一种石墨坩埚的制作方法

1.本实用新型属于坩埚技术领域，涉及一种石墨坩埚。


背景技术：

2.cvd法生长的石墨烯粉体是目前已知的缺陷最少，层数最薄，片径最大的石墨烯粉末。cvd生长石墨烯粉体是将铜放置于石墨坩埚中，在惰性气氛保护下，高温熔化成液态铜，然后将用惰性气体稀释的碳源气体通入液态铜液面下，随着气体不断通入，就会在铜液面下产生大量气泡，在气泡表面生长石墨烯，当气泡到达液面，气泡破裂，石墨烯粉体与铜膜分离，石墨烯粉体被气流从排气管道携带出去，进入收集箱。但是在生长石墨烯粉体的过程中，由于是将气体通入铜液面下，特别是通入大流量气体时，铜液飞溅非常严重，从坩埚口与坩埚盖之间缝隙大量飞出，对感应线圈加热系统造成严重的安全隐患。
3.cn 213139844u公开了一种石墨坩埚的包装结构，其包括蜂窝纸板箱体，其箱体外切于石墨坩埚的外轮廓线，并在箱体内表面上涂装有一层聚氨酯防水涂料；箱体顶面开口，并通过箱盖封闭；箱体底面上成型有卡板以及垫板，卡板和垫板与箱体截面相匹配，所述卡板为胶合板，其上表面上成型有与石墨坩埚底面相匹配的盲槽，所述垫板为蜂窝纸板，穿装于石墨坩埚的底部位置；所述箱体在连接边的外侧通过l形压合纸板进行包边；而在所述箱体的竖向连接边内侧则成型有顶靠于石墨坩埚侧壁上的聚氨酯泡沫衬块。本实用新型工艺简单，加工方便，且能实现对包装内石墨坩埚进行固位保护。
4.cn 103387416a一种提高介质熔炼中石墨坩埚使用寿命的方法。石墨坩埚放置于炉体内，石墨坩埚和石墨坩埚中安装有感应线圈，方法如下：(1)先将石墨保护环固定在石墨坩埚上沿，然后向石墨坩埚内加入工业硅；(2)开启感应线圈，加热使工业硅熔化成硅液，在石墨坩埚的中心轴处立放入石墨柱，使得硅液液面上升；(3)向石墨坩埚内继续添加工业硅，控制感应线圈升高温度，使熔化后的硅液液面高度高于石墨坩埚壁上沿，但低于石墨保护环的上沿，再加入造渣剂，使其表面仍然低于石墨保护环的上沿，从而进行熔炼；(4)熔炼结束后，硅液与石墨坩埚反应得到碳化硅涂层，然后取出石墨柱和石墨保护环，降低温度后倒出硅液。
5.由于安装坩埚时为防止周围填充的耐火砂掉入坩埚，坩埚口必然高出感应线圈上表面，由此坩埚盖与坩埚口对接位置处于低温区。当混合气体通入液态铜时，特别是通入大流量气体时，铜液飞溅非常严重，大量铜液从坩埚盖与坩埚口支撑平台缝隙飞溅出去，对加热系统系统会造成严重的安全隐患，还有会有大量铜在缝隙处凝固，聚集，形成大铜柱，不仅会堵塞排气口，也会造成坩埚盖无法与坩埚也顺利分离。
6.以上技术方案中通过改进石墨坩埚包装的使用方法，来避免产生铜液飞溅。然而石墨坩埚本身的结构并没有进行改进，因此，如何通过设计改变石墨坩埚的结构，使得生长石墨烯粉体的铜液不会飞溅出去、在坩埚盖与坩埚口支撑平台位置不会有铜凝结聚集现象，是石墨坩埚技术领域亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

7.针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种石墨坩埚，在坩埚与加热区域之间设置一个缓冲区域，能够有效的避免坩埚内的高温液体飞溅，同时，避免了飞溅出去的高温液体在加热区域凝结聚集。
8.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
9.一种石墨坩埚，所述石墨坩埚包括埚体和坩埚盖，所述埚体包括底部和侧部；
10.所述侧部的内壁上设置有支撑平台，所述支撑平台用于水平放置坩埚盖；
11.所述支撑平台与内壁之间设置有凹槽；
12.所述坩埚盖包括进气孔和排气孔。
13.本实用新型通过在石墨坩埚的内壁与支撑平台之间设置凹槽，有效的阻止了在通气时石墨坩埚内的液体飞溅出去，避免飞溅的液体进入炉腔中，保证了加热的正常进行。石墨坩埚内的支撑平台位于加热系统内部，使得坩埚盖与石墨坩埚内部的支撑平台结合面处于高温加热区，避免了在接缝位置的铜液凝结聚集。
