磨后的二氧化硅玻璃1优选玻璃表面的均方根高度为1μm以下。如果如此使均方根高度足够小，则例如在将实施光学研磨后的二氧化硅玻璃1在表面形成导体层用于高频装置用途的情况下，能够抑制由表皮电流引起的传输损耗的增大。为了进一步抑制传输损耗，也可以利用火焰抛光、co2激光等方法对实施光学研磨后的二氧化硅玻璃1的表面进行平滑化加工处理。应予说明，说明书中，光学研磨是指使用包含研磨剂的浆料进行的研磨。作为研磨剂，可使用氧化铈粒子、氧化硅粒子、氧化铝粒子、氧化锆粒子、氧化钛粒子、金刚石粒子、碳化硅粒子等。
43.接下来，对本发明的实施方式的二氧化硅玻璃的制造方法进行说明。本发明中，虽然使用vad法作为二氧化硅玻璃的合成方法，但只要起到本发明的效果，就可以对制造方法进行适当变更。
44.(1)合成原料的选定
45.二氧化硅玻璃的合成原料只要是能够气化的原料，就没有特别限制，可代表性地举出sicl4、sihcl3、sih2cl2、sich3cl3等硅氯化物、sif4、sihf3、sih2f2等氟化物之类的卤代硅化合物、或者rnsi(or)
4－n
(在此，r为碳原子数1～4的烷基，n为0～3的整数)表示的烷氧基硅烷、(ch3)3si－o－si(ch3)3等不包含卤素的硅化合物。
46.(2)二氧化硅玻璃多孔体的形成
47.将上述合成原料以优选1000～1500℃的温度进行火焰水解来合成sio2微粒，并使其沉积在旋转的基材上，由此形成如图2所示的二氧化硅玻璃多孔体2。二氧化硅玻璃多孔体2为sio2微粒的一次粒子21熔接而形成的多孔体，具有许多通向外部的气孔22。
48.(3)脱水处理
49.优选将二氧化硅玻璃多孔体2在真空气氛下以高温进行加热，进行脱水处理。脱水处理并非必需的，但如后所述通过该工序而使后续得到的二氧化硅玻璃1的oh基浓度降低，介电损耗角正切变小，因而优选进行。
50.脱水处理时的加热温度优选为1000～1300℃。如果为1000℃以上，则脱水反应充分进行，如果为1300℃以下，则没有多孔体的致密化进行比脱水反应进行得更快的顾虑。
51.脱水处理时间只要以上述加热温度保持240小时以内即可。处理时间越长oh基浓度越降低，但如果过长，则生产效率变差。
52.(4)加热煅烧
53.如果将实施脱水处理后的二氧化硅玻璃多孔体2在非活性气体气氛下加压，在高温下进行加热煅烧，则得到通向外部的气孔22被完全封闭的二氧化硅玻璃致密体。
54.加热煅烧时，上述非活性气体溶解于二氧化硅玻璃。非活性气体代表性地为he、ne、ar、kr、xe、n2或它们的混合气体，详细内容进行后述，优选ar。已知具有气氛中的非活性气体的分压越高或者二氧化硅玻璃的温度越低，二氧化硅玻璃中的非活性气体的溶解度越上升的趋势。
55.煅烧时的加压范围优选为0.01～200mpa。如果压力为0.01mpa以上，则非活性气体充分溶解，如果压力为200mpa以下，则没有非活性气体过度溶解的担忧。进行后述，非活性气体的溶解量会影响后续的发泡处理的发泡程度。
56.煅烧时的加热温度优选为1200～1700℃，优选为比脱水处理时的加热温度高的温度。如果加热温度为1200℃以上，则煅烧充分进行，如果为1700℃以下，则没有产生玻璃成分的挥发的顾虑。
57.煅烧时间只要以上述压力和加热温度优选保持10～100小时即可，更优选保持20～60小时。如果处理时间为10小时以上，则煅烧和非活性气体的溶解充分进行，如果为100小时以下，则生产效率良好。
58.(5)发泡处理
59.接下来，将上述二氧化硅玻璃致密体减压至优选小于0.01mpa的压力，以高温进行加热，由此溶解于二氧化硅玻璃中的非活性气体进行发泡，或者二氧化硅玻璃致密体内的
气泡进行热膨胀，得到具有均匀分散的气泡12的二氧化硅玻璃1。
60.对发泡的机理进行说明。虽然之前也已经进行了阐述，但已知具有气氛中的非活性气体的分压越高或者二氧化硅玻璃的温度越低，二氧化硅玻璃中的非活性气体的溶解度越上升的趋势。因此，如果在发泡处理中以比加热煅烧时低的压力或高的温度条件进行加热，则加热煅烧时的溶解量与发泡处理时的溶解量的差分达到过饱和状态，在二氧化硅玻璃致密体内产生非活性气体的发泡。
