一种样品托

1.本实用新型涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种样品托。


背景技术：

2.单晶金刚石具有独特的电学性能，它的高热导、高载流子迁移率和宽带隙等半导体特性，在电子器件方面具有重要的应用前景，可以用于高温、高功率激光器件、紫外发光器件、辐射探测器等。
3.当需要在相同工艺条件下生长多颗单晶金刚石，就需要在同一个钼制样品托上面相邻放置多颗金刚石籽晶。每颗籽晶的上表面都会与由混合气体（通常为氢气和甲烷）经过微波场形成的等离子体相接触。
4.当微波功率和气体压强达到生长所需条件时，所有的单晶金刚石外延层都开始沿垂直籽晶上表面纵向外延生长，随着生长的进行，所有的籽晶都会逐渐变厚，同时籽晶边缘会伴随有金刚石多晶相和石墨相的形成。随着温度升高越来越多并蔓延至整个生长面，导致相邻两颗单晶金刚石之间的空隙越来越小，甚至最终会连结到一起形成晶界，进而在晶界处会生长出更多的多晶相和石墨相，严重影响了单晶金刚石的良品率，同时也制约了高品质单晶金刚石的大批量生长。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种样品托。
6.本实用新型提供如下技术方案：一种样品托，包括样品托本体，所述样品托本体的顶部开设有多个凹槽；
7.所述样品托本体的顶部转动地设置有多个挡板，且一个所述挡板盖合于一个所述凹槽，以形成一个容纳腔；
8.所述样品托本体的侧壁设有至少一个第一连接部和至少一个第二连接部，以使一个所述样品托本体的所述第一连接部和另一个所述样品托本体的所述第二连接部相连接。
9.在本实用新型的一些实施例中，所述第一连接部为两组，两组所述第一连接部分别设置在所述样品托本体相对的两侧；
10.所述第二连接部为两组，两组所述第二连接部分别设置在所述样品托本体的相对两侧；
11.任意相邻的所述第一连接部和所述第二连接部之间的距离相等。
12.进一步地，所述第一连接部为安装槽，所述第二连接部为凸起，所述凸起与所述安装槽相卡合。
13.进一步地，多个所述挡板铰接在所述样品托本体的顶部，且一个所述挡板设置在所述一个所述凹槽的边缘。
14.进一步地，所述样品托本体的顶部设有多个环形槽，沿所述凹槽的周向设置一个所述环形槽；
15.所述挡板的边缘设有连接环，所述连接环与所述环形槽连接。
16.进一步地，所述环形槽的数量与所述凹槽的数量相等。
17.进一步地，每一个所述凹槽的底部均设有垫片，且所述垫片完全覆盖于所述凹槽的底部。
18.进一步地，还包括盖体，所述盖体盖合于所述样品托本体。
19.进一步地，所述样品托的底部设有防滑垫。
20.进一步地，所述挡板的数量与所述凹槽的数量相等。
21.本实用新型的实施例具有如下优点：通过在样品托本体上开设多个凹槽，同时在样品托本体上设置多个挡板，并通过挡板将凹槽盖合，以形成容纳腔，使得籽晶可容纳腔中生长，同时通过挡板对籽晶的生长形成限位，避免相邻的两个凹槽中的籽晶在生长过程中从凹槽延伸出，并连接在一起形成晶界，从而提高单晶金刚石的生长质量，有利于单晶金刚石的大批量生长。
22.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
23.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍， 应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
24.图1示出了本实用新型的一些实施例提供的样品托本体的一视角的结构示意图一；
25.图2示出了图1中a-a部的剖视图；
26.图3示出了本实用新型的一些实施例提供的样品托本体与盖体连接的一视角的结构示意图；
27.图4示出了图3中b-b部的剖视图；
28.图5示出了图4中c部的放大图；
29.图6示出了本实用新型的一些实施例提供的一种样品托中挡板的一视角的结构示意图；
30.图7示出了本实用新型的一些实施例提供的样品托本体其他结构的一视角的结构示意图；
31.图8示出了本实用新型的一些实施例提供的样品托本体其他结构的另一视角的结构示意图；
32.图9示出了图8中d-d部的剖视图。
33.主要元件符号说明：
34.100-样品托本体；110-凹槽；120-环形槽；200-挡板；210-连接环；300-第一连接部；400-第二连接部；500-垫片；600-盖体；700-防滑垫。
具体实施方式