14.当在液态铜中通入大流量的混合气体时，飞溅的铜液首先穿过支撑平台和坩埚盖之间的缝隙进入环形凹槽中，又由于铜与石墨表面不浸润以及表面张力作用，在凹槽上部形成了凸液面，将坩埚盖与支撑面平台的缝隙通过铜液密封，之后再飞溅的铜液滴首先进入凸面铜液中，由此对飞溅的铜液起到了缓冲作用，避免了铜液飞溅出去。由于坩埚盖与支撑平台结合面位于加热系统内部，位于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。
15.所述凹槽为环形凹槽。
16.作为本实用新型的优选技术方案之一，所述埚体的形状为倒圆台形。
17.优选地，所述埚体底部和内壁之间的倾角为110-150
°
，例如可以是110
°
、 120
°
、130
°
、140
°
、145
°
或150
°
，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
18.优选地，所述埚体底部与外壁之间的倾角为110-150
°
，例如可以是110
°
、 120
°
、130
°
、140
°
、145
°
或150
°
，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
19.作为本实用新型的优选技术方案之二，所述埚体的形状为圆柱形。
20.本实用新型提供的圆柱形的石墨坩埚在无需增加石墨坩埚最大直径的情况下，由倒圆台形改为圆柱形，坩埚上口端直径与坩埚底直径相同，侧部的内壁与底部垂直可以增加石墨坩埚下部的空间。这防止了进气管下部连接的圆盘型气泡发生器与坩埚底部中心位置稍有偏移导致气泡只从靠近坩埚壁一侧上升，然后很快汇聚成大气泡，从而影响生长的石墨烯的质量；同时，还能避免因为两者位置偏移，气泡只从靠近坩埚壁一侧上升，致使在与气泡发生器靠近的一侧的侧部的内壁上大量积碳。
21.优选地，所述支撑平台与石墨坩埚上端开口的距离为50-200mm，例如可以是50mm、60mm、100mm、150mm、180mm或200mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
22.优选地，所述埚体的外部高度为280-1000mm，例如可以是280mm、400mm、 600mm、800mm或1000mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
23.所述埚体的壁厚为15-60mm，例如可以是15mm、20mm、30mm、40mm、 50mm或60mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
24.所述埚体的底外径为80-700mm，例如可以是80mm、100mm、330mm、500mm、600mm或
700mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
25.所述埚体的上口端外径为95-750mm，例如可以是95mm、100mm、300mm、 500mm、600mm或750mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
26.优选地，所述凹槽的截面形状为正方形、长方形、梯形、圆形、椭圆形、锥形或菱形中的任意一种。
27.优选地，所述凹槽截面的宽度为1-20mm，例如可以是1mm、2mm、5mm、10mm、15mm、18mm或20mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
28.本实用新型所述凹槽截面的宽度为凹槽开口处的距离。
29.优选地，所述凹槽的深度为1-30mm，例如可以是1mm、2mm、5mm、10mm、 15mm、18mm、20mm、25mm、28mm或30mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