61.上述的非活性气体的种类中，ar比较便宜且溶解度的温度依赖性大，容易控制发泡程度，因而优选。
62.发泡处理时的加热温度优选为1300～1800℃，优选为比加热煅烧时的加热温度高的温度。如果加热温度为1300℃以上，则得到充分的发泡或热膨胀，如果为1800℃以下，则没有因过度的发泡或热膨胀而玻璃材料破裂的顾虑。
63.发泡处理时间只要以上述压力和加热温度优选保持1分钟～10小时即可。如果处理时间为1分钟以上，则得到充分的发泡或热膨胀，如果为10小时以下，则没有因过度的发泡或热膨胀而玻璃材料破裂的担忧。
64.通过组合上述加热煅烧时和上述发泡处理时的压力、加热温度和处理时间、改变达到过饱和状态而发泡的非活性气体的发泡程度和气泡的热膨胀程度，能够控制二氧化硅玻璃1中包含的气泡12的个数和直径，进而控制密度。
65.实施例
66.接下来，主要参照表1、表2和图3～图13对实验数据进行说明。
67.各例的二氧化硅玻璃1、透明二氧化硅玻璃和二氧化硅玻璃致密体3的各物性值按照以下所示的方法进行测定。
68.应予说明，例1～10为实施例，例11～16为比较例。
69.(密度)
70.密度是对约20g的玻璃样品使用岛津制作所制的分子天平(商品名：ap224w)通过阿基米德法而算出的。
71.(开口部的平均长径)
72.对二氧化硅玻璃1的切割面进行光学研磨，取得切割面的光学显微镜图像(270μm
×
340μm)后，提取光学显微镜图像的四个角的125μm
×
160μm分区，分别求出该分区中包含的开口部13的长径的平均值，将4个平均值进一步平均，将所得到的值作为开口部的平均长径。应予说明，将处于该分区的框线上的开口部13不包括长径无法明确测量的开口部，另外，多个开口部合一而形成的开口部13由该多个开口部合一而形成的开口部13的轮郭线推测各开口部的形状进行长径的测量。
73.(气泡数)
74.气泡数是假定二氧化硅玻璃1中包含的气泡12全部为相同的球形，且球形的直径与上述开口部的平均长径相等，并根据下述式(1)而算出的。
[0075][0076]
上述式(1)中，ρ为二氧化硅玻璃1的密度(单位：g/cm3)，d为开口部的平均长径(单
位：cm)，气泡数的单位为个/cm3。
[0077]
(相对介电常数和介电损耗角正切)
[0078]
相对介电常数和介电损耗角正切是对50mm
×
40mm
×
0.3mm的玻璃样品按照jis－r1641(2007年)中记载的方法并使用腔体谐振器和矢量网络分析仪测得的。
[0079]
(均方根高度)
[0080]
均方根高度是对制成适当大小的玻璃样品的切割面进行光学研磨，并按照jis－b0601(2013年)中记载的方法测得的。
[0081]
(气泡中包含的气体的组成)
[0082]
气泡12中包含的气体的组成通过在真空室内将适当的玻璃样品粉碎，收集气泡12内的气体后，使用质谱仪进行测定。
[0083]
(金属杂质的含量)
[0084]
金属杂质的含量是对制成适当大小的玻璃样品利用icp－ms(感应耦合等离子体质谱仪，inductively coupled plasma－mass spectrometer)法测得的。
[0085]
(oh基浓度)
[0086]
oh基浓度是对具有适当厚度的玻璃样品利用红外分光光度计获得ir谱图，对由oh基引起的吸收峰进行定量化而算出的(参考文献：j.p.williams；y.s.su；w.r.strzegowski；b.l.butler；h.l.hoover；v.o.altemose，direct determination of water in glass，ceramic.bulletin.，vol.55，no.5，pp524，1976)。
[0087]
