一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法与流程

文档序号:34302890发布日期:2023-05-31 17:31阅读:43来源:国知局
一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法与流程

本发明属于玻璃化学刻蚀,具体涉及一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法。


背景技术:

1、随着智能手机的逐渐饱和甚至过剩,市场竞争越来越激烈,各个手机大厂为了抢占市场份额,纷纷推出极具个性化的手机产品来吸引消费者。蓝宝石玻璃手机后壳以其优异的抗划伤、高强度、耐跌落性能等成为一个消费热点,但蓝宝石玻璃后壳冰冷光滑的特质会造成使用者触握手机时容易脱落掉地,这就需要对蓝宝石玻璃后壳进行表面蚀刻处理,使玻璃表面具有一定的粗糙度,减少持握时从手中滑落的几率。由于蓝宝石玻璃的主要成分是氧化铝及少量增强添加剂如氧化锆等,给ag蚀刻带来了困难,常规的蚀刻液不能实现对蓝宝石玻璃的蚀刻,需要对蚀刻药液配方及工艺进行创新性的设计。


技术实现思路

1、针对现有技术中存在的上述问题,本发明采用蚀刻工艺来完成对蓝宝石玻璃的蚀刻效果,提供一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法,

2、本发明的目的是以下述方式实现的:

3、一种蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,包括以下步骤,

4、a.将蓝宝石玻璃进行清洗,消除玻璃表面杂质对蚀刻效果的影响;

5、b.将清洗处理的玻璃原片放入到饱和氢氧化钠溶液中进行密封煮沸;

6、c.煮好后的玻璃,放入由磷酸、氟铝酸钠、甘油、磷酸三钠和水组成的蚀刻乳浊液中,进行左右摆动蚀刻;

7、d.蚀刻完成的玻璃从蚀刻液中取出,然后用纯水清洗干净并风干即可。

8、步骤c组成蚀刻乳浊液的各原料的质量百分比wt%为磷酸18-22%、氟铝酸钠14-16%、甘油8-12%、磷酸三钠6-10%和水46-48%。

9、步骤c组成蚀刻乳浊液的各原料的质量百分比wt%为磷酸20%、氟铝酸钠15%、甘油10%、磷酸三钠8%和水47%。

10、步骤b中氢氧化钠溶液的温度控制在75-85℃。

11、步骤b中密封煮沸时间控制在20-30分钟。

12、步骤c中摆动蚀刻的摆动幅度300-500mm,摆动频率30-50次/分钟。

13、步骤c中摆动蚀刻时间为5-8分钟。

14、一种手机壳,由上述制作方法制备。

15、为了实现对蓝宝石玻璃手机后壳的蒙砂效果,根据主要成分为氧化铝骨架结构的蓝宝石玻璃的特性,选用碱性蚀刻工艺对蓝宝石玻璃进行蚀刻,采用强碱在高温状态下对蓝宝石玻璃进行蒸煮,让表层氧化铝结构受到侵蚀,生成氢氧化铝,然后在一定比例的氟铝酸钠与酸性物质及添加剂组成的蚀刻乳浊液的作用下,在蓝宝石玻璃表面形成微米级的蚀刻凹痕,这些凸凹不平的蚀刻凹痕层增加表面粗糙度,完成了对蓝宝石玻璃的蒙砂蚀刻效果。



技术特征:

1.一种蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:包括以下步骤,

2.根据权利要求1所述蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:步骤c组成蚀刻乳浊液的各原料的质量百分比wt%为磷酸18-22%、氟铝酸钠14-16%、甘油8-12%、磷酸三钠6-10%和水46-48%。

3.根据权利要求2所述蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:步骤c组成蚀刻乳浊液的各原料的质量百分比wt%为磷酸20%、氟铝酸钠15%、甘油10%、磷酸三钠8%和水47%。

4.根据权利要求1所述蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:步骤b中氢氧化钠溶液的温度控制在75-85℃。

5.根据权利要求1所述蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:步骤b中密封煮沸时间控制在20-30分钟。

6.根据权利要求1所述蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:步骤c中摆动蚀刻的摆动幅度300-500mm,摆动频率30-50次/分钟。

7.根据权利要求1所述蓝宝石玻璃手机后壳蒙砂效果蚀刻制作方法,其特征在于:步骤c中摆动蚀刻时间为5-8分钟。

8.一种手机壳,其特征在于:根据权利要求1-7任一所述制作方法制备。


技术总结
本发明公开一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法,制作方法包括以下步骤,将蓝宝石玻璃进行清洗,然后放入到饱和氢氧化钠溶液中密封煮沸,再放入由磷酸、氟铝酸钠、甘油、磷酸三钠和水组成的蚀刻乳浊液中,进行左右摆动蚀刻;最后从蚀刻液中取出,然后用纯水清洗干净并风干即可。根据蓝宝石玻璃的特性,选用碱性蚀刻工艺对蓝宝石玻璃进行蚀刻,采用强碱在高温状态下对蓝宝石玻璃进行蒸煮,让表层氧化铝结构受到侵蚀,生成氢氧化铝,然后在一定比例的氟铝酸钠与酸性物质及添加剂组成的蚀刻乳浊液的作用下,在蓝宝石玻璃表面形成微米级的蚀刻凹痕,这些凸凹不平的蚀刻凹痕层增加表面粗糙度,完成了对蓝宝石玻璃的蒙砂蚀刻效果。

技术研发人员:熊国祥,张健伟
受保护的技术使用者:郑州恒昊光学科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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