30.本实用新型提供的石墨坩埚放置于加热系统进行加热时，凹槽和支撑平台的位置在加热系统内部，其中，石墨坩埚的支撑平台低于加热系统上表面 40-190mm，例如可以是40mm、100mm、150mm、180mm或190mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
31.由于坩埚盖与支撑平台结合面位于加热系统内部，位于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。
32.优选地，所述支撑平台的宽度为2-50mm，例如可以是2mm、5mm、10mm、 15mm、18mm、20mm、25mm、28mm、30mm、35mm、40mm、45mm或50mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
33.优选地，所述坩埚盖水平放置于支撑平台上，坩埚盖与内壁的距离为 0.5-35mm，例如可以是0.5mm、1mm、5mm、10mm、15mm、18mm、20mm、 25mm、28mm、30mm或35mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
34.优选地，所述底部的厚度为10-100mm，例如可以是10mm、15mm、18mm、30mm、50mm、60mm、90mm或100mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
35.优选地，所述埚体于上端开口处的厚度为5-60mm，例如可以是5mm、10mm、 15mm、18mm、30mm、50mm、55mm或60mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
36.优选地，所述进气孔置于坩埚盖的中间位置。
37.优选地，所述排气孔的直径为10-100mm，例如可以是10mm、15mm、18mm、 30mm、50mm、60mm、90mm或100mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
38.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
39.(1)本实用新型通过在石墨坩埚的内壁上设置凹槽，凹槽位于与上口处的支撑平台与内壁相接的位置，可以有效的阻止在石墨坩埚内通气时液体飞溅至炉腔内，石墨坩埚内的支撑平台位于加热系统内部，使得坩埚盖与石墨坩埚内部的支撑平台结合面处于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。
40.(2)本实用新型提供的圆柱形的石墨坩埚在无需增加石墨坩埚最大直径的情况下，由于侧部的内壁与底部垂直可以增加石墨坩埚下部的空间。这防止了进气管下部连接的圆盘型气泡发生器与坩埚底部中心位置稍有偏移导致气泡，只从靠近坩埚壁一侧上升，
然后很快汇聚成大气泡，从而影响了生长的石墨烯的质量；同时，还能避免因为两者位置偏移，气泡只从靠近坩埚壁一侧上升，致使在与气泡发生器靠近的一侧的侧部的内壁上大量积碳。
附图说明
41.图1为本实用新型提供的倒圆台型石墨坩埚的结构示意图。
42.图2为本实用新型提供的圆柱形石墨坩埚的结构示意图。
43.图3为对比例1提供的石墨坩埚的结构示意图。
44.其中：1-埚体，2-支撑平台，3-凹槽，4-坩埚盖，5-进气孔，6-排气孔，7
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加热系统。
具体实施方式
45.需要理解的是，在本实用新型的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
46.需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