各例的二氧化硅玻璃1、透明二氧化硅玻璃和二氧化硅玻璃致密体3按照以下所示的方法来制造。
[0088]
(例1～例10)
[0089]
使将sicl4进行火焰水解而合成的sio2微粒沉积在旋转的基材上来得到二氧化硅玻璃多孔体2。将其配置于加热炉内，真空排气后，升温至1250℃，以最终得到的二氧化硅玻璃1的oh基浓度成为表1所示的值的方式适当地调整处理时间，进行脱水处理。接下来，填充ar气体进行加压后，升温至规定温度，进行加热煅烧。使其恢复到大气压，自然冷却至室温。此时得到的二氧化硅玻璃致密体为稍微包含气泡的不透明二氧化硅玻璃。接下来，进行真空排气后，升温至规定温度，进行发泡处理。使其恢复到大气压，自然冷却至室温后，取出。所得到的二氧化硅玻璃1包含均匀分散的气泡12。应予说明，以成为表1所示的密度、气泡数和开口部的平均长径的方式对该加热煅烧时的压力、加热温度和处理时间、以及该发泡处理时的加热温度和处理时间进行组合。
[0090]
(例11～例12)
[0091]
使将sicl4进行火焰水解而合成的sio2微粒沉积在旋转的基材上来得到二氧化硅玻璃多孔体2。将其配置在加热炉内，真空排气后，升温至1250℃，以成为表1所示的oh基浓度的方式适当地调整处理时间，进行脱水处理。接下来，升温至1350℃，保持24小时，进行加热煅烧。使其恢复到大气压，自然冷却至室温后，取出。所得到的二氧化硅玻璃致密体为大致不含气泡的透明二氧化硅玻璃。
[0092]
(例13)
[0093]
是利用直接法而制造的透明二氧化硅玻璃。
[0094]
(例14)
[0095]
使将sicl4进行火焰水解所合成的sio2微粒沉积于旋转的基材上而得到二氧化硅玻璃多孔体2。将其配置于加热炉内，真空排气后，升温到1350℃，保持2小时，进行加热煅烧。使其恢复到大气压，自然冷却至室温后，取出。此时，处理时间并不充分，因此通向外部的气孔22没有完全闭合，得到如图3所示的具有通向外部的气孔31的二氧化硅玻璃致密体3。
[0096]
(例15)
[0097]
脱水处理时升温到1320℃，除此以外，利用与例14同样的方法来制造二氧化硅玻璃致密体3。
[0098]
(例16)
[0099]
脱水处理时，升温后保持5小时，除此以外，利用与例15同样的方法来制造二氧化硅玻璃致密体3。
[0100]
图4中示出对例1的二氧化硅玻璃1的切割面进行光学研磨并拍摄所得的光学显微镜图像。测定的结果，开口部的平均长径为4.1μm，气泡数为3.15
×
109个/cm3。可知直径小的气泡12均匀分散在二氧化硅玻璃1内。
[0101]
图5中示出将例4的二氧化硅玻璃1的切割面进行光学研磨并拍摄而得的光学显微镜图像。测定的结果，开口部的平均长径为21.1μm，气泡数为3.70
×
107个/cm3。可知与例1相比，气泡12的直径大，且直径可见偏差，但作为整体均匀地分散。认为直径可见偏差是因为直径较大，因此在发泡处理时，气泡12彼此容易合一。
[0102]
图6中示出例1～例10的二氧化硅玻璃1中包含的气泡数与开口部的平均长径的关系。根据图6明确可知，气泡数越多，开口部的平均长径越小。
[0103]
图7中示出例1～12的二氧化硅玻璃1或透明二氧化硅玻璃的脱水处理时间与oh基浓度的关系。根据图7明确可知，处理时间越长，oh基浓度越降低并缓慢接近0ppm。
[0104]
图8中示出例1、3、11和13的二氧化硅玻璃1或透明二氧化硅玻璃的相对介电常数的频率依赖性。根据图8明确可知，在频率为20～110ghz的范围中，相对介电常数显示大致恒定的值。
[0105]
图9中示出表1的各例的二氧化硅玻璃1和透明二氧化硅玻璃的密度与相对介电常数的关系。根据图9明确可知，例1～10的二氧化硅玻璃1的密度与相对介电常数处于大致成正比的关系。另一方面，例1～13的透明二氧化硅玻璃由于大致不含气泡，因此密度为2.2g/cm3且恒定，相对介电常数也为大致恒定的值。因此，可知通过利用本发明的二氧化硅玻璃1的制造方法，能够控制密度，由此能够得到具有期望的相对介电常数的二氧化硅玻璃1。