35.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
36.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
37.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
38.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
40.如图1、图2、图4和图6所示，本实用新型的一些实施例提供一种样品托，主要应用于单晶金刚石的生长。该样品托包括样品托本体100，所述样品托本体100的顶部开设有多个凹槽110。
41.需要说明的是，凹槽110的数量可以是两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。
42.其中，凹槽110在所述样品托本体100厚度方向的一侧的正投影的形状可以是圆形、椭圆形、多边形、正多边形或异形中的任意一种，可根据实际情况具体设定。
43.另外，多个凹槽110在样品托本体100上的排列方式可以是直线型排列、折线型排列、曲线型排列、环形排列或阵列中的任意一种，可根据实际情况具体设定。
44.在本实用新型的一些实施例中，多个凹槽110以阵列的方式排列在所述样品托本体100上，且任意相邻的两个凹槽110之间相间隔设置，任意相邻的两个凹槽110之间的距离相等，以提高样品托本体100的美观性。
45.通过在样品托本体100的顶部设置多个相间隔的凹槽110，以使得金刚石籽晶可分别在不同的凹槽110内生长，避免金刚石籽晶在生长过程中连接在一起形成晶界，从而提单晶高金刚石的质量。
46.同时，在所述样品托本体100的顶部转动地设置有多个挡板200。需要说明的是，所
述挡板200的数量可以是两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。
47.其中，多个挡板200相间隔的设置在所述样品托本体100的顶部，且一个所述挡板200设置在一个所述凹槽110的边缘。
48.具体的，在每一个所述凹槽110的边缘均设置有一个挡板200，并通过挡板200将凹槽110密封，通过挡板200对放置在凹槽110中的籽晶在生长过程中形成限位，避免籽晶在生长过程中从相邻的两个凹槽110中延伸出来，并连接在一起形成晶界，以提高单晶金刚石的生长质量。
49.需要说明的是，一个所述挡板200盖合于一个所述凹槽110，以形成一个容纳腔，并可将籽晶放置在该容纳腔中，使得籽晶在容纳腔内生长，以形成单晶金刚石。
50.另外，在所述样品托本体100的侧壁设有至少一个第一连接部300和至少一个第二连接部400。
51.可以理解的是，所述第一连接部300的数量和所述第二连接部400的数量分别可以是一个、两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。
52.需要说明的是，当第一连接部300和第二连接部400的数量分别为一个时，第一连接部300和第二连接部400分别设置在所述样品托本体100相对的两侧。
53.通过将一个所述样品托本体100的所述第一连接部300和另一个所述样品托本体100的所述第二连接部400相连接，以增加样品托本体100的数量，同时将相邻的两个样品托本体100连接，以提高相邻的样品托本体100之间连接的稳定性。
54.同时，可将多个样品托本体100相互连接，实现单晶金刚石的大规模生产，从而提高单晶金刚石的生产效率。
55.如图1至图4所示，在本实用新型的一些实施例中，所述第一连接部300为两组，两组所述第一连接部300分别设置在所述样品托本体100相对的两侧。
56.可以理解的是，两个第一连接部300以所述样品托本体100的轴线呈中心对称。
57.另外，所述第二连接部400为两组，两组所述第二连接部400分别设置在所述样品托本体100的相对两侧。
58.可以理解的是，两个第二连接部400以所述样品托本体100的轴线呈中心对称。
59.具体的，任意相邻的第一连接部300与第二连接部400之间的距离相等，且相邻的第一连接部300与第二连接部400之间形成的圆心角为90
°
，并可在水平方向上将多个样品托本体100连接，以提高多个样品托本体100之间连接的稳定性。
60.同时，还可根据实际生产需要，增加或减少样品托本体100的数量，以提高单晶金刚石的生长效率。
61.其中，第一连接部300的数量与所述第二连接部400的数量相等。