47.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
48.实施例1
49.本实施例提供了一种石墨坩埚(图1)，所述石墨坩埚包括埚体1和坩埚盖 4，所述埚体1包括底部和侧部；所述石墨坩埚的形状为倒圆台型，所述底部和侧部的内壁之间的倾角为120
°
，所述底部与侧部的外壁之间的倾角为120
°
；所述埚体1的外部高度为500mm，所述埚体1的壁厚为30mm，所述埚体1的底部外径为300mm，所述埚体1的上口端外径为350mm；所述底部的厚度为50mm，所述埚体1在上端开口处的厚度为20mm。
50.所述内壁上设置有支撑平台2，所述支撑平台2用于水平放置坩埚盖4，所述支撑平台2与石墨坩埚上端开口的距离为100mm，所述支撑平台2与内壁之间设置有凹槽3；所述凹槽3的截面形状为正方形，所述凹槽3截面的宽度为 5mm，所述凹槽3在内壁中的深度为15mm，所述支撑平台2的宽度为7mm，所述坩埚盖4水平放置于支撑平台2上，坩埚盖4与内壁的距离为5mm。
51.所述坩埚盖4包括进气孔5和排气孔6。所述进气孔5置于坩埚盖4的中间位置；所述排气孔6的直径为20mm。
52.所述石墨坩埚放置于加热系统7进行加热时，所述凹槽3和支撑平台2的位置在加热系统7内部。石墨坩埚的支撑平台2低于加热系统7上表面100mm。
53.本实施例提供的石墨坩埚，通过在石墨坩埚的内壁上设置凹槽3，凹槽3位于与上口处的支撑平台2与内壁相接的位置，可以有效的阻止在石墨坩埚内通气时液体飞溅至炉
腔内，石墨坩埚内的支撑平台2位于加热系统7内部，使得坩埚盖4与石墨坩埚内部的支撑平台2结合面处于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。
54.利用此石墨坩埚以及坩埚盖，加入铜，在氮气保护下加热，使铜达到熔融状态，熔化后液面距离支撑平台100mm，常压下在生长温度1250℃，通入甲烷、氮气流量为5/25l的混合气体，进气管路气泡发生器距离液态铜液面深度80mm，通气生长4h，降至室温，经观察在坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处无铜凝结聚集现象，炉腔中无飞溅出铜颗粒。
55.实施例2
56.本实施例提供了一种石墨坩埚(图1)，所述石墨坩埚包括埚体1和坩埚盖 4，所述埚体1包括埚体底部和侧部；所述石墨坩埚的形状为倒圆台型，所述底部和侧部的内壁之间的倾角为110
°
，所述底部与侧部的外壁之间的倾角为 110
°
；所述埚体1的外部高度为1000mm，所述埚体1的壁厚为60mm，所述埚体1的底部外径为700mm，所述埚体1的上口端外径为750mm；所述底部的厚度为60mm，所述埚体1上端开口处的厚度为15mm。
57.所述内壁上设置有支撑平台2，所述支撑平台2用于水平放置坩埚盖4，所述支撑平台2与石墨坩埚上端开口的距离为200mm，所述支撑平台2与内壁之间设置有凹槽3；所述凹槽3的截面形状为长方形，所述凹槽3截面的宽度为 9mm，所述凹槽3在内壁中的深度为5mm，所述支撑平台2的宽度为35mm，所述坩埚盖4水平放置于支撑平台2上，坩埚盖4与内壁的距离为35mm。
58.所述坩埚盖4包括进气孔5和排气孔6。所述进气孔5为置于坩埚盖4的中间位置；所述排气孔6的直径为100mm。
59.所述石墨坩埚放置于加热系统7进行加热时，所述凹槽3和支撑平台2的位置在加热系统7内部。石墨坩埚的支撑平台2低于加热系统7上表面190mm。
60.本实施例提供的石墨坩埚，通过在石墨坩埚的内壁上设置凹槽3，凹槽3位于与上口处的支撑平台2与内壁相接的位置，可以有效的阻止在石墨坩埚内通气时液体飞溅至炉腔内，石墨坩埚内的支撑平台2位于加热系统7内部，使得坩埚盖4与石墨坩埚内部的支撑平台2结合面处于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。
