一种合成FeSe基插层超导体Lix(C3H10N2)yFe2Se2的方法与流程

本发明属于超导材料，具体涉及一种合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法。

背景技术：

1、某些物质在温度降低到一定值时电阻会完全消失，这种现象称为超导电性。超导材料是具有在一定的低温条件下呈现出电阻等于零以及排斥磁力线的性质的材料。随着超导材料载流能力和临界磁场强度等性能不断改善，超导材料的应用将大面积普及，将给科技带来革命性的变革，对人们的生活产生极大的影响。相对于feas基超导材料，fese基材料的化学稳定性较低。因此，制备样品的方法除通常的高温烧结法，更常用到的是液氨法、水热法以及溶剂热等较低温度下的制备方法。但是利用溶剂热法制备出的碱金属与有机分子共同插层的fese基超导体往往具有结晶性低，产物反应不完全，以及超导分数小等劣势，无疑增加对其超导机制的分析的难度和降低了其应用前景。

技术实现思路

1、针对现有技术中的不足之处，本发明提供一种合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法。

2、为了达到上述目的，本发明技术方案如下：

3、一种合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，包括如下步骤：

4、s1）前驱物fese的制备：高纯度fe片与se粒按照摩尔比1.01:1称好后放入石英管中，将抽真空后的石英管中放入马弗炉中进行高温烧结，即可得到前驱物fese；

5、s2）反应物的配置：等摩尔量的前驱物fese与碱金属li片放入玻璃瓶中，加入10ml的有机分子后密封；

6、s3）超声：将玻璃瓶放入超声环境下超声2小时；

7、s4）溶剂热法：将超声后的产物转入聚四氟乙烯的反应釜内衬中，将反应釜内衬放入不锈钢反应釜中，然后拧紧；将密封的反应釜放入150摄氏度的烘箱中2天，即可得到高纯度的产物，即lix(c3h10n2)yfe2se2超导体。

8、进一步的，所述高纯度fe片的纯度为99.999%。

9、进一步的，所述se粒的纯度为99.999%。

10、进一步的，所述有机分子采用1,2-丙二胺或者1,3-丙二胺。

11、进一步的，步骤s2）中将前驱物fese与碱金属li片放入玻璃瓶中以及加入有机分子的过程，在充满氩气的手套箱中进行。

12、进一步的，步骤s4）中将超声后的产物转入聚四氟乙烯的反应釜内衬中，并将反应釜内衬放入不锈钢反应釜的过程，在充满氩气的手套箱中进行。

13、有益效果：本发明提供的合成方法显著降低反应时间，产物结晶性显著提高，及超导体积分数较大。

技术特征：

1.一种合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，其特征在于，所述高纯度fe片的纯度为99.999%。

3.如权利要求1所述的合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，其特征在于，所述se粒的纯度为99.999%。

4.如权利要求1所述的合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，其特征在于，所述有机分子采用1,2-丙二胺或者1,3-丙二胺。

5.如权利要求1所述的合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，其特征在于，步骤s2）中将前驱物fese与碱金属li片放入玻璃瓶中以及加入有机分子的过程，在充满氩气的手套箱中进行。

6.如权利要求1所述的合成fese基插层超导体lix(c3h10n2)yfe2se2的方法，其特征在于，步骤s4）中将超声后的产物转入聚四氟乙烯的反应釜内衬中，并将反应釜内衬放入不锈钢反应釜的过程，在充满氩气的手套箱中进行。

技术总结
本发明属于超导材料技术领域，具体涉及一种合成FeSe基插层超导体Lix(C<subgt;3</subgt;H<subgt;10</subgt;N<subgt;2</subgt;)yFe<subgt;2</subgt;Se<subgt;2</subgt;的方法，包括如下步骤：前驱物FeSe的制备：高纯度Fe片与Se粒按照摩尔比1.01:1称好后放入石英管中，将抽真空后的石英管中放入马弗炉中进行高温烧结，即可得到前驱物FeSe；反应物的配置：等摩尔量的前驱物FeSe与碱金属Li片放入玻璃瓶中，加入10ml的有机分子后密封；超声：将玻璃瓶放入超声环境下超声2小时；溶剂热法：将超声后的产物转入聚四氟乙烯的反应釜内衬中，将反应釜内衬放入不锈钢反应釜中，然后拧紧；将密封的反应釜放入150摄氏度的烘箱中2天，即可得到高纯度的产物，即Lix(C<subgt;3</subgt;H<subgt;10</subgt;N<subgt;2</subgt;)yFe<subgt;2</subgt;Se<subgt;2</subgt;超导体。本发明提供的合成方法显著降低反应时间，产物结晶性显著提高，及超导体积分数较大。

技术研发人员：徐汉淑
受保护的技术使用者：徐汉淑
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27