[0106]
应予说明，图9中，相对介电常数作为代表为频率35ghz时的值，根据图8明确，对20～110ghz范围的任一频率均可得到上述大致成正比的关系。
[0107]
图10中示出例1、3、11和13的二氧化硅玻璃1或透明二氧化硅玻璃的介电损耗角正切的频率依赖性。根据图10明确可知，如果频率增加，则介电损耗角正切也增加。另外，对于oh基浓度较高的例13的二氧化硅玻璃，伴随频率的增加的介电损耗角正切的增加率明显大于其它例子。因此，基于脱水处理的oh基浓度的降低在能够在范围较宽的频率区域维持低介电损耗角正切的方面也有利。
[0108]
图11中示出例1～12的二氧化硅玻璃1和透明二氧化硅玻璃的oh基浓度与介电损耗角正切的关系。根据图11，发现如下趋势：如果oh基浓度增加，则介电损耗角正切也增加。
[0109]
应予说明，图11中，介电损耗角正切作为代表为频率35ghz时的值，根据图10明确，对20～110ghz的范围的任一频率均可得到同样的趋势。
[0110]
图12中示出例1～10的二氧化硅玻璃1的开口部的平均长径与均方根高度的关系。根据图12，发现如下趋势：如果开口部的长径增加，则均方根高度也增加。这是因为开口部的平均长径越大，玻璃表面的凹凸越显著。
[0111]
图13中示出例1的二氧化硅玻璃1的气泡中包含的气体的质量百分比浓度。根据图13，气泡中包含的气体的99.5质量％为ar与n2的混合气体。
[0112]
表2中示出例1和11的二氧化硅玻璃1或透明二氧化硅玻璃的金属杂质的含量。根据表2明确可知，各金属杂质的含量分别为ppb数量级，极少。
[0113]
对例14～16的二氧化硅玻璃致密体3的频率35ghz时的介电损耗角正切进行测定，结果分别为1.1
×
10
－3
、2.5
×
10
－3
、1.9
×
10
－3
。与表1进行比较时明确，二氧化硅玻璃致密体3的介电损耗角正切显示大幅大于二氧化硅玻璃1的介电损耗角正切的值。这是因为具有通向外部的气孔31，因此容易吸附气氛中的水，导致oh基浓度增加。因此，可预期例如将二氧化硅玻璃致密体3作为高频装置用的电介质基板使用时，由于传输损耗大，因而信号劣化。
[0114]
以上，对本发明的二氧化硅玻璃、使用二氧化硅玻璃的高频装置和二氧化硅玻璃的制造方法进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式等。可以在专利请求的范围所记载的范畴内进行各种变更、修正、置换、附加、删除和组合。这些当然也属于本发明的技术范围。
[0115]
[表1]
[0116]
表1
[0117][0118]
[表2]
[0119]
表2
[0120]
例linamgalkcacrmnfenicuticozn例1[ppb]＜0.33.1＜0.3＜0.30.7＜0.3＜0.3＜0.3＜0.30.3＜0.35.4＜0.3＜0.6例11[ppb]＜0.32.40.3＜0.3＜0.3＜0.3＜0.3＜0.3＜0.30.3＜0.36.1＜0.3＜0.6
[0121]
详细且参照特定的实施方式对本发明进行了详细说明，但可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下加入各种变更、修正对本领域技术人员而言是显而易见的。本技术基
于2020年2月28日申请的日本专利申请(日本特愿2020-034258)，其内容作为参照并入本文中。
[0122]
符号说明
[0123]1ꢀꢀꢀ
二氧化硅玻璃
[0124]
11
ꢀꢀ
二氧化硅玻璃部
[0125]
12
ꢀꢀ
气泡
[0126]
13
ꢀꢀ
开口部
[0127]
14
ꢀꢀ
凹部
[0128]2ꢀꢀꢀ
二氧化硅玻璃多孔体
[0129]
21
ꢀꢀ
sio2微粒的一次粒子
[0130]
22
ꢀꢀ
通向外部的气孔
[0131]3ꢀꢀꢀ
二氧化硅玻璃致密体
[0132]
31
ꢀꢀ
通向外部的气孔