61.利用此石墨坩埚以及坩埚盖，加入铜，在氮气保护下加热，使铜达到熔融状态，熔化后液面距离支撑平台100mm，常压下在生长温度1250℃，通入甲烷、氮气流量为5/25l的混合气体，进气管路气泡发生器距离液态铜液面深度80mm，通气生长4h，降至室温，经观察在坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处无铜凝结聚集现象，炉腔中无飞溅出铜颗粒。
62.实施例3
63.本实施例提供了一种石墨坩埚(图1)，所述石墨坩埚包括埚体1和坩埚盖 4，所述埚体1包括底部和侧部；所述石墨坩埚的形状为倒圆台型，所述底部和侧部的内壁之间的倾角为150
°
，所述底部与侧部的外壁之间的倾角为150
°
；所述埚体1的外部高度为280mm，所述埚体1的壁厚为15mm，所述埚体1的底部外径为80mm，所述埚体1的上口端外径为95mm；所述底部的厚度为30mm，所述埚体1上端开口处的厚度为17mm。
64.所述内壁上设置有支撑平台2，所述支撑平台2用于水平放置坩埚盖4，所述支撑平台2与石墨坩埚上端开口的距离为80mm，所述支撑平台2与内壁之间设置有凹槽3；所述凹槽3的截面形状为梯形，所述凹槽3截面的宽度为2mm，所述凹槽3在内壁中的深度为30mm，所述支撑平台2的宽度为2mm，所述坩埚盖4水平放置于支撑平台2上，坩埚盖4与内壁的距离为
1mm。
65.所述坩埚盖4包括进气孔5和排气孔6。所述进气孔5置于坩埚盖4的中间位置；所述排气孔6的直径为10mm。
66.所述石墨坩埚放置于加热系统7进行加热时，所述凹槽3和支撑平台2的位置在加热系统7内部。石墨坩埚的支撑平台2低于加热系统7上表面50mm。
67.本实施例提供的石墨坩埚，通过在石墨坩埚的内壁上设置凹槽3，凹槽3位于与上口处的支撑平台2与内壁相接的位置，可以有效的阻止在石墨坩埚内通气时液体飞溅至炉腔内，石墨坩埚内的支撑平台2位于加热系统7内部，使得坩埚盖4与石墨坩埚内部的支撑平台2结合面处于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。
68.利用此石墨坩埚以及坩埚盖，加入铜，在氮气保护下加热，使铜达到熔融状态，熔化后液面距离支撑平台100mm，常压下在生长温度1250℃，通入甲烷、氮气流量为5/25l的混合气体，进气管路气泡发生器距离液态铜液面深度80mm，通气生长4h，降至室温，经观察在坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处无铜凝结聚集现象，炉腔中无飞溅出铜颗粒。
69.实施例4
70.本实施例提供了一种石墨坩埚(图2)，所述石墨坩埚包括埚体1和坩埚盖 4，所述埚体1包括底部和侧部；所述石墨坩埚的形状为圆柱型；所述埚体1的外部高度为500mm，所述埚体1的壁厚为30mm，所述埚体1的底部外径为 350mm，所述埚体1的上口端外径为350mm；所述底部的厚度为50mm，所述埚体1在上端开口处的厚度为20mm。
71.所述内壁上设置有支撑平台2，所述支撑平台2用于水平放置坩埚盖4，所述支撑平台4与石墨坩埚上端开口的距离为100mm，所述支撑平台2与内壁之间设置有凹槽3；所述凹槽3的截面形状为正方形，所述凹槽3截面的宽度为 5mm，所述凹槽3在内壁中的深度为5mm，所述支撑平台2的宽度为5mm，所述坩埚盖4水平放置于支撑平台2上，坩埚盖4与内壁的距离为10mm。
72.所述坩埚盖4包括进气孔5和排气孔6。所述进气孔5置于坩埚盖4的中间位置；所述排气孔6的直径为20mm。
73.所述石墨坩埚放置于加热系统7进行加热时，所述凹槽3和支撑平台2的位置在加热系统7内部。石墨坩埚的支撑平台2低于加热系统7上表面100mm。