62.如图3和图4所示，在本实用新型的一些实施例中，所述第一连接部300为安装槽，所述第二连接部400为凸起，所述凸起与所述安装槽相卡合，以提高第一连接部300与第二连接部400之间连接的效率，提高相邻的两个样品托本体100之间连接的效率，以适应于单晶金刚石的大规模生产。
63.如图7至图9所示，在本实用新型的一些实施例中，多个所述挡板200铰接在所述样品托本体100的顶部，且一个所述挡板200设置在所述一个所述凹槽110的边缘。
64.通过将挡板200与样品托本体100以铰接方式的连接，以提高挡板200与凹槽110之
间的盖合效率的同时，防止挡板200从样品托本体100上掉落。
65.需要说明的是，当一个挡板200盖合于一个凹槽110时，该挡板200完全覆盖于该凹槽110，以形成密封的容纳腔，防止在生长过程中相邻籽晶之间由于边缘形成多晶相和石墨相而导致的相互连结，以提高单晶金刚石的生长质量。
66.另外，为了提高每一个凹槽110中的籽晶在生长过程中的稳定性，在本实用新型的一些实施例中，所述挡板200的数量与所述凹槽110的数量相等，即每一个凹槽110的边缘均设置有一个挡板200。
67.具体的，在本实用新型的一些实施例中，所述凹槽110的形状为正方形结构，且每一个凹槽110的深度均相等。
68.可选的，每一个凹槽110的深度均不同，凹槽110的深度可根据实际情况具体设定。
69.如图1、图2、图4和图5所示，在本实用新型的另一些实施例中，在样品托本体100的顶部设有多个环形槽120，沿一个所述凹槽110的周向设置一个所述环形槽120，即一个所述环形槽120环绕在一个所述凹槽110的周向，且所述环形槽120与所述凹槽110相间隔设置。
70.同时，在所述挡板200的边缘设有连接环210，所述连接环210与所述环形槽120连接。
71.需要说明的是，连接环210可通过卡合的方式与环形槽120连接。另外，连接环210还可通过螺纹连接的方式与环形槽120连接。
72.在本实用新型的一些实施例中，所述挡板200通过螺纹连接的方式与样品托本体100连接，并通过挡板200将凹槽110密封，以形成容纳腔，提高挡板200对凹槽110的密封质量，避免相邻的两个凹槽110中的籽晶在生长的过程中连接在一起，从而提高凹槽110中的籽晶在生长过程中的稳定性，提高生单晶金刚石的生长质量。
73.其中，环形槽120的深度不小于所述连接环210的高度。需要说明的是，所述连接环210的高度是指连接环210远离所述挡板200的一侧到所述挡板200的垂直距离。
74.需要说明的是，所述凹槽110的数量与所述环形槽120的数量相等。
75.如图2、图4和图5所示，在本实用新型的一些实施例中，在每一个所述凹槽110的底部均设有垫片500，且所述垫片500完全覆盖于所述凹槽110的底部。
76.需要说明的是，所述垫片500活动的放置在所述凹槽110的底部，使得凹槽110中的籽晶生长为单晶金刚石时，设置在凹槽110底部的垫片500避免单晶金刚石贴附在凹槽110的底部，从而提高单晶金刚石的提取效率。
77.其中，垫片500为钼片，以提高垫片500的耐高温性能。
78.如图3和图4，在本实用新型的一些实施例中，所述样品托还包括盖体600，且所述盖体600盖合于所述样品托本体100。
79.其中，所述盖体600盖合在所述样品托本体100设置有凹槽110的一侧。
80.具体的，所述盖体600通过螺纹连接方式与样品托本体100连接，亦可通过盖体600与挡板200形成限位，以提高挡板200在样品托本体100上的稳定性，从而提高凹槽110中的籽晶在生长过程中的稳定性，提高单晶金刚石的生长质量。
81.如图2至图4所示，在本实用新型的一些实施例中，在所述样品托本体100的底部设有防滑垫700，防止工作人员在操作时，样品托本体100从工作台上滑落，以提高样品托本体100的稳定性，提高样品托本体100的防滑质量，提高样品托本体100中的籽晶在生长过程中
的稳定性。
82.需要说明的是，在本实用新型的一些实施例中，样品托本体100由金属钼或金属钛制成，且所述挡板200为钼板或钛板，以提高样品托本体100和挡板200的耐高温性能。
83.在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。
84.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
85.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。