III族元素氮化物半导体基板的制作方法

本发明涉及iii族元素氮化物半导体基板。

背景技术：

1、作为各种半导体器件的基板，采用氮化镓(gan)晶圆、氮化铝(aln)晶圆、氮化铟(inn)晶圆等iii族元素氮化物半导体基板。

2、半导体基板具备第一面和第二面。将第一面设为主面，将第二面设为背面时，代表性的主面为iii族元素极性面，代表性的背面为氮极性面。在主面上，能够生长外延结晶，另外，能够制作各种器件。

3、具体而言，例如，已知有：在蓝宝石基板等基底基板上生长形成出iii族元素氮化物层，利用llo(激光剥离)技术等，将基底基板分离，得到由iii族元素氮化物形成的自立基板。通过在这样的自立基板之上形成gan、algan、ingan等功能层，来制造led、ld等发光元件或功率器件。最近，针对超高亮度led、或功率器件，要求有4英寸或6英寸的大口径基底基板。

4、但是，通常，使iii族元素氮化物层自基底基板剥离后，因为iii族元素氮化物结晶内部的应力分布、或iii族元素氮化物层的表面与背面的位错密度差等原因而导致iii族元素氮化物层翘曲。

5、因此，在iii族元素氮化物半导体基板制造中，对外形形状翘曲的基板进行平坦化加工，此时，因为进行该平坦化加工，在结晶面会产生翘曲，从而形成有：称为偏离角的基板表面的结晶取向相对于想要的结晶取向而错开的区域。并且，随着接近于基板外周部，上述的错开宽度会变大，从而产生偏离角分布(专利文献1)。

6、如果iii族元素氮化物半导体基板中的偏离角分布较大，则在iii族元素氮化物半导体基板上形成的功能层的表面形貌会变得粗糙，或者功能因位置而发生变化。例如，在发光器件的情况下，产生出基板内的波长偏差变大的问题。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1：日本特开2000-22212号公报

技术实现思路

1、本发明的课题在于，提供一种偏离角分布较小的iii族元素氮化物半导体基板。

2、本发明的一个实施方式所涉及的iii族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，其中，

3、该第一面的结晶面的翘曲具有多个极点。

4、一个实施方式中，上述第一面的结晶面的从基板的中心通过的＜11-20＞方向上的结晶面的翘曲、和与该＜11-20＞方向正交的从基板的中心通过的＜1-100＞方向上的结晶面的翘曲均具有多个极点。

5、一个实施方式中，上述极点的数量为3以上。

6、一个实施方式中，在上述极点中，相邻的极点与极点的间隔为3mm以上。

7、一个实施方式中，上述iii族元素氮化物半导体基板整体的偏离角分布为0.40°以下。

8、一个实施方式中，上述iii族元素氮化物半导体基板的直径为75mm以上。

9、发明效果

10、根据本发明，能够提供一种偏离角分布较小的iii族元素氮化物半导体基板。

技术特征：

1.一种iii族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，

2.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的iii族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的iii族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的iii族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的iii族元素氮化物半导体基板，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种偏离角分布较小的III族元素氮化物半导体基板。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，该III族元素氮化物半导体基板的特征在于，该第一面的结晶面的翘曲具有多个极点。

技术研发人员：坂井正宏,今井克宏,小林弘季
受保护的技术使用者：日本碍子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16