74.本实施例提供的石墨坩埚，通过在石墨坩埚的内壁上设置凹槽3，凹槽3位于与上口处的支撑平台2与内壁相接的位置，可以有效的阻止在石墨坩埚内通气时液体飞溅至炉腔内，石墨坩埚内的支撑平台2位于加热系统7内部，使得坩埚盖4与石墨坩埚内部的支撑平台2结合面处于高温加热区，避免了在接缝位置铜液凝结聚集。圆柱形的石墨坩埚在无需增加石墨坩埚最大直径的情况下。由于侧部的内壁与底部垂直可以增加石墨坩埚下部的空间。这防止了进气管下部连接的圆盘型气泡发生器与坩埚底部中心位置稍有偏移导致气泡只从靠近坩埚壁一侧上升，然后很快汇聚成大气泡，从而影响生长的石墨烯的质量；同时，还能避免因为两者位置偏移，气泡只从靠近坩埚壁一侧上升，致使在与气泡发生器靠近的一侧的侧部的内壁上大量积碳。
75.利用此石墨坩埚以及坩埚盖，加入铜，在氮气保护下加热，使铜达到熔融状态，熔化后液面距离支撑平台100mm，常压下在生长温度1250℃，通入甲烷、氮气流量为5/25l的混合气体，进气管路气泡发生器距离液态铜液面深度80mm，通气生长4h，降至室温，经观察在
坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处无铜凝结聚集现象，炉腔中无飞溅出铜颗粒。
76.实施例5
77.本实施例提供了一种石墨坩埚(图1)，除所述进气孔5不置于坩埚盖4的中间位置，置于坩埚盖4与排气孔6相对的一侧，其余与实施例4相同。
78.虽然进气孔不在坩埚盖中心位置，致使进气管下部连接的圆盘型气泡发生器必然会与坩埚中心位置有偏移，但是由于坩埚侧部的内壁与底部垂直，增加了石墨坩埚下部的空间，从而避免了气泡只从靠近坩埚壁一侧上升，然后很快汇聚成大气泡，影响生长的石墨烯的质量的问题；同时也不会在靠近气泡发生器靠近的一侧的侧部的内壁上大量积碳。
79.利用此石墨坩埚以及坩埚盖，加入铜，在氮气保护下加热，使铜达到熔融状态，熔化后液面距离支撑平台100mm，常压下在生长温度1250℃，通入甲烷、氮气流量为5/25l的混合气体，进气管路气泡发生器距离液态铜液面深度80mm，通气生长4h，降至室温，经观察在坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处无铜凝结聚集现象，炉腔中无飞溅出铜颗粒。
80.对比例1
81.本对比例提供一种常规的石墨坩埚(图3)，所述石墨坩埚包括埚体1和坩埚盖4，所述埚体1包括埚体底部和侧部；所述底部和内壁之间的倾角为120
°
，所述底部与外壁之间的倾角为120
°
；所述底部的厚度为50mm，所述内壁在上端开口处的厚度为20mm。
82.所述内壁上设置有支撑平台2，所述支撑平台2用于水平放置坩埚盖4，所述支撑平台2与石墨坩埚上端开口的距离为20mm，所述内壁上无凹槽3。所述支撑平台2的宽度为10mm，所述坩埚盖4水平放置于支撑平台2上，坩埚盖4 与内壁的距离为2mm。
83.所述坩埚盖4包括进气孔5和排气孔6。所述进气孔为通孔，置于坩埚盖的中间位置；所述排气孔为通孔，所述排气孔的直径为20mm。
84.所述石墨坩埚放置于加热系统7进行加热时，所述支撑平台3的位置在加热系统7外部。
85.本对比例所提供的石墨坩埚，在加热时，内部液体容易飞溅进入加热系统中，从而影响设备，降低效率。
86.利用此石墨坩埚以及坩埚盖，加入铜，在氮气保护下加热，使铜达到熔融状态，熔化后液面距离支撑平台100mm，常压下在生长温度1250℃，通入甲烷、氮气流量为5/25l的混合气体，进气管路气泡发生器距离液态铜液面深度80mm，通气生长4h，降至室温，经观察在坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处有大量铜凝结聚集，质量为630g，炉腔中也有不少飞溅出去凝固的铜颗粒，质量为750g。
87.由此说明使用本实用新型的石墨坩埚可以避免坩埚内部支撑平台与坩埚盖接缝处铜液滴凝结聚集现象，同时也不会有铜液滴飞溅到炉腔中。
88.以上所述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。